【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの被検査配線に非接触で電位を印加し、非接触で被検査配線の欠陥の有無及び位置を迅速に特定する。
【解決手段】半導体基板１の上面に光起電力素子２を形成し、光起電力素子２上に形成された絶縁層３上面に、一端が光起電力素子２の正電極２−１に接続されかつ他端が光起電力素子２の負電極２−２に接続された被検査配線４ｔを形成し、半導体基板１下面から光１１を入射して光起電力素子２を励起して被検査配線４ｔの両端に電位差を発生させ、非接触走査型表面電位顕微鏡を用いて被検査配線４ｔの表面電位分布を測定する工程とを有する。 （もっと読む）

イメージングツールによって観察される欠陥は、欠陥画像で観察される特徴の、画像の対応する部分に関する設計情報との自動的な比較によって分類され得る。欠陥情報は、欠陥イメージングツールからの欠陥画像から生成されてよい。欠陥の近傍で基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報は取り出されてよい。欠陥は、欠陥画像からの欠陥情報と、欠陥の近傍での基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報との組み合わせに基づいて分類されてよい。
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【課題】半導体製造工程の加熱処理プロセスにおいて、ウェーハ面内における輻射率など光学特性の差異に起因するウェーハ面内の到達温度のばらつきを抑えるとともに、配線幅などの形状の差異に起因する特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の出力分布でウェーハを熱処理する熱処理ユニット11と、熱処理後の特性分布の目標値の入力部31と、光学特性の分布情報を取得する光学特性情報取得部34と、形状の分布情報を取得するための形状情報取得部33と、熱処理後の所定特性の分布情報を取得するための熱処理後特性情報取得部35と、目標値と、光学特性、形状、所定特性の分布情報と、出力分布を算出するための計算パラメータとを含むデータを保持する記憶部41と、記憶部41に保持されたデータに基づいて、所定特性の分布が目標値加熱源を制御する制御部44とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体ウエハの下面の外観異常箇所が、何れの半導体素子領域に存在しているかを正確に識別することができる外観検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の半導体素子領域５２が形成された半導体ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常を検査する方法であって、半導体ウエハ５０の下面５０ｂに各半導体素子領域５２を示す映像を投影した状態で、半導体ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所５６を目視で特定する検査工程を有する外観検査方法。 （もっと読む）

本発明は集積回路（２）を試験する装置（１）に関するものであり、該装置は、試験される集積回路（２）を受ける台（３）を備えている。この台（３）は、集積回路（２）に電力を供給して作動させるための回路（４）と、試験中に集積回路（２）の機能を測定する回路（５）とを有している。本装置は、さらに、集積回路（２）に対して陽子（７）を照射する照射装置（６）を備え、厚さが変化しているマスク（８）が、集積回路（２）上の照射到達領域（９）と集積回路（２）の埋込領域（１０）との間に介在していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの外周部の膜を確実に除去し、シリコンウェーハの外周部に含まれる金属不純物を高感度に分析可能なシリコンウェーハの分析方法を提供する。
【解決手段】溶出装置３０を用いて、外周部Ｅまで酸化膜を除去したシリコンウェーハの外周部Ｅに含まれる金属不純物を溶媒３６に溶出（回収）させる際には、まず、溶出用容器３３に所定量の溶媒３６を注入する。溶媒３６は、シリコンウェーハ１０の特性劣化の原因となるＣｕを確実に溶出させることが可能な、フッ化水素酸、過酸化水素水、および塩酸を含む溶媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの除電を効率よく行うことができ、基板電流をより正確かつ精密に測定可能なウェハ除電方法を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハの除電方法は、電子ビーム照射によりウェハＷＥＨに流れる基板電流を真空中の試料室内で測定する前に、Ｘ線イオナイザー１’を用いて軟Ｘ線を気流存在の条件下で、ウェハＷＥＨに向けて照射して、ウェハＷEＨに帯電している電子を除電する。 （もっと読む）

裸のシリコン基板を形成する方法が記載される。裸のシリコン基板が測定され、測定は、基板上の１点で信号を得るために無接触静電容量測定デバイスによって行われる。信号、または信号によって示される厚さが制御装置に通信される。信号、または信号によって示される厚さに従って調節後の研磨パラメータが決定される。調節後の研磨パラメータを決定した後、調節後の研磨パラメータを使用して、ポリッシャ上で裸のシリコン基板が研磨される。
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【課題】イオン注入によって形成されたダメージ層を欠陥層とする熱処理の進行状況を、シリコンウエーハを破壊することなく、また短時間で容易に評価する、つまりゲッタリング能力を十分に有しているかどうかを容易に評価することのできるシリコンウエーハの評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハの一方の表面からイオン注入することによって形成されたダメージ層を欠陥層とするための熱処理をした後に、前記シリコンウエーハの前記欠陥層の状態を評価するための評価方法であって、前記熱処理後に、前記シリコンウエーハのイオン注入を行った側の表面にＸ線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブの回折強度のピークの角度から０．００１°以上高角側及び低角側の積分強度を求め、該積分強度を用いて前記ダメージ層が前記欠陥層へどの程度変化したかを評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】各種半導体製造プロセス前後の半導体ウェハの物理量の変化を計測することができるプロセスモニタ方法を提供する。
【解決手段】モニタリングに際し、処理されるウェハの質量を計測する質量計が組み込まれている計測用カセットを用意し、第１のロードポート２ａ〜２ｃに装着する。半導体ウェハを収容したウェハ搬送容器３ａ，３ｃを隣接する第２のロードポート２ａ〜２ｃに装着する。ウェハ搬送容器内に収容されている半導体ウェハを計測用カセット内に移送し、その質量を測定し、第１の測定データをカセットの外部に配置されている信号処理手段６に送信する。プロセスが終了した後、処理されたウェハを前記カセット内に収容する。質量計によりプロセス処理後のウェハの質量を計測し、計測された第２の測定データを信号処理手段６に送信する。第１の測定データと第２の測定データとを用いて、処理前後におけるウェハの物理量の変化を算出する。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜のＧＯＩ特性を改善した半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの製造方法並びにＧＯＩの劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてウエーハを作製する工程と、該スライスしたウエーハにラッピング、エッチング、研磨のうち少なくとも１つを行う工程と、該ウエーハの表面ラフネスを測定する工程と、前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求め、前記ゲート酸化膜の厚さが前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して１／４以上の関係となる表面ラフネスを有するウエーハを合格と判定して選別する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の周辺端部に付着する既存の計測装置における検出限界以下の微小な異物であっても正確に検出することができる基板の周辺端部に付着した異物検出方法であって、基板の量産時の検査に適した汎用性の高い異物検出方法を提供する。
【解決手段】基板の周辺端部に付着した異物を検出する異物検出方法であって、ウエハＷを冷却してウエハＷの周辺端部に付着した異物であるベベル部ポリマーＢの周りに気相中の水分５１を凝縮させた後、凝縮した水分５２を氷らせて氷の結晶５３を成長させる冷却ステップと、氷の結晶５３によって強調された基板の周辺端部に付着したベベル部ポリマーＢを既存の計測装置で検出する周辺端部検査ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハにおいてボイドの発生原因となるウェーハの表面欠陥を的確に検出することにより、良品歩留まりの向上および製造コストの低減を可能ならしめた貼り合わせ用ウェーハの欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ前のウェーハ表面を、面検器により、差分干渉コントラスト（ＤＩＣ）を利用して、スクラッチ、微小な突起もしくは凹みの有無を検出し、これらＤＩＣ欠陥の検出結果を総合してボイド発生の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を、汚染金属種によらず高感度に分析可能な手段を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ３表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析するシリコンウェーハの金属汚染分析方法。前記溶液として、フッ化水素酸と過酸化水素水と塩酸との混合溶液を使用する。上記金属汚染分析方法を使用するシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基準信号の整数倍次の高調波に起因して位相検波処理で生じるドリフトを抑制できる基板観察装置を提供する。
【解決手段】基板観察装置３１は、方形波の基準信号を出力する基準信号源６１と、基準信号源からの方形波を正弦波に変換するための第１のフィルタ回路６３と、第１のフィルタ回路を経た正弦波を基板に対して出力する励磁部４１と、基板からの検出信号を受ける検出部４３と、基準信号と基板からの検出信号とを掛け合わせる位相検波回路７７と、位相研磨回路の後段に接続された第２のフィルタ回路７９と、検出部４３と位相検波回路７７との間に設けられ、検出信号から、基準信号の整数倍次の高調波を除去する第３のフィルタ回路７３とを備える。第３のフィルタ回路７３は、基準信号の３次の高調波を除去してよい。 （もっと読む）

【課題】 基板を製造する複数の工程の内どの工程に起因するキズあるいは汚れであるか、作業者の裁量に任せずに、迅速かつ正確な検査が可能な欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 多波長顕微鏡装置１を用いて試料を観察しその観察像を前記観察像表示装置に映し出すステップと、画像認識装置５により観察像表示装置３に映し出された観察像を記憶装置４の試料情報に基づく画像と照合するステップと、観察像を前記試料情報に基づく画像に照合することにより試料のキズ等を検出するステップと、キズ等が試料を製造する複数の工程の内のどの工程で負ったものであるか判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上に非検知元素よりなる疎水性膜２を設けた、液滴状分析試料の乾固を行う全反射蛍光Ｘ線分析用試料板の改良により、空実験でＳｉピークを確実に消滅させ、気相分解法と全反射蛍光Ｘ線分析を組み合わせる高感度化手法において、Ｓｉとエレルギー値の近いＰ，Ａｌ，Ｍｇ等も高感度化させる。
【解決手段】Ｓｉの特性Ｘ線が発生するのは、膜２の表面４で全反射するＸ線５が表面下８まで侵入し、この領域には微小欠陥群が存在してＸ線の散乱９が起こり膜界面のシリコンが励起する為と考え、試料板の試料乾固域の下方に十分の広さのシリコン欠如部分（凹部）を設けて、散乱Ｘ線９がシリコンと遭遇しないようにした。凹部の天井の乾固用膜は十分に薄く出来て不純物の絶対量が減るので、Ｓｉピークの消滅と同時に分析対象元素全般の空試験値も低減させ得る。 （もっと読む）