【課題】 簡易な構造と方法とで測定精度をより向上させることのできる基板処理装置と基板処理方法とを提供しようとする。
【解決手段】
従来の本発明に係る基板を検査するために基板に液滴を付着させて移動させる基板処理装置にかわって、基板の面に付着した液滴に上方から接することをできる接触部を持つ保持治具と、保持治具を基板の面の上で相対移動させることをできる移動機構と、上下方向に長尺な部材であり下部開口から上部開口に向かって拡がる断面を持った空間を設けられたノズルと上部開口に連通される吐出口を持つシリンダとピストンとを有する液滴取り扱い機構と、を備え、移動機構が基板の面に付着した液滴に接触部を上側から接した保持治具を基板の面に沿って移動させた後で、移動機構が保持治具を所定の位置で上方へ移動させてから、中空空間を空にしたノズルの下部開口を所定の位置の面の近傍に位置させてピストンを直動させる、ものとした。 （もっと読む）

【課題】 １枚のシリコンウェーハであっても全部を分解した後、短時間で濃縮し、かつ、確実に不純物を回収し得るシリコンウェーハの不純物分析方法の提供。
【解決手段】 １枚のシリコンウェーハの全部又は一部分を、過酸化水素水と硫酸との混酸に浸漬した後、直ちにフッ化水素酸と硝酸との混酸の加熱によって発生する蒸気により溶解し、得られた溶液を加熱濃縮して高周波誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。 （もっと読む）

【課題】 １枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度、かつ、短時間に分析し得るシリコンウェーハの不純物分析方法の提供。
【解決手段】 密閉空間に水平にセットした１枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。 （もっと読む）

本発明は、円形のウェーハ１０の表面Ａを、一定の面積Ａ／Ｈを有する複数Ｎの同心リングに分割し、各リング上に少なくとも１つの測定ポイントＰ_nを配置して当該ウェーハを測定する方法に関する。各リングの外側半径Ｒ_nは、式Ｒ_n＝Ｒ_N（ｎ／Ｎ）^1/2に基づいて計算される。式中ｎは１からＮまで変化する。こうして、ウェーハの中心から離れるに従って幅狭となる複数のリングを得ることができる。これにより、ウェーハの端に向うにつれて互いに近づく測定ポイントが得られ、測定のためのウェーハの実用ゾーン１１だけをカバーして環状の除外ゾーン１２内で測定が行われないことが保証される。
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【課題】 基板表面上における液滴保持性が高く、不純物の回収が可能な試料の範囲を拡げることが可能な液滴保持具及び不純物回収方法を提供する。
【解決手段】 管状の形状を有し、少なくとも一端に開口面積が４０ｍｍ^２以下である開口部を有し、かつこの一端の端面にテーパ３０２が設けられており、耐酸性かつ撥水性を有するフッ素系樹脂から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】口径の異なるインゴットに対しても複雑な光学系の調整が不要で、インゴットのフォトルミネッセンススペクトルの分布を求め得る半導体の特性評価装置を提供する。
【解決手段】インゴット１の半導体結晶を保持するインゴット保持機構６と、ウェハ９の半導体結晶を保持するウェハ保持機構９とを備え、インゴット保持機構６とウェハ保持機構９とが交換可能に設けられる。インゴット１の口径が異なっても半導体結晶への励起光としてのレーザ光の照射及びフォトルミネッセンス光ＰＬ１の集光を行う光学系の調整をしないでインゴット１を保持できる。半導体インゴットやウェハのキャリア濃度やその一次元及び二次元の分布測定を、容易に、高速で、かつ、高精度で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】容器の構造を複雑化させずに、シリコン基板の分解速度を高めることができる処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、シリコン基板２１を分解するものであり、内部にシリコン基板２１と、分解液２２とが充填される容器１１を備える。この容器１１には孔１１３が形成されており、容器１１内部の気体は孔１１３を介して、外部に排出される。従って、容器１１からは、シリコン基板２１の分解反応に伴って発生する副生成ガスである二酸化窒素や、ＳｉＦ_４が排出されることとなり、シリコン基板の分解速度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物の分析精度の低下を防止することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部にシリコン基板２１と、分解液２２とが充填される容器１１と、加熱部１２とを備える。容器１１は、上面部が開口した直方体形状の容器本体１１１と、容器本体１１１の前記開口を塞ぐ蓋材１１２とを有し、蓋材１１２の上部には加熱部１２が設置される。また、容器本体１１１の下面部１１１Ａの下方にも加熱部１２が設置される。容器１１の蓋材１１２上に加熱部１２が設置されているので、分解液２２の蒸気が蓋材１１２の裏面で結露することを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの表面及び内部のほぼ全ての不純物を、非破壊で、簡単に、穏和な条件下で、短時間に抽出除去する方法を提供する。また、抽出された不純物を定量分析する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハを、希薄酸水溶液からなる抽出液に浸漬し、この抽出液を加熱してシリコンウェハの不純物を抽出液中に抽出する。 （もっと読む）

【課題】 面取り部以外の不純物を薬液中に混入させないようにして面取り部の汚染度合いの分析、評価を精度よく行えるようにする。表面平坦部のすべての範囲について漏れなく薬液を回収して表面平坦部の汚染度合いの分析、評価を精度よく行えるようにする。
【解決手段】半導体ウェーハ１０の表面平坦部１１のうち、面取り部１５との境界領域に接触できる位置に、薬液４０の半径方向位置（薬液中心のウェーハ中心からの距離）が位置決めされ、周方向ωに走査され、不純物を含む薬液４０が回収される。つぎに半導体ウェーハ１０の面取り部１５と境界領域１１ａとの両方に接触できる位置に、薬液４０の半径方向位置が位置決めされ、周方向ωに走査され、不純物を含む薬液４０が回収される。液滴保治具３０は、たとえば半導体ウェーハ１０の周上の所望の開始点から終了点に至るまで周方向に相対回転される。 （もっと読む）

基板検査装置を、基板を保持面で保持して回転させる基板回転機器と、ベースに回転自在に支持されたディスク本体と該ディスク本体の上側に固定され回転方向へ傾斜した傾斜面で構成されたカム面を形成する３個のリフトカムとを有するディスクと、基板を乗せる支持面を持ち上下方向に移動自在に案内されたリフタ本体と該リフター本本の下側へ突起して各々固定されたリフター従動節とを有するリフターと、を備え、前記リフ
ター従動節の下側が前記カム面に摺動自在に各々の接触点で当接し、前記接触点が前記傾斜面の上側に移動すると前記支持面が前記保持面よりも高くなる、ものとした。この構成により、測定精度をより向上させることのできる基板検査装置と基板検査方法、及び基板の外面に液滴を付着させて外面に沿って移動させるのに好適な基板検査装置と基板検査方法と回収治具とを提供できる。 （もっと読む）