【課題】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する評価方法において、長期間安定して使用可能な標準試料を用いて信頼性の高い評価を行う手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する半導体ウェーハの評価方法。表面にレーザー痕（群）が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕（群）を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】故障箇所特定の精度を低下させずに観測時間の短縮ができる故障解析装置を実現する。
【解決手段】本発明の故障解析装置は、被解析ＬＳＩ３３のチップ表面にレーザ光を照射して、被解析ＬＳＩ３３の故障箇所を特定する故障解析装置であって、分割制御情報１８に基づいて、被解析ＬＳＩ３３へのレーザ光の照射領域を任意の複数の矩形領域であるブロックに分割してブロック情報１９を生成するブロック分割制御部１４と、ブロック情報１９とあらかじめ抽出された被解析ＬＳＩ３３の故障ノード情報２０とに基づいて、複数のブロックの優先順位を決定してレーザ照射情報２１を生成する優先順位設定制御部１５と、レーザ照射情報２１に基づいて、被解析ＬＳＩ３３へのレーザ光の照射を制御するレーザ制御部１７を有する。 （もっと読む）

【課題】ＯＢＩＲＣＨ法を行う際に、特性チェック素子の特性を容易に測定することができる、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ光が照射されることにより特性が検査される、特性チェック素子と、前記特性チェック素子よりも上層に位置し、ダミーメタルが配置された、上部配線層とを具備する。前記上部配線層は、前記特性チェック素子に重なる第１領域と、前記特性チェック素子に重ならない第２領域とを備える。前記第１領域における前記ダミーメタルの密度は、前記第２領域における前記ダミーメタルの密度よりも、小さい。 （もっと読む）

【課題】ＵＶインクを用いる場合において信頼性の高い吐出を行うことのできる液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】基板に紫外線硬化型の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、液滴が吐出された基板に紫外線を照射する紫外線処理部７０と、液滴吐出ヘッド及び紫外線処理部７０を収容する装置本体と、を備えた液滴吐出装置３である。紫外線処理部７０は、処理チャンバー７０ａと、処理チャンバー７０ａ内に収容され、紫外線を照射するランプ部７３を有している。ランプ部７３は、紫外線を照射するランプ７３ａと、ランプ７３ａを収容する筐体７３ｂと、筐体７３ｂ内の雰囲気を装置本体の外部に排気する排気手段７４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。
【解決手段】 ワイドギャップ半導体であるｎ−ＧａＮ膜１３の表面に、当該ワイドギャップ半導体とショットキー接合が可能な透光性を有する有機金属膜を形成するショットキー電極形成工程により、バンドギャップが広くて仕事関数が大きいという特徴を有する導電性の有機金属膜１５をワイドギャップ半導体のショットキー電極として形成し、単色光照射部２３により、単色光として、例えば、十分に波長分解能の高い単色光を有機金属膜１５側から分光照射し、電圧パルス発生部２１により、有機金属膜１５が形成されたワイドギャップ半導体ｎ−ＧａＮ膜１３に所定のタイミングで所定電圧強度のパルス電圧を印加し、インピーダンス計測部２２により、有機金属膜１５が形成されたワイドギャップ半導体ｎ−ＧａＮ膜１３のインピーダンスを検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに照射されたレーザ光の反射光に起因するノイズが低減された半導体デバイス故障解析装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイス故障解析装置１００は、半導体デバイス１に多光子吸収を生じさせるパルスレーザ光を、半導体デバイス１に照射するレーザ光源１７と、半導体デバイス１の動作により発生する光の波長を含む波長領域に感度を有し、フォトンカウンティング測定可能な光検出器６とを備える。パルスレーザ光の波長は、光検出器６が感度を有する波長領域から外れている。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の膜厚の変動に関わらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価することができる結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体薄膜１２にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜１２の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜１２からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜１２から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値Ｒ３ａとに基づいて前記得られた測定値Ｒ２を補正し、この補正された測定値Ｒ２ａに基づいて半導体薄膜１２の結晶性を評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザービームの照射による改質層形成によりサファイアの分割を行う場合において、パルスレーザービームの条件により輝度がどれだけ低下するかを検査できるようにする。
【解決手段】サファイア基板について、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第一の分割予定ラインについて行うとともに、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第二の分割予定ラインについて行うことにより、第一の条件のみによって切り出された第一の発光デバイスと第二の条件のみによって切り出された第二の発光デバイスとを取得する。そして、第一、第二の発光デバイスの輝度をそれぞれ測定し、そのそれぞれについて、サファイア基板を分割する前に個々の発光デバイスについて測定した分割前輝度との差を求め、条件の違いによる輝度低下の差を検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体中のキャリアの移動度及び半導体の電気抵抗率を非破壊で短時間に算出する。
【解決手段】本発明は、半導体中のキャリアの移動度μとキャリアの減衰定数γとの関係、及び、テラヘルツ光に対する半導体の反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係をそれぞれ記憶する記憶部１０１と、試料となる半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する試料の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５の強度に対する反射光１０８の強度の比率を求めることにより、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐを算出する反射率算出部１１１と、記憶された反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係を参照し、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐに対応する試料の減衰定数γ_ｅｘｐを取得する取得部１１３と、取得した減衰定数γ_ｅｘｐに基づいて、記憶された移動度μと減衰定数γ_ｅｘｐとの関係から、試料の移動度μ_ｅｘｐを算出する移動度算出部と、を有する移動度測定装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることが可能な半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供する。
【解決手段】過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。その結果、電気的に活性な欠陥および局所的な汚染を、自然酸化膜を含む酸化膜を除去しない従来法に比べて高感度に検出し、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハに形成されたエピタキシャル層の表面に生じる、転位や微細な結晶欠陥や研磨に起因した欠陥をより高感度に検出できるエピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１の評価方法は、半導体単結晶基板１０の主表面にエピタキシャル層１１を有するエピタキシャルウェーハ１についてエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する方法であって、エピタキシャルウェーハ１のエピタキシャル層１１に、気相成長法により被評価層２ａを形成する被評価層形成工程と、被評価層２ａの表面の状態を評価することによりエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する評価工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、円板ワーク、特に成形ウエハの変形を測定するための方法および装置に関する。この装置は、円板ワーク（３）の内側領域（ＩＢ）を取り付けるための回転可能ならびに高さおよび横方向に調整可能な取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の中心軸（Ｍ）からの円板ワーク（３）の中心軸（Ｍ’）の偏心（δ）を測定し、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）のために適切な調整信号を生成する測定ユニット（２５）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の横方向の調整処理時に、円板ワーク（３）を付着するための付着ユニット（３ａ、３ｂ、３ｃ）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）または検出ユニット（５０）を回転させることによって、あらかじめ測定した取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の所定の高さ位置（Ｚ０）を使用して、変形に相当する所定の高さ位置（Ｚ０）からの円板ワーク（３）の非取付外側領域（ＡＢ）における複数の測定点（Ｐ１〜Ｐ８）の偏差（ＷＲ）を測定するための固定高さ検出器ユニット（５０）とを含む。
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【課題】熱処理の際に、基板支持具によって支持されていた基板裏面側から発生し、基板上面の表面には支障が現れないスリップを検出し得るスリップの検出方法を提供する。
【解決手段】熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面が上面となるように反転させる工程と、上面となった基板裏面に光を照射する工程と、上面となった基板裏面で反射した光を投影し、投影図を作成する工程とを含むことにより、熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面から検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。
【解決手段】半導体試料５２にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で半導体試料５２にプローブ光を照射し、半導体試料５２から反射されたプローブ光を時間分解測定して生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定し（ステップＳ１００）、測定した減衰定数と、半導体試料５２と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して半導体試料５２のキャリア極性を判定し（ステップＳ１１０）、測定した光学フォノンの周波数を、半導体試料５２と同じ元素からなると共に同じキャリア極性を有する半導体における光学フォノンの周波数とキャリア濃度との関係を定めた検量線に適用することにより、半導体試料５２のキャリア濃度を導出する（ステップＳ１２０）。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を検出する方法に関する。
【解決手段】シリコンウエハを希フッ酸で処理し、前記処理されたシリコンウエハをＣｕイオン含有希フッ酸に浸漬し、純水洗浄した後ＳＣ１洗浄し、前記シリコンウエハの表面に形成されたヘイズを分析することを特徴とする。
【効果】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を確実にかつ高精度で検出、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極探針と被測定物との接触面積及び接触面の間隔それぞれをより高い精度で維持できる４探針プローブ及びそれを用いた抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る４探針プローブ１０は、本体部１１とその先端に形成された超硬ボール１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを有する電極探針と、電極探針が４本摺動可能に保持された軸受ガイド１２とを具備し、軸受ガイド１２は、粉末を用いた焼結加工によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）