【課題】溝深さ測定器の精度に依存することなく、溝深さ測定器の精度よりも更に高い精度でレーザ加工溝の深さを測定可能にすること。
【解決手段】レーザ加工溝８０の深さを測定する溝深さ測定方法は、ウエーハ３４に形成されたレーザ加工溝８０の延在方向に平行な一つの溝深さ測定経路Ｌ１を設定しかつ溝深さ測定器７０を、溝深さ測定経路Ｌ１に位置付けてレーザ加工溝８０の深さを測定する最初の溝深さ測定ステップと、ウエーハ３４を、溝深さ測定経路Ｌ１に直交する方向にそれぞれ一定の間隔で順次に割り出し送りして溝深さ測定経路Ｌ１に平行な他の溝深さ測定経路Ｌ２〜Ｌｎに位置付ける毎にレーザ加工溝８０の深さを測定する他の複数の溝深さ測定ステップとを含む。 （もっと読む）

製造工程中における半導体ウェーハのリアルタイム・インラインテストのための装置および方法。１つの実施例において、この装置は、半導体ウェーハ処理ライン中にプローブ組立体を含む。各ウェーハがプローブ組立体近くを通過すると、プローブ組立体内にある所定の変調波長および周波数の変調光源がウェーハ上に照射する。プローブ組立体内のセンサが、変調光により誘起された表面光起電力を測定する。その後、コンピュータがこの誘起された表面光起電力を用いて、ウェーハのさまざまな電気特性を求める。
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本発明は、欠陥の検出を向上させる熱処理デバイスおよび方法を組み込む、本明細書中に開示された計測の方法および関連する装置の使用に関する。特に、一局面において、本発明は、格子間欠陥移動の加速が達成され、一方で空乏欠陥を実質的に変更の無いままにするような半導体ウェハの熱的な処理の方法に関する。該方法は、処理時間の間に、処理温度までウェハを加熱するステップと、ウェハを運搬することによって、ウェハの表面が、ヘッドアセンブリの表面光起電力電極に対して実質的に平行になるステップと、１つの波長を有しかつ１つの強度を有する光にウェハの少なくとも一部分を露出するステップと、表面光起電力電極を用いて、変調された光度に応答してウェハの該表面において誘導された光起電力を検出するステップと、ウェハの表面で誘導された光起電力からウェハの電気的特性を計算するステップとを包含する、方法。
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【課題】 基板表面の溶融状態の評価精度が低下することを防止する。
【解決手段】 モニタ光出射装置５が、チャンバ１の外部から窓２を通して基板Ｗにモニタ光Ｌ_Ｍを入射させる。第１の光強度計測器８が、モニタ光Ｌ_Ｍのうち、基板Ｗの表面で反射し、窓２を通してチャンバ１の外部に出射した外部出射光Ｌ_Ｍ０の強度を計測する。第２の光強度計測器９が、モニタ光Ｌ_Ｍのうち、チャンバ１の外部から窓２に入射し、窓２で反射された第１の反射光Ｌ_Ｍ１の強度を計測する。第３の光強度計測器１０が、モニタ光Ｌ_Ｍのうち、基板Ｗ表面で反射されてチャンバ１の内部から窓２に入射し、窓２で反射された第２の反射光Ｌ_Ｍ２の強度を計測する。コンピュータ１１が、第１〜第３の光強度計測器８、９、及び１０の測定結果に基づいて、基板Ｗ表面の溶融状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】 大きいＳ／Ｎ比を得ることができ、簡便に、短時間で、精度良く半導体試料のライフタイムを測定できるライフタイム測定装置およびライフタイム測定方法を提供する。
【解決手段】 反射板２４を用いて検出用電磁波２２の入射波と反射波により形成される定在波２５を形成し、半導体試料２３が配置される位置で定在波の電界強度が極大位置３４、または、その付近に半導体試料２３が配置されるように保持部が制御される。これによって検出手段２９によって検出される反射波強度を可及的に大きくすることができる。したがって検出手段２９は、検出用電磁波２２の反射波強度信号のＳ／Ｎ比を可及的に大きくすることができる。これによって簡便に短時間で精度良く半導体試料２３のライフタイムを測定することができる。 （もっと読む）

本発明は、１回の方法で、互いに独立して、半導体基板のキャリア濃度レベルと接合深さとを、非破壊の方法で特定するための方法および装置を提供する。
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【課題】 フォトルミネッセンス法により、非破壊、非接触で半導体試料の結晶構造欠陥の２次元分布の評価を高精度で行うことを可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体試料に光を照射して、該半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、放出されたフォトルミネッセンス光を分光して、フォトルミネッセンス光の波長情報及び強度情報を得る工程、及び得られたフォトルミネッセンス光の波長情報及び強度情報から、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程を含み、半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体である、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板、及び、基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができる基板か否かを短時間で簡便に評価できる評価方法を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ_１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ_２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２がα＜１となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はＴＯＦ法におけるドリフト時間の短い部分の雑音を低減した高移動度測定装置を提供することにある。
【解決手段】 測定対象物に設けられた電極に接触可能なプローブを有する測定対象物設置手段１２と、測定対象物に光を照射する光照射手段１４と、プローブを介して前記電極に電圧を印加する電圧印加手段１６と、測定対象物を流れる電流信号を検出する信号検出手段１８と、検出信号を処理する信号処理手段２０と、を備え、ＴＯＦ法測定を行う高移動度測定装置１０において、
光照射手段１４と他の手段（１６、１８）との間の接続を光接続とし、電気的に分離絶縁することで光照射手段１４から発生するノイズを低減する雑音低減手段、ＴＯＦ法測定の検出信号に混入する前記光照射手段からのノイズを除去する雑音除去手段（２０）を備えたことを特徴とする高移動度測定装置。 （もっと読む）

【課題】比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】半導体試料５の表面に励起光源９によるポンプ光を変調器１２を介して照射すると共に、白色光源１によるプローブ光を照射し、上記半導体試料５の表面で反射されたプローブ光の光変調スペクトルをＰＲ信号用検出器８で測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度の関係にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭの対物レンズ下で、半導体素子の微小領域に対してもＥＢＩＣ法による測定およびＳＥＭ観察を確実にできる半導体素子の微小領域の電気物性測定方法の提供。
【解決手段】半導体素子のｐｎ接合近傍表面に測定用微小金属電極膜を形成し、該電極膜にリード線を接続させ、顕微鏡下で前記半導体素子の前記電極膜とリード線を含む微小領域に光照射してキャリアを発生させ、該発生キャリアにより生じる電気信号を前記リード線により出力し、画像に変換して微小領域の電気物性を測定する半導体素子の微小領域の電気物性測定方法とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料の温度を常に一定に保つための温度調整機構や多くの余分な工程を要することなく、周囲温度及び材料自体の温度変化にかかわらず、所定の応力測定を高精度かつ高速に行なえるようにする。
【解決手段】 単結晶シリコン基板３Ａ上にＳｉＧｅ層３Ｃ及び歪みシリコン層３Ｄを積層して作製された半導体材料３に単結晶シリコン基板３Ａにまで到達する波長の励起光を照射し、その照射に伴う基板３Ａからのラマンスペクトルのピークシフト量から半導体材料３の温度を推定し、その推定温度を用いて歪みシリコン層３Ｄ及びＳｉＧｅ層３Ｃのラマンスペクトルのピークシフトを補正し、その補正されたラマンスペクトルのピークシフト情報により、それら各層３Ｄ，３Ｃの内部応力を算出する。
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最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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【課題】臨界膜厚よりも薄い歪み半導体混晶薄膜の室温のバンドギャップエネルギーを簡便に測定する方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶基板１上に、厚さ２００ｎｍ、アクセプタ濃度１×１０^２０ｃｍ^−３のＧａＡｓＳｂからなるｐ型エピタキシャル膜２、測定対象であるドーピングを施していないＩｎ_０．８５Ａｌ_０．１５Ｐからなる混晶薄膜３、および、厚さ５０ｎｍ、ドナー濃度１×１０^１９ｃｍ^−３のＩｎＧａＡｓからなるｎ型エピタキシャル膜４を、この順序で順次形成されてなる試料５の分光反射スペクトルに現れるフランツ−ケルディッシュ振動のピークおよび谷に光子エネルギーが低い方から順に番号を付し、第ｊ番目のピークまたは谷に対応する係数〔(３π/２)(ｊ−１/２)〕^２／３と、第ｊ番目のピークまたは谷における光子エネルギーとの直線関係から混晶薄膜３のバンドギャップエネルギーを求めることを特徴とする半導体結晶測定方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】チップ（半導体デバイス）にバイアス電圧を印加することなく、無バイアス下で故障診断を行うことができる半導体デバイスの故障診断方法と装置を提供する。
【解決手段】無バイアス状態で保持した半導体デバイス１に所定の波長を有するパルスレーザ光２を２次元的に走査して照射する照射装置１２、１４と、レーザ光照射位置から放射された電磁波３を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換装置１８と、電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 所望の開口数で光束を通すことができ、かつ、観察対象の試料に光学的に結合させる際の位置制御が容易な固浸レンズを提供する。
【解決手段】 固浸レンズ１Ａは、観察対象の試料６に取り付けられ、試料６の観察に用いられるものである。固浸レンズ１Ａは、所定半径の球面形状を有し、外部に対する光の入出力面となる上面（第１の面）２と、試料に対する取付面となる底面（第２の面）３を備えている。底面３は、試料に対する接触パターンが、中心軸に対して軸対称となるように、中心軸Ａｘを挟む位置に複数の突出部４ａ、４ｂを有している。 （もっと読む）

ウェハ（４０２）の複数の層の間のオーバーレイ誤差の測定および補正を促進するシステムが開示されている。本システムは、ウェハ（４０２）の３つ以上の層間のオーバーレイを表すオーバーレイターゲット（４０６）と、オーバーレイターゲット（４０６）に存在するオーバーレイ誤差を決定し、その結果、ウェハ（４０２）の３つ以上の層の間のオーバーレイ誤差を決定する測定コンポーネント（４０８）とを含む。隣接する層の間、および、隣接しない層の間のオーバーレイ誤差を補正するために、制御コンポーネント（４１０）が提供されてよく、この補正は少なくとも一部が測定コンポーネント（４０８）が取得した測定値に基づく。
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