【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】設計データを用いた自動レシピ生成の方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】コンピュータが設計データに基づいて製造ツールのレシピを作成する。コンピュータは、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含む、設計データを取得する。コンピュータは、関心のある１つ又はそれ以上の基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成する。コンピュータは、単純アレイセルの組を用いて、関心のあるレベルの座標において周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にする。周期的領域は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上を検査装置により検出した欠陥座標の観察と，ユーザにより指定された座標の検査を行う場合に，スループットの低下しない欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と検査結果から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標と、前記危険点座標と前記欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージし、マージした座標の検査順序を決定し、マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】回路設計データ１１６０から検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する（１１９２）。作成された形状群３０２と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】短い検査時間で検査対象の欠陥を検出することを課題とする。
【解決手段】ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する設定部３２と、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出する検査部３４と、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部３４が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する判定部３６と、を具備する欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】自動検査、特に、製造欠陥の解析の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】欠陥解析方法は、検査パラメータ値のそれぞれの範囲によって特徴付けられる複数の欠陥部類に対する単一部類分類子を識別する段階を含む。各単一部類分類子は、それぞれの部類に対して、検査パラメータ値に基づいてそれぞれの部類に属する欠陥を識別し、一方でそれぞれの部類に入っていない欠陥を未知欠陥として識別するように構成される。検査パラメータ値に基づいて複数の欠陥部類のうちの１つに各欠陥を割り当てるように構成された多重部類分類子が識別される。検査データが受信され、欠陥を欠陥部類のうちの１つに割り当てるために、単一部類及び多重部類分類子の両方が適用される。 （もっと読む）

【課題】 被検査画像から微小欠陥を検出するとともに、当該欠陥の色の違いを識別することができる外観検査装置および外観検査方法。
【解決手段】 被検査基板を撮像部３０で撮像することで被検査画像を取得する。被検査画像に対して微分処理部４１２は水平方向に微分演算処理を行う。そして、微分処理部４１２は、水平方向の微分処理結果に対して、さらに垂直方向に微分演算処理を行い欠陥候補検出画像４２３を生成する。欠陥検出部４０３が欠陥候補検出画像４２３中の欠陥候補と、欠陥候補が示す特徴を記録した欠陥識別情報４２８とを比較することで、欠陥を検出するとともに、検出された欠陥が白欠陥であるか黒欠陥であるか識別することができる。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】欠陥ファイルに登録された欠陥の位置情報を用いてファインアライメントを実行する機能を備えた観察装置において、ファインアライメント補正を正確なものとし、レビューのために要するユーザの工数を低減する。
【解決手段】レビュー装置が検出した欠陥のステージ位置から、そのステージ位置に近い欠陥候補を検査装置が提供する欠陥情報（欠陥種別，欠陥画像，欠陥サイズ）とともに一覧表示し、ファインアライメント補正に使用する欠陥を選択できるようにする。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】基板縁部の状態を簡単に早く検出することが出来る基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、表面に膜を塗布した基板Ｗを保持し回転する回転テーブル５と、基板Ｗに光を照射する光照射手段２と、光照射手段２による基板Ｗ表面からの正反射光を受光し、撮像画像の信号出力する光電変換手段４と、を備える。そして、基板Ｗの回転中心を含んで回転中心から半径方向の一走査分の電気信号の回転手段一周分の検出値を加算して二次元画像を生成し、二次元画像の一方向に沿って設定された判定バンドから変化点を判断する。したがって、基板Ｗ上においてＥＢＲ線の良否を簡単に判断することができ、処理効率の良い検査が可能になる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】安価な構成により、外観検査の検査精度を向上する。
【解決手段】ウェーハ外観検査装置１は、同一の基板に複数の半導体装置が形成されているウェーハを搬送し、半導体装置を検査位置に移動させるプローバ装置１０と、検査位置の半導体装置に照明光を照射する光源部（マルチアングル照明５０）と、照明光を照射された半導体装置の画像を撮像するカメラ４０と、カメラ４０によって撮像された画像データに基づいて、半導体装置を検査する画像判定部（外観コントローラ２０）と、半導体装置のサイズに応じて半導体装置を複数の領域に分割し、分割した複数の領域に対応してカメラ４０に撮像させる検査位置に、ウェーハを順次移動させる制御部（ＰＣ３０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における光の照射位置に微小な凹凸が形成されている場合でも、この凹凸の影響を排除しつつ、予め規定された高さ以上の異物欠陥が対象物の表面上に存在するか否かを判定する。
【解決手段】表面欠陥検査装置１０は、ウェハ２６の表面に斜方から光を照射するラインレーザ１４と、ウェハ２６の表面におけるラインレーザ光２８の照射位置Ｐ２よりもラインレーザ１４側の位置であってウェハ２６の表面から予め規定された高さ離間した規定高さ位置Ｐ１において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第一ラインカメラ１６と、照射位置Ｐ２において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第二ラインカメラ１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。
【解決手段】
基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程Ｓ１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】回折構造体の測定パラメータモデルを利用する分光散乱システムおよび方法を提供する。
【解決手段】モデルの固有値を事前計算し、記憶し、ある共通の特性をもつ他の構造体に対して後に再利用する。１つ以上のパラメータの値を求めるために用いられる散乱データは、下敷フィルム特性に対して感度が低くなる波長におけるデータだけに制限することが可能である。代表的な構造体をスラブ２００’（ｉ）のスタックにスライスし、各スラブの近似を行うため四角形ブロック２１０，２１２，２１４，２１６，２１８のアレイを作成することによって三次元グレーティングに対するモデルを構築することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】限界寸法の測定、及び、製造均一性を監視する方法とシステムを提供する。
【解決手段】
限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ，ＣＤ）を測定する方法は、ダイの少なくとも１つの注目領域をスキャンして、少なくとも１つの走査像を得るステップと、走査像を少なくとも１つの設計レイアウトパターンに照準させて、走査像内の複数の境界を識別するステップと、設計レイアウトパターンに対応する特定タイプの限界寸法に関連するパターンの１つ、又は、複数の境界からそれぞれ測定される距離を平均化し、ダイの限界寸法の値を得るステップと、を含む。ダイの限界寸法の値は、相対して高いスキャン速度により得られる低解像度の走査像から得られるので、上述の方法は、受け入れ可能な検査時間内で、ウェハ全体中の各ダイの限界寸法の値を得て、半導体製造プロセスの均一性を監視することができる。 （もっと読む）

【課題】検査データと組み合わせて設計データを使用するためのさまざまな方法及びシステムが実現される。
【解決手段】設計データ空間における検査データの位置を決定するための一コンピュータ実施方法は、ウェハ上のアライメント部位に対する検査システムにより取り込まれたデータを所定のアライメント部位に対するデータにアラインさせることを含む。この方法は、さらに、設計データ空間における所定のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置を決定することを含む。それに加えて、この方法は、設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間における検査システムによりそのウェハについて取り込まれた検査データの位置を決定することを含む。一実施形態では、検査データの位置は、サブピクセル精度で決定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）