【課題】集積回路は正常動作のときに正常電流によって発熱して変形することに着目して、この正常電流を集積回路表面の形状の変化として検出することができる集積回路試験装置及び方法を提供すること。
【解決手段】レーザビームを、偏光ビームスプリッタ１１、１／４波長板１２、及び対物レンズ１３を介して集積回路サンプルの表面に照射して、その反射光を対物レンズ１３、１／４波長板１２、及び偏光ビームスプリッタ１１を介して４分割フォトダイオード１４で受光して、その出力の差分を差動増幅器１５によって検出することで、集積回路の表面が部分的に膨張したときにその周辺との境界の表面の傾きを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】赤外散乱トモグラフィー法による結晶欠陥の検出方法において、測定に用いるシリコン単結晶ウェーハと、該シリコン単結晶ウェーハとは別のシリコン単結晶ウェーハを準備し、該２枚のシリコン単結晶ウェーハを重ね合わせ、該重ね合わせた２枚のシリコン単結晶ウェーハの間に、シリコン単結晶ウェーハの屈折率と同等の屈折率の液体を介在させ、前記赤外線レーザービームは前記測定用のウェーハとは別に準備した前記シリコン単結晶ウェーハの重ね合わせた面とは反対の面より入射させることによって測定用のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部の反りにより、プラズマエッチング時にその外周部の温度上昇を十分に抑えることができない。
【解決手段】スライスドウェーハの全体の反りを測定し、その測定結果に基づき、凸側と判断された面を半導体ウェーハのデバイス形成面とする。このデバイス形成面に対して所定の平坦加工を施す。ウェーハ外周部の反りが抑えられ、ウェーハ外周部の平坦度も高めることができる。半導体ウェーハの反対側の凹面を小径な静電チャック板に吸着し、プラズマエッチングする。このとき、チャック板内設通路に冷媒を流し、ウェーハ外周部の熱ダメージを低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の測定対象物の清浄度を向上させるとともに照射光学系及び検出光学系の温度安定性を向上させることである。
【解決手段】測定対象物Ｗに検査光を照射する照射光学系１０１及び前記測定対象物Ｗからの生じる光を検出する検出光学系１０２を収容する測定装置用架台１であって、架台１内部に送風を行う送風機構８からの気体流を少なくとも２つに分流する分流機構を備え、当該分流機構により分流された一方の流れを照射光学系１０１及び検出光学系１０２に当て、他方の流れを流速を上げて前記測定対象物Ｗに側方から当てる流量分配構造９を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの鏡面研磨を行わずに、高い精度で半導体ウェハ表面のナノトポグラフィを評価することのできる半導体ウェハの評価方法を提供すること。
【解決手段】研磨工程前の半導体ウェハ表面のナノトポグラフィを評価する半導体ウェハの評価方法は、表面形状測定手段を用いて、力を作用させないフリーな状態で、研削工程後の前記半導体ウェハの外周端部から内側の一定寸法の領域の表面形状を測定する手順Ｓ４と、表面形状測定手段による測定結果に基づいて、前記半導体ウェハの端部表面形状を与える曲線を表す近似関数を求める手順Ｓ５と、求められた近似関数に基づいて、半導体ウェハの外周端部から内側の一定寸法の領域の反り量を算出し、前記半導体ウェハのナノトポグラフィを評価する手順Ｓ６とを実施する。 （もっと読む）

【課題】 材料を評価のために無駄に消費しない新たな電子部品製造方法を提供すること
。
【解決手段】 試料に複数の加工プロセスを施して電子部品を形成する電子部品製造方法
において、加工プロセスの終了時に上記試料の一部表面を摘出し、上記一部表面に対して
上記加工プロセスでの加工の進捗をモニタまたは検査または解析のうちの少なくともいず
れかを行なう工程を含む方法とする。
【効果】 ウェーハなど試料無駄に割断することなく評価でき電子部品の製造歩留りが向
上する。 （もっと読む）

本発明は、表面に配置された少なくとも１つのｐｎ接合部を含む半導体構造体の電気的および／または物理的パラメータを非接触で測定するための接合光起電力法と装置に関し、本方法は、半導体構造体のｐｎ接合部を有する表面を第１の波長の光ビームで照射して表面に過剰キャリアを生成する工程と、光ビームの光強度を単一の予め定義された周波数で変調する工程と、照射エリアの内側における第１の位置で第１の光起電力を測定し、かつ照射エリアの外側における少なくとも１つの第２の位置で第２の光起電力を測定する工程と、第１の光起電力および第２の光起電力に基づいて半導体構造体の電気的および／または物理的パラメータを計算する工程とを含む。この方法で、半導体構造体の電気的および／または物理的パラメータを非接触で測定する高速で正確かつ使用が容易な可能性を提供する。
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【課題】半導体チップの故障を解析する際に、外部との端子接続を不要とし、サブミクロンの空間分解能で電流経路と欠陥の可視化を可能にすること。
【解決手段】ＬＳＩチップ１を光電流発生用レーザビーム２で固定照射する工程と、ＬＳＩチップ１の被観測領域を加熱用レーザビーム３で走査して照射する工程と、光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射によりＬＳＩチップ１で発生した電流変化をＳＱＵＩＤ磁束計４で検出する工程と、ＳＱＵＩＤ磁束計４で検出された電流変化に基づいてＬＳＩチップ１の故障を解析する工程と、を含む。光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射は、ＬＳＩチップ１の裏面側から行い、ＳＱＵＩＤ磁束計４による検出は、ＬＳＩチップ１の表面側で行う。ＬＳＩチップ１の故障の解析では、ＳＱＵＩＤ磁束計４から出力された信号を走査点に対応させる画像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面または半導体において欠陥または汚染を識別するために半導体表面を高速走査する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０５などの表面１０６を有する半導体を設けること、非振動式接触電位差センサ１０１を設けること、制御可能な強度または波長の分散を有する照射源１０９を設けること、非振動式接触電位差センサプローブ先端１０２の下または付近でウェーハの表面の制御された照射を提供するために照射源を用いること、制御された照射中にウェーハ表面を走査するために、非振動式接触電位差センサを用いること、ウェーハ表面にわたって接触電位差における変化を表すデータを生成すること、欠陥または汚染のパターン特徴を識別するためにそのデータを処理することを伴う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査に要する時間を短縮する。
【解決手段】半導体装置にビームを照射する照射装置と、前記半導体装置のテスト期間に前記半導体装置の良否を判定するテスト装置と、前記半導体装置の各テスト期間に得られた良否値を、各テスト期間の開始から終了までに前記ビームが照射された照射領域、の良否値として設定し、良値領域又は否値領域が前記ビームの走査方向の直交方向に連続する連続数に基づいて、前記半導体装置の故障領域を特定する情報処理部と、前記ビームの照射位置と前記半導体装置の故障領域とが関連付けられた２次元画像を表示する表示部とを備えることを特徴とする、半導体装置の検査システム。 （もっと読む）

【課題】誘電体層と基板との界面に位置する反転電荷キャリアの移動度を、迅速で安価に測定する方法を提供する。
【解決手段】誘電体材料層と半導体基板の上面との間の界面の品質の決定方法であって、上面に誘電体材料層が堆積して界面を形成しており、前記誘電体材料層の表面は、上面を規定する半導体基板と直接接触または接触していない半導体基板を用意するステップと、放電手段により、前記上面の専用エリアに電荷を付着させるステップと、前記上面での電圧Ｖｓを測定するステップと、前記専用エリアに照射手段を適用し、照射スポットを規定するステップと、前記エリアの照射時に、測定手段を用いて前記決定した照射スポットの内側および外側での光電圧を測定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 帯電量評価素子に関し、製造装置内の被加工物の帯電量を定量的に、且つ、高い空間分解能で評価可能にするとともに、評価素子の再利用を可能にする。
【解決手段】 被加工基板表面に蓄積される電荷量の総計を定量的に評価する帯電量評価部を、少なくとも表面が導電性を有する基体１と、基体１上に配置され電気光学効果膜５と、電気光学効果膜５上に配置された孤立透明電極６と、基体１の電気光学効果膜５と投影的に重ならない領域を覆う絶縁性保護膜７とによって構成する。 （もっと読む）

【課題】観測領域の特定が容易で、小型に構成できる顕微フォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡筒体１５１、１５２と、顕微鏡筒体から出た光を光分析手段に導くバンドルファイバ２０と、バンドルファイバの位置を調整する位置調整手段３３と、照明光源からの光を顕微鏡筒体内に導き、試料１４の反射光を観察する落射照明観察手段３４、３６と、試料を励起する励起光の励起光源と、励起光で励起されてフォトルミネッセンスを放出する試料の観測領域を選択する視野絞り３０とを備える。この装置では、試料の表面を落射照明観察手段で観察し、ＰＬ観測領域を視野絞り３０によって選択し、視野絞りで絞られた光束が適切にバンドルファイバ２０に入射するように、バンドルファイバの位置を位置調整手段３３で調整する。ＰＬ観測領域を高精度に特定することができ、その観測領域の最適状態での観測を容易に設定することができる。
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【課題】レーザ光線を照射して被測定物全体からのフォトルミネッセンス光の強度分布を短時間で測定できるフォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】この装置はレーザ光源１とＣＣＤカメラ８を具備し、被測定物５とＣＣＤカメラ間の光路上に、偏光フィルター６とレーザ光線の波長を遮断して測定波長のみを透過させるバンドパスフィルター７が配置され、レーザ光源と被測定物間の光路上に、集光レンズ２と第１のガルバノミラー３および第２のガルバノミラー４が配置され、集光レンズで集光されたレーザ光線が、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーにより反射されて２次元走査されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来、サンプル中における電荷分布の変化自体を直接的に観察することはできなかった。
【解決手段】 電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置１００であって、ペンタセンＦＥＴ５０に基本波を照射する照射部１と、ペンタセンＦＥＴ５０における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部１５と、第１信号に基づき前記照射部よりペンタセンＦＥＴ５０に前記基本波を照射させ、第２信号に基づきペンタセンＦＥＴ５０に電圧を印加する制御信号出力部３０と、を備え、制御信号出力部３０は、前記第１信号の出力時点と前記第２信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】厚さが薄い半導体基板や表面処理を施していない基板についても評価を行うことができ、大量の太陽電池用半導体基板を短時間で評価することが可能であって、しかも太陽電池等の製造工程におけるインライン検査として利用可能な、半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の検査方法及び半導体基板の検査装置に関し、フォトルミネッセンスを用いて良好な効率で半導体基板の極表層の欠陥を検出する。
【解決手段】 半導体基板１の一方の面に励起光３を照射して照射面からのフォトルミネッセンスによる発光４，５を検出する第１の検出工程と、前記半導体基板１の他方の面に励起光３を照射して照射面からのフォトルミネッセンスによる発光６を検出する第２の検出工程と、前記第１の検出工程と前記第２の検出工程で検出された発光４〜６データを処理して前記半導体基板１の欠陥を検出するデータ処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の評価結果（μ-PCD法による反射マイクロ波の電圧値）と半導体デバイスの特性評価結果（移動度）とを対応させることにより、半導体材料の評価結果をデバイス製造プロセスにフィードバックし歩留を高くする。
【解決手段】μ-PCD法によって測定された反射マイクロ波の電圧値により、半導体のＴＦＴ特性（移動度）を推定する。μ-PCD法によって測定された反射マイクロ波の電圧値と反射マイクロ波の管理電圧値との対比結果を結晶化プロセスにフィードバックし、結晶化条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を防止しつつ基板を保持する。
【解決手段】応力測定装置の基板保持機構２０は、基板９の下面９１側において気体を噴出することにより基板９を下方から非接触にて支持する支持部２０１、および、支持部２０１に支持される基板９の側面に当接して基板９の移動を規制する円筒状の移動規制部２０２を備える。支持部２０１は、基板９の下面９１に対向する円板状の多孔質部材２０３を備え、基板保持機構２０では、多孔質部材２０３の上面２０３１全体からおよそ均一に気体を噴出することにより、基板９が支持部２０１に接触することなく面支持される。。これにより、基板９の変形を防止しつつ基板９を保持することができる。その結果、基板９の表面形状を高精度に求めることができ、基板９上の膜内の応力を高精度に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）