研磨および洗浄などのウエハプロセシング操作の間に与えられる金属汚染物混入の量をモニタリングするための方法を開示する。当該方法は、シリコン−オン−インシュレータ構造を半導体プロセスに供する工程、前記構造に金属汚染物質を析出させる工程、および前記金属汚染物質をデリニエーションする工程を含む。
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半導体ウエハ（Ｗ）などの基板に付着する汚染物質の量を、ウエハを容器内の水と接触させた後に予測する方法について記載する。汚染物質は、ウエハの特性に悪影響を与える物質を含んでいてもよく、このとき、ウエハの表面に付着する汚染物質の量は既知のシステムの検出限界レベル未満の量であってもよい。当該方法は、第１の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程と、前記ウエハを乾燥させる工程と、前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程と、第１の期間よりも短い第２の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着する汚染物質の量を予測する工程とを含む。
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【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊かつ簡便に、所望の電気特性を得るために最適なキャリア濃
度にドーピングできるドーピング装置、並びにドーピング方法、それを用いる薄膜トラン
ジスタの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにお
けるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによ
って、特性を制御する。また、本発明により、ｉｎ−ｓｉｔｕで特性をモニタすることを
よって、情報を時々刻々取得し、時間遅延なくフィードバックできる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、反応試薬（混酸）の少量化とエッチングの面内均一性確保の両立ができ、高精度で高感度なシリコンウェーハの評価方法を提供することにある。
【解決手段】 シリコンウェーハ表層を混酸を用いてエッチングする工程と、該混酸によるエッチング後の残渣物を回収薬液を用いて回収する工程と、該回収した溶液を用いて前記シリコンウェーハ表層の不純物濃度を測定する工程とを含むシリコンウェーハの評価方法であって、混酸によるシリコンウェーハ表層のエッチング工程を、混酸を噴霧する混酸噴霧手段を、シリコンウェーハの表面に対し平行方向に移動させながら、混酸をシリコンウェーハ表面に噴霧することで行い、残渣物の回収工程を、シリコンウェーハ表面に回収薬液を液滴して、液滴した回収薬液とともにエッチング後の残渣物を回収することで行うことを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。
【解決手段】半導体試料５２にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で半導体試料５２にプローブ光を照射し、半導体試料５２から反射されたプローブ光を時間分解測定して生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定し（ステップＳ１００）、測定した減衰定数と、半導体試料５２と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して半導体試料５２のキャリア極性を判定し（ステップＳ１１０）、測定した光学フォノンの周波数を、半導体試料５２と同じ元素からなると共に同じキャリア極性を有する半導体における光学フォノンの周波数とキャリア濃度との関係を定めた検量線に適用することにより、半導体試料５２のキャリア濃度を導出する（ステップＳ１２０）。 （もっと読む）

材料内のイオン注入ドーズ量を測定するための方法及び装置は、(ｉ)材料の注入面による反射スペクトルを測定する工程、ここで注入面は注入面から材料内のある深さまでの材料層及びこの材料層の下の脆弱層を形成するためにイオン注入プロセスにかけられている、(ii)反射スペクトル強度値を注入面への入射光のそれぞれの波長の関数として格納する工程、及び(iii)入射光の少なくとも２つの波長における少なくとも２つの対応する反射スペクトル強度値の比較に基づいてイオン注入プロセス中に用いられたイオン注入ドーズ量を計算する工程を含む。
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【課題】シリコン中に含まれる炭素濃度の測定を迅速且つ簡便に行うことが可能な方法を提供する。
【解決手段】シリコン試料１００質量部に対して銅５０〜２５０質量部を添加して測定試料を調製し、該測定試料を酸素雰囲気下にて溶融、燃焼させ、発生する二酸化炭素を赤外吸収分光法により測定することを特徴とするシリコン試料中の炭素濃度の測定方法である。前記測定試料には、さらにタングステン、錫及び鉄からなる群から選択される１種以上の金属を添加することが好ましく、また、前記シリコン試料には、６００℃以上で加熱処理を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピ層の形成を行う際に、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも１種類をドーズ量１×１０^１４〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入し、エピ層は枚葉式エピタキシャル装置を用いて１０８０℃以上の温度で形成し、イオン注入後からエピ層形成前の何れかの段階でシリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、またはエピ層形成後に一部抜き取りによりエピ層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型半導体ウェハの面内抵抗率の測定を安定させ、この測定による信頼性を向上させることができるＮ型半導体ウェハの抵抗率測定方法を提供すること。
【解決手段】ウェハに対して紫外線照射を行い、ウェハの表面に厚みが１ｎｍ以上の酸化膜を形成する。次に、酸化膜が形成されたウェハに対してコロナ放電を行う。そして、コロナ放電により熱平衡状態となったウェハに対して光源から光を照射する。次に、測定プローブにより、ウェハの表面近傍に形成された空乏層によって検出可能となったΔＶ_ｓを検出する。そして、このΔＶ_ｓから空乏層の幅を算出し、空乏層の幅からキャリア濃度を算出し、さらに、キャリア濃度から抵抗率へ換算する。 （もっと読む）

非ファラデーカップ型イオンドーズ量測定装置であり、この測定装置はプラズマプラズマプロセスチャンバ内に設置され、チャンバ内のワークピースの上方に位置するセンサを含む。センサはプロセス注入プロセスに曝されるワークピースの表面から放出される二次電子の数を検出するように構成される。センサは検出された二次電子に比例する電流信号を出力する。電流回路がセンサから発生された検出二次電子電流を引き出し、この電流をチャンバ内でワークピースに供給されるバイアス電流から差し引く。両電流の差が注入プロセス中に源位置で計算されるイオンドーズ量電流の測定値を提供する。
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【課題】半導体基板特性に悪影響を与える金属不純物を簡便かつ高精度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板中の金属汚染評価方法。半導体基板にリン拡散熱処理を施し、該基板の表裏面の少なくとも一方の表層部にリン含有領域を形成すること、上記リン含有領域を、該リン含有領域を溶解可能な溶液と接触させることにより溶解すること、および、上記リン含有領域を溶解した溶液中の金属成分を分析すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与える金属不純物を簡便かつ高精度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板の表裏面の一方に粗面化領域を形成すること、上記粗面化領域形成後の半導体基板を加熱処理すること、および上記粗面化領域上に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析すること、を含む半導体基板の金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】デバイスウエーハ、特には撮像素子デバイスウエーハの特性悪化による歩留りを大幅に向上させることが可能なＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供する。また、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をＤＬＴＳ法によって評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であって、前記ＤＬＴＳ法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度を評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳにおける積層膜の深さ方向測定時に積層膜界面の帯電による強度低下を利用し薄膜トランジスタの特性を予測する方法を提供。
【解決手段】薄膜トランジスタの積層構造と同じ積層構造で、それぞれ、オン電流が異なる複数の試料に対し、表面帯電状態を非中和にした状態で１次イオン照射し飛散した２次イオンにより深さ方向プロファイルを作成する第１工程と、プロファイルに基づいてシリコンの２次イオン強度の低下率を求める第２工程と、２次イオン強度の低下率とオン電流低下度の相関曲線を作成する第３工程と、第１及び第２工程の手順により半導体層界面前後におけるシリコンの２次イオン強度の低下率を求める第４工程（Ｓ２，Ｓ５）と、第４工程において求められた試料の２次イオン強度の低下率を、シリコンの２次イオン強度の低下率とオン電流低下度の相関曲線に照らして試料のオン電流低下度を求める（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ検査における評価の安定性・再現性向上を図る。
【解決手段】上部及び下部電極１０，１２を有する銅の析出装置内に、表面絶縁膜３４を形成したウェーハ３０を装着して、析出装置内に銅イオンを含むメタノール溶液Ｍを注入し、上部及び下部電極１０，１２に外部電圧を印加し、ウェーハ３０の欠陥部位３５上に銅を析出させる銅析出法において、
メタノール溶液Ｍの上部電極１２−下部電極１０間における抵抗値Ｒｍを所定の値に設定した状態で銅析出処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】ウエハ外周部のみに液体を精度良く接触させることができる回収治具と、当該回収治具を備えることによって、ウエハ外周部の汚染物を簡易に効率良く回収することができる汚染物回収装置とを提供する。
【解決手段】本発明の汚染物回収装置に設けられた回収治具３０は、回収本体３１と制御手段３２とを備えている。制御手段３２は、回収本体３１の上部に螺着することで、液体を貯留した、回収本体３１の貯留部３４を密閉することができる。これにより、貯留部３４に貯留された液体を外部に露出するための、回収本体３１の貫通部３５に、ウエハを挿入した際、ウエハの外周部端面のみ液体を接触させることができる。 （もっと読む）

【課題】表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発振器１からイオン注入物である試料６に対しマイクロ波波を照射し，励起レーザ光源１２から，試料６に対する浸透長がその試料６におけるイオン注入深さよりも短く，かつ試料６のバンドキャップ以上のエネルギーを有する励起光を試料６に照射し，励起光の照射により変化する，試料６からの反射マイクロ波の強度をミキサ１０により検出し，その検出強度の信号からロックインアンプ１５により光励起キャリアのライフタイムの指標値を検出し，その指標値から計算機１６によりイオン注入量を算出する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上に非検知元素よりなる疎水性膜２を設けた、液滴状分析試料の乾固を行う全反射蛍光Ｘ線分析用試料板の改良により、空実験でＳｉピークを確実に消滅させ、気相分解法と全反射蛍光Ｘ線分析を組み合わせる高感度化手法において、Ｓｉとエレルギー値の近いＰ，Ａｌ，Ｍｇ等も高感度化させる。
【解決手段】Ｓｉの特性Ｘ線が発生するのは、膜２の表面４で全反射するＸ線５が表面下８まで侵入し、この領域には微小欠陥群が存在してＸ線の散乱９が起こり膜界面のシリコンが励起する為と考え、試料板の試料乾固域の下方に十分の広さのシリコン欠如部分（凹部）を設けて、散乱Ｘ線９がシリコンと遭遇しないようにした。凹部の天井の乾固用膜は十分に薄く出来て不純物の絶対量が減るので、Ｓｉピークの消滅と同時に分析対象元素全般の空試験値も低減させ得る。 （もっと読む）

非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板（１２）を保持するように適合されたウエハキャリア（１０）と、材料特性評価装置（２０）、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板（１２）を含むウエハキャリア（１０）の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。
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