【課題】メモリを含む半導体装置に稀に存在する異常特性を解析する。
【解決手段】ラマン分光装置２１は、半導体装置における５ビット分以上かつ１００ビット分以下のメモリに相当する領域のそれぞれに対して、ラマン散乱分光法による分析を行う。そして、信号強度の波数依存性を表す分析データにおけるピーク波数または波数幅を求める。統計処理部２９は、求めたピーク波数または波数幅に関する累積分布を算出する。データ取得部３２は、算出した累積分布における主分布と主分布から外れる裾分布とを求め、それぞれの分布を正規分布曲線で近似して表した場合の正規分布曲線同士の交点座標を求める。データ表示部３３は、交点座標が所定の条件を満たすか否かを判定して判定結果を表示する。 （もっと読む）

【課題】 不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、複数のレイヤのそれぞれでの配線パターンのパターンデータ群によって半導体デバイスの複数の配線の構成が記述された配線情報を用い、複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、候補配線の抽出において、パターンデータ群を用いた配線パターンの等電位追跡を行うことで、候補配線を抽出する。 （もっと読む）

【課題】 不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、半導体デバイスの複数のネットのうちで不良観察画像から設定された複数の解析領域の少なくとも１つを通過する候補ネット、及びその候補ネットの解析領域の通過回数を抽出し、通過回数が最も多い候補ネットを第１の不良ネットとして選択するとともに、第１の不良ネットが通過しない解析領域に着目して第２の不良ネットの選択を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板標準サンプルについてＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定によるイオン強度比と表面不純物濃度をそれぞれ測定して予め両者間の検量線を作成しておき、未知の半導体基板についてＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定によるイオン強度比を求め、上記検量線から当該未知の半導体基板の不純物濃度を定量することができるようにした半導体基板表面の不純物定量方法を提供する。
【解決手段】
不純物をドープすることによって不純物濃度の異なるエピタキシャル層を成長させて半導体基板標準サンプルを作製し、前記半導体基板標準サンプルについてＴＯＦ−ＳＩＭＳによりイオン強度比を測定し、前記不純物濃度とイオン強度比の測定値のグラフを描いて両者間の検量線を作成し、未知の半導体基板表面のＴＯＦ−ＳＩＭＳのイオン強度比を測定することによりその不純物濃度を前記検量線を用いることによって定量するようにした。 （もっと読む）

【課題】走査プローブ顕微鏡において、探針を試料に対して接近、退避させる走査方式によって複数の試料特性を測定する場合、必要最小限の測定時間で高精度かつ確実に試料特性の検出を行いたいという課題がある。また、探針-試料間に働く作用力は探針の種類や探針先端の磨耗状態によって変化するため、測定した探針の影響を除去しないかぎり異なる探針で取得した特性値を比較することができないという問題がある。
【解決手段】走査プローブ顕微鏡において、駆動手段によって可変振幅で探針の試料への接近、試料からの退避を繰り返しながら探針を試料に間歇的に接触させて、高速に試料特性を取得する。また、一定の環境下（気温、湿度一定）で校正用の試料を用いて一点以上のフォースカーブを取得し、前記フォースカーブから得られる情報を用いて、測定値の補正を行い、試料特性の分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】ｘ線光電子分光の帯電現象の解析により評価対象の材料中の電荷欠陥を定量的な計測を可能とする。
【解決手段】１ 試料にあたっているｘ線の照射面積を可変とするため複数の異なった孔径を有する稼動しぼりを試料の前面に設ける。 ２ 試料に当たっているｘ線の強度分布が均一であるように上記１の稼動絞りを用いて計測する手法。 ３ ｘ線の試料への照射開始、終了は、定常状態のｘ線源から放射されているｘ線を、ｘ線源と試料の間に設けた高速シャッターで行う。 （もっと読む）

【課題】 製造物の寸法ばらつき検査の標本数を減少可能な測定座標設定システムを提供する。
【解決手段】 平面上で第１の製造物の複数の部分の寸法を測定する測定装置332、複数の寸法の平面分布を、平面の座標の関数として直交多項式で近似する抽出用近似モジュール121、近似された平面分布を第２の製造物で検査するために、第２の製造物の複数の部分の寸法を測定する測定座標を設定する選択座標設定モジュール124を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜のポアソン比を簡易且つ直接求め得る薄膜ポアソン比の測定方法、及び測定装置を提供すること。
【解決手段】薄膜ポアソン比の測定方法は基板上に堆積された薄膜のポアソン比を測定する方法である。薄膜の面内方向における二軸熱応力の温度勾配と、薄膜に垂直な方向における膜厚に沿った熱膨張歪と、膜厚の弾性率と、基板の熱膨張係数を測定又は算出し、これらを所定の式に導入して演算する。
上述の薄膜ポアソン比の測定方法を実行する装置である。二軸熱応力の温度勾配を求めるため基板の曲率測定を行うレーザー光測定手段と、熱膨張歪を求めるＸ線反射率測定手段と、基板と薄膜を加熱及び冷却する熱処理手段と、基板と薄膜を収容し内部に不活性ガスを充填・排出する試料収容器と、所定の式に従って演算処理をする演算処理手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を短時間かつ高い信頼性をもって測定する手段を提供すること。
【解決手段】表面光電圧法によりシリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を測定する方法。前記測定は、前記シリコンウェーハに表面処理を施し、次いで、酸素含有雰囲気下で前記表面処理を施したシリコンウェーハ表面に対して紫外線を照射した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気特性および加工寸法の変動を低減し、半導体装置を高品質で高歩留まりで製造できる、半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】半導体製造システムにおいて、測定領域の配線方向の長さを、配線幅の１０倍以上として配線幅を測定する検査工程２０２を有し、この配線幅の検査工程を含む、複数の検査工程の検査データを収集する機能（データ収集ユニット２０３）、その検査データを用いて半導体装置の電気特性または加工寸法の予測モデルを生成し、この予測モデルから制御モデルを生成する機能（データ解析ユニット２０４）、および半導体装置の製造工程の複数の検査工程の検査データと制御モデルを基に制御工程の処理条件を適切に制御する機能（プロセス制御ユニット２０５）を有し、半導体装置の製造工程の制御方法を実現する。 （もっと読む）

【課題】 測距センサー、焦点合わせ装置の少なくとも一方が有線のものであるにも拘らず、レボルバー自体を何れの方向にも３６０度以上回転可能にする。
【解決手段】 測距センサー５２が所定位置に存在するようにレボルバー５３を回転させた状態において、一方の中間コネクタ５２２に対して他方の中間コネクタ５２３を接続し、または接続解除することができるように、中間コネクタ５２３を支持する支持枠部材５２５をガイド部材５２６によって往復動作可能に支持しているとともに、シリンダー装置５２７によって、接続用の力、または接続解除用の力を発生させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン試料の表面に、適正化を図った薄膜振動子を形成することにより、シリコンウェーハ中の原子空孔濃度を、その濃度を高める等の加速処理を行うことなく、定量的に評価することができる、ウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置等を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハから所定の部位を切り出したシリコン試料５に対し外部磁場を印加する磁力発生手段２と、シリコン試料５を50Ｋ以下の温度域に冷却・制御可能な温度制御手段３と、シリコン試料５の表面に対し超音波パルスを発振し、発振させた超音波パルスをシリコン試料５中を伝播させ、伝播した超音波パルスの音速変化を検出する超音波発振・検出手段４とを有し、シリコン試料５の表面に、前記温度域でシリコン試料５の膨張に追随できる物性をもち、かつＣ軸が所定の方向に揃った薄膜振動子８を直接形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、液浸顕微鏡の対物レンズ鏡筒のレンズ部と試料との間を液体で満たして使用される液浸顕微鏡装置に関し、試料面に供給された液体あるいは試料面に付着した液体の有無を確実に検出することを目的とする。
【解決手段】
液浸顕微鏡の対物レンズ鏡筒の先端レンズ部と、試料との間に液体を供給する液体供給手段と、前記先端レンズ部と前記試料との間の前記液体を吸引する液体吸引手段と、前記液体吸引手段の作動後に、前記試料上の残留する前記液体を検出し、前記液体の残留情報を取得する液体検出手段と、前記液体吸引手段で検出された前記液体の残留情報が所定条件を上回ると、前記試料に悪影響を及ぼす量の前記液体が残留していると判別する液体残留判別手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの膜の特性をインラインで測定して、定期的なモニタリング作業を不要にした半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の膜を積層して成膜する。この基板１上に形成され上記基板１上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、Ｘ線をマイクロ化されたスポット径で照射して、Ｘ線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不良が発生したウエハの端部の状態をプロセス全体にわたって容易に観察、追跡ができる機能を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ウエハ外周部を検査するウエハ表面検査装置において、ウエハ外周部の画像を撮るレンズ系およびＣＣＤカメラと、撮った画像データを記憶する記憶手段と、記憶装置に記憶されている画像データを表示する表示手段とを有することを特徴とする。
更に、具体的に述べると、本発明はプリアライメント部に載せてウエハを回転させ、ウエハのオリエンテーションフラット部あるいはノッチ部の位置合わせを行う部位に、レンズ系とＣＣＤカメラにより、ウエハ端部の外周１週分の画像を記録し、記憶装置に取り込み、ＣＲＴ上に表示させる機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１μｍ以下の高空間分解能を有するＸ線セクショントポグラフィーを達成して、鮮明で均一な多次元のトポグラフ像を生成すること。
【解決手段】所定の集光ビーム形状を有する集光Ｘ線ビームを測定用結晶媒体に入射させた状態で、測定用結晶媒体をその集光Ｘ線ビームを含む所定の領域内において複数の方向に移動させ、この移動と共に集光Ｘ線ビームがその測定用結晶媒体の所定の領域内において回折して得られた回折Ｘ線ビームの強度を測定し、測定した強度に基づいて測定用結晶媒体の所定の領域内での移動方向に即した結晶切断面形状に対応するトポグラフ像を生成する。 （もっと読む）

カンチレバー尖端がショットキー障壁を形成しながら半導体試料との接触状態に入るようになっている原子間力顕微鏡を用いた、半導体試料の表面および/または表面付近の層領域のドーパント密度の算出方法が説明され、前記半導体試料の内部の前記ショットキー領域の空間範囲を決定している空間電荷領域が、その空間範囲に関して起振されるように、前記カンチレバー尖端と前記半導体試料との間の前記ショットキー障壁の領域に交流電位が印加され、その振動が前記カンチレバーに伝達され検出されて、それに基づきドーパント密度が算出される。 （もっと読む）

【課題】構成が容易で、データ転送に長時間を要することなく、また、解像度を劣化させることなく検出時間の短縮を図ることができ、特に、大量の半導体ウエハを迅速に検査して大量生産を図る場合に使用して好適な半導体ウェハ透視検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源１と、半導体ウェハ１０１を保持し回転操作する回転操作手段３と、感知部の配列方向を半導体ウェハ１０１の回転軌跡に対する略々径方向として設置され半導体ウェハ１０１を透過した放射線量を検出するラインセンサ４と、ラインセンサ４により検出された放射線強度情報を半導体ウェハ１０１の回転角度位置に対応させて各感知部ごとに順次加算する加算手段６とを備える。加算手段６によって加算された放射線強度情報に基づき、半導体ウェハ１０１における放射線透過率の異常箇所の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボールバンプウエハ生産工程で、全ボールバンプの高さ（形状含む）を効率良く検査するボールバンプウエハ検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るボールバンプウエハ検査装置は、ボールバンプを有する複数のチップが形成された被検査ウエハをウエハ搭載台に搭載し、投光光学系からウエハ搭載台に搭載された被検査ウエハへ検査光を照射し、被検査ウエハの表面（バンプ表面も含む）で反射した被検査光の強度を検出光学系で検出し、検査光の強度からボールバンプの形状（高さ、径、位置）を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料を短冊状に切り出すことなく、チップ上に形成された多くのデバイスのピエゾ抵抗係数を測定することが可能なピエゾ抵抗係数の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に形成されたデバイスのピエゾ抵抗係数を測定する方法である。本発明は、少なくともチップサイズ以上の試料を切り出し、試料に対し四点曲げを行った際、試料の表面の応力を測定し、抵抗値の変化率を測定し、測定した応力と、測定した抵抗値の変化率とに基づいて、所定の関係より素子のピエゾ抵抗係数を求める。 （もっと読む）