【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際に、該貼り合わせウェーハに存在するボイドを検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】２枚のウェーハを貼り合わせ、接合して貼り合わせウェーハを製造するに当たり、貼り合わせ過程における接合部と非接合部との境界が描く伝播形状に基づいて、当該貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドを検出し、貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドの有無は、実際にボイドの発生のないウェーハにおける前記伝播形状と当該貼り合わせ後のウェーハにおける伝播形状との対比にて判定し、該貼り合わせ境界の形状を二次曲線で近似して該二次曲線の頂点での曲率を求め、得られた曲率と貼り合わせ境界の位置毎に予め求められたボイドが発生しない場合の曲率とを比較して誤差を求め、得られた誤差が所定の値を超える場合には、貼り合わせウェーハにボイドが存在すると判定する。 （もっと読む）

【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー１と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う２波長赤外放射温度計２と、２波長赤外放射温度計２による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部４と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエーハのシリコン膜厚を目視により検査する方法を実現する。
【解決手段】光源から放出される赤外線に近い波長を含む可視光２をＳＯＩウエーハ１の表面４に斜めに照射し、ＳＯＩウエーハ１から反射される反射光７，８の干渉縞を目視観察することにより、シリコン膜厚を検査する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの熱処理のための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】１つの方法は、ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第１の表面の少なくとも１つの先の熱特性に応答して、第１の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第１および第２の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体加熱装置において、赤外放射温度計が、半導体加熱装置によって加熱されるウエハの温度をより正確に測定できる温度測定用ウエハ及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】半導体加熱装置１において、物体から放射される赤外線の強度を測定して温度を測定する赤外放射温度計４０を用いて、炭化珪素からなる基板２０ａと、基板２０ａの表面に形成された反射防止膜２０ｂとからなり、反射防止膜２０ｂは、炭化珪素からなり、反射防止膜２０ｂの表面粗さは、Ｒａ０．８μｍ以上である温度測定用ウエハ２０の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハー、特にそのエッジ部に生じたクラック等の欠陥を高速度でかつ確実に検出できるシリコンウエハー検査装置を提供する。
【解決手段】一対のコンベヤベルト２、３を前後に間隔４をあけて配置し、その間隔のエリアを挟んでラインセンサカメラ８および光源５を上下に対向配置し、一対のコンベヤベルトによってシリコンウエハーを順次搬送しながら、ラインセンサカメラによってシリコンウエハーの透視像を取り込み、その透視像に基づいて欠陥を検出する。ラインセンサカメラおよび光源の少なくとも一方の直前にシリコンウエハーと同じ材質のフィルター７を配置し、光源からラインセンサカメラに直接照射される光をシリコンウエハーからの透過光と同じ波長帯に制限する。 （もっと読む）

【課題】シリコン中に含まれる炭素濃度の測定を迅速且つ簡便に行うことが可能な方法を提供する。
【解決手段】シリコン試料１００質量部に対して銅５０〜２５０質量部を添加して測定試料を調製し、該測定試料を酸素雰囲気下にて溶融、燃焼させ、発生する二酸化炭素を赤外吸収分光法により測定することを特徴とするシリコン試料中の炭素濃度の測定方法である。前記測定試料には、さらにタングステン、錫及び鉄からなる群から選択される１種以上の金属を添加することが好ましく、また、前記シリコン試料には、６００℃以上で加熱処理を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】光子放出を利用して集積回路中の欠陥デバイスを検出する方法を提供する。
【解決手段】集積回路１６０の領域から放出画像（ＩＲＥＭ）を取得するステップと、集積回路の前記領域に存在する各デバイスからの放出の決定強度を提供するために、強度の値を決定するステップと、各デバイスに対応する参照強度を取得するステップと、強度が参照強度に対して描画され、曲線適合計算が実行されて計算強度と参照強度との直線関係が取得され、最大偏差が、標準偏差計算のような計算によるか、ユーザによる手動入力によって、各決定強度を対応する参照強度と比較するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周部に対する高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる半導体ウェーハの品質測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの面取り部を遮光カバーにより被い、この状態で半導体ウェーハの表面のフーリエ変換分光分析を行うので、ウェーハ外周部に照射された光は、面取り部に入射されない。その結果、ウェーハ内部での測定光の減光や検出器への測定光の迷光入射が発生せず、面取り部を除く半導体ウェーハの外周部に対して、高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながら、多様な半導体基板に対応して、高い精度でマイクロクラック等を検出することができる赤外線検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に赤外線を照射して透過した光を検出する赤外線検査装置であって、異なる波長の光を射出する複数種類の赤外線ＬＥＤを、切り替え点灯可能に備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出用のレーザーをシリコン単結晶ウエーハに入射し、結晶欠陥で散乱した散乱光を検出することにより、シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出する結晶欠陥の検出方法において、シリコン単結晶ウエーハの抵抗率が０．０５Ω・ｃｍ以下のシリコン単結晶ウエーハを用いて、シリコン単結晶ウエーハの主表面に対して直角に劈開し、欠陥検出用のレーザーを劈開面に対して斜めに入射し、劈開面からの散乱光を検出して劈開面の表面層に存在する欠陥を検出することによってシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】反射光によるウエハ表面画像と透過光によるウエハ透過画像の模様の違いを修正して、多結晶シリコンウエハの内部クラックを検出する。
【解決手段】多結晶シリコンウエハ２の反射光から得たウエハ表面画像データと多結晶シリコンウエハ２の赤外線透過光から得たウエハ透過画像データとでは結晶粒の大きさが異なる。これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。このクラック疑い画素の隣接するもの同士を連結し、そのクラック疑い画素の分布状態からクラックを検出する。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能のイメージングおよび高い時間分解能の検出をもたらす、ホット・エレクトロン光放出の時間分解測定によるＩＣデバイス・デバッグ用の商業的に実現可能な一体型システムを提供する。
【解決手段】照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系１４５、及びフォトン・センサ１５０を含む。ナビゲーション・モードでは、光源を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】膜厚をより高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】モデル化部７２１Ａは、フィッティング部７２２Ａからのパラメータ更新指令に従って第１層の膜厚ｄ_１を順次更新し、この更新後の第１層の膜厚ｄ_１に従って理論反射率を示す関数を更新する。さらに、モデル化部７２１Ａは、更新後の関数に従って、各波長における理論反射率（スペクトル）を繰返し算出する。このような手順によって、第１層の膜厚ｄ_１がフィッティングによって決定される。フィッティングが規定回数以内に収束しなかった場合には、フーリエ変換を用いて、第１層の膜厚ｄ_１が決定される。 （もっと読む）

【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、簡便に測定することにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を評価する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ^-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ^-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断する。 （もっと読む）

【課題】赤外反射法を用いて、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、前記３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層についての波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンを測定する。 （もっと読む）