【課題】高感度かつ簡便に熱処理プロセスの汚染評価を行うことができる手段を提供すること。
【解決手段】酸素濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン基板と、該基板の少なくとも一方の面にシリコンエピタキシャル層を有する、熱処理評価用ウェーハ。前記熱処理評価用ウェーハを使用する熱処理評価方法および半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、シリコンウェーハ中のＣｕ濃度を正確、かつ高感度に検出可能なシリコンウェーハ中のＣｕ評価方法を提供する。
【解決手段】２枚の評価用のシリコンウェーハ１３ａ，１３ｂの内、一方のシリコンウェーハ１３ａの一面側を研磨する。その後、ホットプレート１５などを用いて所定の温度まで加熱する。こうしたシリコンウェーハ１３ａの加熱工程は、例えば、ホットプレート１５を用いて、シリコンウェーハ１３ａを２００〜４５０℃の温度範囲で５〜６０分間加熱することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】 十分な精度を有する半導体基板の不純物分析方法および分析用冶具を提供する。
【解決手段】 半導体基板の主面を中央部に開口を有する保護板でマスクし、保護板の開口内にエッチング液を張り、半導体基板の表層をエッチングする第１の工程（Ｓ０１〜Ｓ０４）と、エッチング液を回収し、半導体基板の表層中の不純物を分析する第２の工程（Ｓ０５〜Ｓ０６）と、半導体基板の主面と保護板との間に隙間を設け、隙間にエッチング液を挟み込み、半導体基板の表層の未エッチング領域をエッチングする第３の工程（Ｓ０７〜Ｓ１０）とを具備し、第１乃至第３の工程を所定回数繰り返す（Ｓ１１）。
半導体基板の表層の未エッチング領域からの汚染を防止して、不純物分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造と方法とで測定精度をより向上させることのできる基板処理装置と基板処理方法とを提供しようとする。
【解決手段】
従来基板を処理する基板処理方法にかわって、基板の面に対向する開口部と前記開口部に連通した内部空間とをもつ気相分解治具を用意する気相分解治具準備工程と、基板の酸化膜を溶解可能な第一溶液の蒸気である第一蒸気を前記内部空間に案内する第一蒸気案内工程と、基板の母材を溶解可能な第二溶液の蒸気である第二蒸気を前記内部空間に案内する第二蒸気案内工程と、を備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】実用性に優れた半導体基板の品質評価方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記半導体基板の品質を、前記検出される輝点の数および／または分布パターンに基づき評価する。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記評価される品質は、基板に含まれる汚染金属の種類であり、前記汚染金属の種類を、前記検出された輝点の元素分析を行うことによって特定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成された絶縁膜の特性（膜内電荷量、膜厚、比誘電率、表面吸着物に起因する表面電位変化など）を非接触で正確に測定する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜の膜厚および膜内電荷量がそれぞれ複数個仮設定される（Ｓ１）。仮設定値の全組合せに関して理論表面電位特性が計算される（Ｓ２）。各理論表面電位特性に関して、予め非接触で測定された測定表面電位特性における表面電位の平均値と、当該理論表面電位特性における表面電位の平均値との差分が求められ、表面吸着物に起因する表面電位変化とされる（Ｓ３）。各理論表面電位特性に関して、当該理論表面電位特性に対して前記表面電位変化による補正を施した補正表面電位特性に対する測定表面電位特性の標準偏差が求められる（Ｓ４）。この標準偏差が最小となる理論表面電位特性に対応する膜厚および膜内電荷量が求められる（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】レジストからのアウトガスによるドーズシフトを十分に低減し、高精度のイオン注入を実現すること。
【解決手段】レジストを有せずにウェハ表面を露出させた第１のテストウェハに対して、注入するイオン種ならびに注入エネルギーを所定の一定条件として所定のドーズ量でイオン注入を行った後、イオン注入領域の電気物理特性を測定してドーズ量と電気物理特性との関係を求める第1のステップと、ウェハ表面にレジストが形成されると共にレジストの一部にウェハ表面を露出させる開口を有する第２のテストウェハに対して、第１のステップと同じイオン種と注入エネルギーの条件でイオン注入してイオン注入領域の電気物理特性を測定する第２のステップと、第２のステップで測定された電気物理特性と第１のステップで求めた同じドーズ量における電気物理特性とを比較してドーズ量のずれを評価する第３のステップと、を有した。 （もっと読む）

【課題】測定値のばらつきを少なくすることが可能なエピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の抵抗率の測定方法並びにウェーハの抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成させたエピタキシャル層に金属電極を接触させてエピタキシャル層の抵抗率を測定する際のエピタキシャル層の前処理方法であり、前記エピタキシャル層に炭素含有化合物を付着させ、酸素含有雰囲気中で紫外光を照射することを特徴とするエピタキシャル層の前処理方法を採用する。 （もっと読む）

半導体構造の物理特性の特徴付けのために、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けの新たな方法が開発された。歪み及び活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造におけるバンド間遷移の近くに発生し、且つ半導体表面に誘起されるナノメートルスケールの空間電荷場の影響による歪み及び／又は活性ドーパントに対して非常に敏感な、光反射信号を測定することである。これを達成するために、本開示は、半導体構造上に同時に集束される、強度変調ポンプレーザビームと連続波プローブレーザビームとを含む。ポンプレーザは、ＮＩＲ〜ＶＩＳにおいておよそ１５ｍＷ光出力を提供する。ポンプ光は、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲で動作する信号発生器によって振幅変調される。プローブビームは、ＶＩＳ〜ＵＶで動作するおよそ５ｍＷであり、概して半導体構造における強い光吸収の近くの波長である。ポンプ及びプローブは、サンプルのマイクロメートルスケールスポットに同時に集束される。プローブ鏡面反射は集光され、ポンプ波長光はカラーフィルタを用いて除去される。残りのプローブ光はフォトダイオードに向けられ、電気信号に変換される。そして、プローブＡＣ信号は、半導体材料光応答のポンプ誘起変化を含む。フォトダイオード出力に対して位相敏感測定が行われ、ＡＣ信号がＤＣ反射率信号によって除算される。このようにして、光反射情報が、プローブ波長、変調周波数、ポンプ強度並びにポンプ偏光及びプローブ偏光の関数として記録される。
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【課題】測定面と裏面とが平行な面を持たない試料の測定面の実効濃度プロファイルを測定することができる半導体素子の形成方法、濃度評価方法、および濃度評価装置を提供する。
【解決手段】半導体素子の濃度評価方法は、まず、測定対象となる試料の測定面に平行な平行面を形成する。つぎに、形成された平行面を所定の角度の傾斜面を有する試料台の傾斜面に接するように固定する。そして、固定された試料の測定面１０１を研磨して試料内部の半導体接合面を露出させ、研磨された研磨面に対して広がり抵抗測定装置の端針７０３を接触させて濃度評価する。 （もっと読む）

【課題】水銀プローブ法により測定されるシリコンウェーハの電気的特性からシリコンウェーハの品質を評価する際に、ウェーハの電気的特性を高い信頼性をもって効率的に測定する手段を提供すること。
【解決手段】水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも弗酸処理からシリコンウェーハ表面と水銀を接触させるまでの間、前記ウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下におく。水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの面内複数点の測定を行いシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも前記測定を、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下にて行う。水銀プローブ法を用いて複数のシリコンウェーハの品質を評価する方法。弗酸処理を施した複数のシリコンウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下に保管し、前記保管された複数のシリコンウェーハを順次、前記測定に付す。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶中の不純物窒素濃度を高精度に求めるためのシリコン結晶内窒素濃度評価用係数の決定方法を提供する。
【解決手段】 窒素濃度の異なる複数のシリコン結晶を準備する。シリコン結晶の各々を、第１の温度まで加熱して、結晶内欠陥反応を準熱平衡状態まで至らしめ、シリコン結晶の各々について、準熱平衡状態における結晶内欠陥濃度を維持した状態で赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペアに起因する第１の吸収ピーク強度及びＮＮＯ複合体に起因する第２の吸収ピーク強度を求める。シリコン結晶の各々について、第１のピーク強度から求められた吸収係数に第１の換算係数を乗ずることによって、ＮＮペアの密度を求める。それぞれの窒素濃度から、ＮＮペアの密度を滅ずることにより、ＮＮＯ複合体の密度を求める。複数のシリコン結晶の第２の吸収ピーク強度から求められた吸収係数とＮＮＯ複合体の密度とから、両者の関係を求める。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの周辺部の分析面積を拡大しないようにして、シリコンウェーハ周辺部を必要な範囲に限定して分析でき、しかもシリコンウェーハ周辺部を表面から数十nｍ〜数μｍの深さで複数回エッチングすることによって、シリコンウェーハ周辺部の深さ方向の分析も行うことが出来るようにしたシリコンウェーハ周辺部の分析方法を得ようとすることである。
【解決手段】シリコンウェーハ周辺部のエッチングを１回または複数回行ってこの部分を分析する方法であって、シリコンウェーハの周辺部のエッチングを行う前或いは複数回行うエッチングの間に、シリコンウェーハ周辺部にフッ酸蒸気を吹き付けてシリコンウェーハ周面の酸化膜を分解してこの部分を疎水性とし、その後、シリコンウェーハの周辺部表層をエッチング液に一回または複数回浸漬してその都度エッチング液を回収し、このエッチング液を高周波誘導結合プラズマ質量分析装置又は原子吸光分析装置で分析してシリコンウェーハの周辺部の所定の範囲の深さ方向の不純物濃度を分析するシリコンウェーハ周辺部の分析方法である。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入量に制限されることなく、半導体ウエハ面内の詳細なイオン注入量分布を評価する。
【解決手段】 ウエハ２の主表面全体に、同じ不純物濃度をもつ複数の評価用トランジスタ形成領域４が等密度に分布して配置されているウエハを用い、ウエハ２の評価用トランジスタ形成領域４に評価対象となるイオン注入としてしきい値電圧制御用不純物注入を行ない（（Ａ）参照）、各評価用トランジスタ形成領域４に同じ構造の評価用トランジスタを形成し（（Ｂ）から（Ｄ）参照）、各評価用トランジスタのしきい値電圧を測定し、評価用トランジスタのしきい値電圧分布に基づいてウエハの主表面内の不純物濃度分布を評価する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入において意図せずに打ち込まれた不純物の量（濃度）を容易な処理により短時間で適切に検査することのできる検査方法を提供する。
【解決手段】本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量（注入量）を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量（イオン注入条件）でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量（濃度）を検出する。次に、先に求めたドーズ量と注入量との関係に基づいて、分析値（注入量）をドーズ量に換算し、イオン注入条件としてのドーズ量という指標において、本来のイオン注入元素であるアンチモンのドーズ量と、意図せずに注入された砒素のドーズ量の比率を検出し、これが許容範囲か否か検出する。
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【課題】 半導体素子の物性値や挙動を高い精度で評価する。
【解決手段】 半導体素子Ｓは、第１電極４１と有機材料からなる半導体層４６とが絶縁
層４４を挟んで対向する構造を有する。計測装置Ｄ2は、第１電極４１と半導体層４６に
形成された第２電極４２との間に印加される電圧Ｖ_Gと、第１電極４１と第２電極４２と
の間の容量値Ｃ_MIS0との関係を実測する。制御装置２１は、Ｃ-Ｖ論理式によって表現さ
れる特性が計測装置Ｄ2による計測の結果に近づくようにＣ-Ｖ論理式の各パラメータを決
定することによって半導体素子Ｓの特性を評価する。このＣ-Ｖ論理式は、電圧Ｖ_Gと容量
値Ｃ_MIS1との関係を表す演算式であり、半導体層４６の容量値Ｃ_seと抵抗値Ｒ_seとをパラ
メータとして含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの表層全体のドーパント汚染量を非接触、非破壊で、しかも正確に求めることが可能な半導体ウエーハのドーパント汚染の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハのドーパント汚染の評価方法であって、半導体ウエーハのバルク部の抵抗率を渦電流法により測定し、前記半導体ウエーハの表層の抵抗率を表面光電圧法により測定し、前記渦電流法により測定したバルク部の抵抗率の値と表面光電圧法により測定した表層の抵抗率の値の差から、前記半導体ウエーハのドーパント汚染量を求めることを特徴とする半導体ウエーハのドーパント汚染の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体中の個々の不純物原子を検出して、その位置を特定し、その不純物の種類を判別し、さらにある特定の領域内に含まれるアクセプターおよびドナー不純物原子の数をそれぞれ区別して数え上げることによって不純物濃度の測定を行う方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 被測定対象物である半導体表面を走査型トンネル顕微鏡(STM)で観察する際に、探針を基準として半導体に正の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像と、探針を基準として半導体に負の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像とを比較することにより、半導体中の不純物原子を検出することを特徴とする半導体不純物原子検出方法である。 （もっと読む）

サンプルの表面上の欠陥又は汚染を識別する方法及び装置に関する。本システムは、振動形の接触電位差（ｖＣＰＤ）と非振動形の接触電位差（ｎｖＣＰＤ）との両方を用いて、表面全体の仕事関数の変化を検出するように動作する。本システムは、サンプルの全体にわたって仕事関数の変動を映像化するために、非振動形の接触電位差（ｎｖＣＰＤ）センサを利用する。データは、サンプルの表面の全体にわたって仕事関数（又は形状もしくは表面の電圧）の変化を示すために微分形式である。ｖＣＰＤプローブは、サンプルの表面上の特定の点の絶対的なＣＰＤデータを測定するために使用される。振動形及び非振動形のＣＰＤ測定モードを組み合わせることにより、サンプル全体の均一性を迅速にイメージングし、１つ以上の点において絶対的な仕事関数を検出することが可能になる。
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【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）