多点プローブ(multi-point)を用いて多重測定を行うことによって、非導電性エリアと、導電性または半導電性のテストエリアとを備えたテストサンプルの電気的特性を取得する方法。該方法は、テストエリアを垂直に通過する磁力線を有する磁界を供給するステップと、プローブをテストエリアの第１位置に運んで、プローブの導電チップをテストエリアと接触させるステップと、非導電性エリアとテストエリアの間にある境界に対する各チップの位置を決定するステップと、チップ間の距離を決定するステップと、チップの間に位置決めされ、テストサンプルでの電圧を決定するために用いられる電流ソースとなる１つのチップを選択するステップと、第１の測定を行うステップと、プローブを移動させるステップと、第２の測定を行うステップと、第１の測定および第２の測定に基づいて、テストエリアの電気的特性を計算するステップとを含む。
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【課題】ＴＺＤＢ法やＴＤＤＢ法を用いるＧＯＩ評価法は、半導体シリコンウェーハ主表面に存在するＣＯＰの評価に関しては非常に高感度であるが、金属不純物に対しては、不明瞭な点が多く、ＴＺＤＢ法やＴＤＤＢ法による評価を行っても、不良と判断できる絶縁破壊が起こらないことがあるため、欠陥に対する感度が十分ではなく、ＧＯＩによって評価を行うことが出来なかった。
【解決手段】少なくとも、半導体シリコンウェーハに酸化膜を形成した後、前記酸化膜の表面に電極を形成してＭＯＳキャパシタを作製した後に、該ＭＯＳキャパシタのＧＯＩ（Ｇａｔｅ Ｏｘｉｄｅ Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）電気特性評価を行うシリコンウェーハの評価方法において、前記酸化膜の形成を、８００℃以下で行うことを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板分解後の残渣も含む分解液を簡便かつ効率的に得ることができ、高精度の不純物分析を行うことが可能な基板の分解方法、基板の評価方法および基板分解装置の提供。
【解決手段】基板２を保持する基板保持部４と、基板２を分解する分解用溶液３を収容する溶液収容部１ａと、基板２を分解した分解液を回収する分解液回収部６と、これらを密閉する密閉系容器１と、分解用溶液３を加熱して蒸発させる溶液加熱機構１１と、溶液加熱機構１１により蒸発させた分解用溶液の蒸気７を冷却して液滴を生成させる冷却機構９とを備えた基板分解装置を用いて、基板２を分解する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハのバルク中の不純物金属を効率的に半導体ウェハ表面に析出させることのできる半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法を提供すること。
【解決手段】紫外線照射ランプ２により半導体ウェハＷ３表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハＷ３をホットプレート１により裏面側から加熱し、半導体ウェハＷ３のバルク中の不純物金属Ｃｕを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。 （もっと読む）

【課題】短時間で安定したシート抵抗値の測定結果を得ることができるモニタウエハ、及びモニタウエハを提供する。
【解決手段】モニタウエハに酸化膜（ＳｉＯ_２）を形成する。酸化膜が形成されたモニタウエハに対してｐ型不純物のイオン注入を行うことで、酸化膜の内側にｐウェルを形成する。次に、熱処理をすることでｐ型不純物を内部に拡散させ、ｐウェルを活性化する。酸化膜の除去後すぐに、アンモニア（ＮＨ_３）水と、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）水と、水とが混合された薬液を用いたウエット処理を施して、酸化膜を強制的に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体部分の表面状態を非破壊で評価できる半導体試料の評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２及び金属層３を有する半導体装置１の評価において、ケルビンプローブフォース顕微鏡（ＫＦＭ）の同一のカンチレバー６を使用して半導体層２の表面電位及び金属層３の表面電位を測定する。そして、これらの表面電位の電位差ΔＶを算出する。これにより、測定環境及びカンチレバーの状態などの影響を受けることなく、半導体層２の表面電位を安定して評価することができる。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハ上に異なるトランジスタ特性を有するサンプルウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ１０上の所定領域に高濃度のＮ型不純物が注入されたチャネル領域３３、低濃度のＮ型不純物が注入されたチャネル領域３４、高濃度のＰ型不純物が注入されたチャネル領域３１、低濃度のＰ型不純物が注入されたチャネル領域３２を形成することで、チャネル領域３２及びチャネル領域３３が形成された第１領域Ａ１と、チャネル領域３２及びチャネル領域３４が形成された第２領域Ａ２と、チャネル領域３２及びチャネル領域３３が形成された第３領域Ａ３と、チャネル領域３１及びチャネル領域３３が形成された第４領域Ａ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの電気的特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ厚さ２０μｍ以下の樹脂基材と、該基材の一方の面に接着性層を有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１枚の半導体ウエハで、半導体ウエハの表裏両面に付着している金属不純物を収集することを目的とする。
【解決手段】基板面に処理液を滴下し、処理液を回収することにより、基板面に付着している不純物を収集する基板処理装置であって、基板の第１の面を上方に向けて基板が載置される固定部と、基板に処理液を滴下する滴下部と、基板の第１の面を吸着し、基板を上方から保持する保持部と、保持部を垂直面で回転し、基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける回転部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】イオン注入量が比較的少なく、イオン注入深さもごく浅い場合でも、イオン注入量を高い精度で求める。
【解決手段】それぞれ異なる複数の材質が積層されて構成されており、前記イオンが注入される最表面層の材質をウエットエッチングすることが可能な薬液に対し、前記複数の材質のうち前記最表面層の材質以外の材質が耐性を有する対象基板を用意し、前記薬液を用いて前記最表面層を選択的にエッチングし、注入された前記イオンを含む前記最表面層の成分が混入したエッチング後薬液を回収し、原子吸光分析または誘導結合プラズマ質量分析のいずれかによって、前記対象基板へ注入されたイオンの量として、回収した前記エッチング後薬液に含まれる前記イオンの量を測定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の拡散層のドーパントプロファイルや電流パスを評価解析する必要があるが、簡単に解析できる解析装置や解析方法がないという問題がある。
【解決手段】 電子線を用いた顕微鏡にプローブと半導体素子に印加する電圧源を追加する。評価半導体素子用の半導体素子に電位を印加して実動作状態とし、電子線を走査して２次電子像を得る。半導体素子は電位を印加され電位コントラストを持つことから、２次電子像は電位コントラストを持った拡散層のドーパントプロファイルや電流パスを示す像となる。電位コントラストを持つ２次電子像から直接拡散層のドーパントプロファイルや電流パスの可能像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層、特には低抵抗のエピタキシャル層の抵抗率測定にあたって、ドーパント濃度を高精度に測定することが可能であり、繰り返し精度も高いドーパント濃度や抵抗率の測定方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に形成され、該シリコン基板と同じ導電型を有するエピタキシャル層のドーパント濃度をＣ−Ｖ法により測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法であって、少なくとも、前記エピタキシャル層上に直径１．５ｍｍ以下の電極を形成し、該電極を用いてＣ−Ｖ特性を求めてドーパント濃度を測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】多くの基準となる板状部材の膜厚とパラメータとの関係を用いなくても広い範囲の膜厚測定が可能となる膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供することである。
【解決手段】板状部材に含まれる膜層の厚さを測定する膜厚測定方法及び装置であって、前記板状部材の面に対して透過可能な検査光を、その波長を所定範囲にわたって変化させつつ照射し、照射される各波長の検査光が前記板状部材を透過して出てくる透過光の強度を検出し、前記検査光の各波長とその透過光の強度との関係を表す特性曲線における極大点及び極小点に基づいて注目波長を決定し、前記決定された注目波長から前記膜層の厚さを算出するようにした膜厚測定方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】占有面積を小さくすることができ、かつ検査時間を短くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の不純物導入処理を行うことにより、第１のチャネル領域８ａに位置する半導体基板１に不純物を導入し、かつスクライブラインに位置する半導体基板１に第１の検査用抵抗パターン１８ａを形成する工程と、第１の不純物導入処理とは異なる不純物濃度で第２の不純物導入処理を行うことにより、第２のチャネル領域８ｂに位置する前記半導体基板１に不純物を導入し、かつスクライブラインに位置する半導体基板１に第２の検査用抵抗パターン１８ｂを形成する工程と、第１の検査用抵抗パターン１８ａ及び第２の検査用抵抗パターン１８ｂを並列に接続する配線パターン１２ｃを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な工程で、完成品のばらつきをより抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。次に、不純物領域５ｐの抵抗値を測定する。次に、素子形成領域１５０の表面内に第二のソース・ドレイン領域７を形成する。ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。 （もっと読む）

【課題】光学ウェハ検査装置に関し、ウェハの回転、及び、ウェハの中心から外周縁までの半径方向の移動を組み合わせたプローブ光の走査機構に簡単な改良を加えることで、プローブ光がウェハを透過することを可能にした構成を実現し、ウェハの厚さ方向全域の検査を行うことを可能にして多くの情報を取得しようとする。
【解決手段】ウェハ１３の材料特性を光学的に検査する装置で、プローブ光１２がウェハ１３を透過可能なように外周縁近傍のみを支持し且つウェハ１３を回転させる機構と、プローブ光１２のウェハ１３への入射角を変える為に傾斜させる機構２２と、ウェハ１３の中心から外周縁までを半径方向にプローブ光１２で走査する為にウェハ１３を移動する機構と、ウェハ１３の一面側からプローブ光１２を入射させる光源１１とウェハ１３を透過して他面側から出射さる透過光１４を検出する検出器１６をもつ光学系とを備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板標準サンプルについてＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定によるイオン強度比と表面不純物濃度をそれぞれ測定して予め両者間の検量線を作成しておき、未知の半導体基板についてＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定によるイオン強度比を求め、上記検量線から当該未知の半導体基板の不純物濃度を定量することができるようにした半導体基板表面の不純物定量方法を提供する。
【解決手段】
不純物をドープすることによって不純物濃度の異なるエピタキシャル層を成長させて半導体基板標準サンプルを作製し、前記半導体基板標準サンプルについてＴＯＦ−ＳＩＭＳによりイオン強度比を測定し、前記不純物濃度とイオン強度比の測定値のグラフを描いて両者間の検量線を作成し、未知の半導体基板表面のＴＯＦ−ＳＩＭＳのイオン強度比を測定することによりその不純物濃度を前記検量線を用いることによって定量するようにした。 （もっと読む）

【課題】 イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。
【解決手段】 少なくとも一種類の層が同位体層３からなる複数の薄膜層を交互に周期的に積層した試料１に対してイオン５を照射して、照射したイオン５による前記試料１を構成する原子に対する影響を評価する。 （もっと読む）

【課題】 立体的形状を有するシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を、その部位によって区別して把握することが可能な窒素濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】 被測定基板表面に形成されたシリコン酸化膜を窒化処理して得られたシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を測定する窒素濃度の測定方法であって、シリコン酸窒化膜が形成された被測定基板を再酸化処理し、その再酸化レート減少率ＲＯＲＲを算出して検量線と照合することにより、被測定基板のシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を決定する、窒素濃度の測定方法。 （もっと読む）