【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第１領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも１回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程１１０、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第１領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第１光信号を測定する工程１２０、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第２光信号を測定する工程１３０、および第２光信号に対する第１光信号の比を測定し（１４０）、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程１５０を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸表面を有する支持体上に形成された半導体層の膜厚を高精度に測定することができる積層体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】凹凸表面ｃ１を有する支持体Ｂ１と、支持体表面に積層された半導体層Ｔとを備え、半導体層Ｔを有する支持体Ｂ１はその一部に、半導体層Ｔの層厚ｔが光学的に測定されるように構成された層厚被測定部位Ｇ１を有する積層体。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の干渉縞画像（干渉縞画像データＤ１）を取得する。また、画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）との（反射）光学的段差を求める。そして求めた（反射）光学的段差に基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別および結晶化度の制御量の算出のうちの少なくとも一方の評価を行う。これにより、従来よりも確実な選別が実現されると共に、新たな制御（結晶化度の制御）が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】組立工程前の半導体集積回路におけるレーザ光照射対象箇所に対する明瞭な画像を取得できるようにする手段を提供する。
【解決手段】半導体集積回路解析装置１０は、半導体集積回路９０へレーザ光を照射して発生した光誘起電流による場を場検出器によって検出するレーザ顕微鏡２２を備え、レーザ２１の波長は、半導体集積回路を構成する半導体を１光子励起するには不十分であって２光子励起するには十分である範囲の１．２μｍ以上であって、２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型半導体ウェハの面内抵抗率の測定を安定させ、この測定による信頼性を向上させることができるＮ型半導体ウェハの抵抗率測定方法を提供すること。
【解決手段】ウェハに対して紫外線照射を行い、ウェハの表面に厚みが１ｎｍ以上の酸化膜を形成する。次に、酸化膜が形成されたウェハに対してコロナ放電を行う。そして、コロナ放電により熱平衡状態となったウェハに対して光源から光を照射する。次に、測定プローブにより、ウェハの表面近傍に形成された空乏層によって検出可能となったΔＶ_ｓを検出する。そして、このΔＶ_ｓから空乏層の幅を算出し、空乏層の幅からキャリア濃度を算出し、さらに、キャリア濃度から抵抗率へ換算する。 （もっと読む）

【課題】光を受けると起電力が発生する半導体試料においても、信頼性のある抵抗率測定を行うことができる半導体試料の抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。電圧測定部１７は、４探針プローブ１５の探針ｂ、ｃ間で検出した半導体試料２２の起電力を測定し、制御部１４へ出力する。制御部１４は、電圧測定部１７の測定結果に基づいて半導体試料２２の照度変化に対する抵抗率の変化を求め、表示部１９に表示する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位６が伝播しない。基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】研磨前のＳＲ法による先行抜き取り評価を最適化することで、非拡散層厚のバラツキを抑制する拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハと面抵抗モニタウェーハに不純物を拡散する第１の拡散工程と、不純物を更に深さ方向に拡散する第２の拡散工程と、面抵抗モニタウェーハの面抵抗を評価する工程と、この評価結果に基づき、補正値算出用ウェーハの抜き取り枚数を決定する抜き取り枚数決定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＦＴ−ＩＲ法で測定する第１の非拡散層厚測定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＳＲ法により測定する第２の非拡散層厚測定工程と、これらの測定結果から両者の測定結果間の補正値を算出する工程と、ＦＴ−ＩＲ法による非拡散層厚測定と補正値を用いて研磨量をモニタしながら半導体ウェーハの非拡散層を研磨する研磨工程とを有することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】第２セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第２セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第１セル層膜厚とに基づき、第２セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。該膜厚計測方法により第２セル層の膜厚を算出する第２セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。該膜厚計測方法に基づき、基板面内の任意位置における第２セル層の膜厚を算出する工程と、第２セル層の膜厚が許容膜厚範囲から外れる場合に、第２セル層製膜条件を調整する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ中のＢＭＤ密度を評価する方法であって、半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を測定し、その後、半導体ウェーハ面内の複数箇所のＢＭＤ密度を測定し、半導体ウェーハの同じ位置における強励起顕微ＰＬ値と測定したＢＭＤ密度との関係式を求めて、求めた関係式から半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を用いて、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を数値化してＢＭＤ密度分布を評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波光導電減衰法によりシリコンウェーハのキャリアライフタイムを測定する際に、不純物等による影響を受けることなく、シリコンウェーハ表面全面にわたって、ケミカルパッシベーション効果を、簡便かつ安定的に保持し、正確なキャリアライフタイム測定が可能となるシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１をフッ化水素酸溶液に浸漬してケミカルパッシベーション処理を行った後、該シリコンウェーハ１を測定ステージ２に載置し、前記シリコンウェーハ１表面と３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の間隔Ｓをあけた位置で、かつ、マイクロ波およびレーザ４の非照射部分に、前記測定時にマイナスに帯電する物質５を配置して、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持してキャリアライフタイムを測定する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながら、多様な半導体基板に対応して、高い精度でマイクロクラック等を検出することができる赤外線検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に赤外線を照射して透過した光を検出する赤外線検査装置であって、異なる波長の光を射出する複数種類の赤外線ＬＥＤを、切り替え点灯可能に備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出用のレーザーをシリコン単結晶ウエーハに入射し、結晶欠陥で散乱した散乱光を検出することにより、シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出する結晶欠陥の検出方法において、シリコン単結晶ウエーハの抵抗率が０．０５Ω・ｃｍ以下のシリコン単結晶ウエーハを用いて、シリコン単結晶ウエーハの主表面に対して直角に劈開し、欠陥検出用のレーザーを劈開面に対して斜めに入射し、劈開面からの散乱光を検出して劈開面の表面層に存在する欠陥を検出することによってシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の有無を簡便な手法により評価するエピタキシャルウェーハの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料のキャリア移動度を高精度に評価することができる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体評価装置１００は、薄型平板状の被測定試料１０にレーザ光１７を照射し、被測定試料１０に発生するキャリアを被測定試料１０の表面方向に移動させることにより電流を生成し、その電流の持続時間から被測定試料１０のキャリア移動度を評価する。半導体評価装置１００は、被測定試料１０を設置する被測定試料設置部３０を備えており、被測定試料設置部３０は、２つの透過性ガラス基板を有しており、一方の透過性ガラス基板に被測定試料１０が配置され、他方の透過性ガラス基板に遮光膜である金属膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大規模なコンタクトチェーン又は大規模な配線パターンにおける複数のテスト素子の電気測定を行う際により少ない測定用電極パッドでより短時間に断線箇所の特定を行う。
【解決手段】半導体装置では、第ｎ（ｎ≧１）段目の被測定回路のそれぞれには互いに並列に接続された第（ｎ＋１）段目の被測定回路が接続されており、第１段目の被測定回路には測定用電極パッド１０１が接続されており、最後段の被測定回路には測定用電極パッド１０２が接続されている。何れかの被測定回路で断線が発生した場合、断線が発生する被測定回路が異なれば測定用電極パッド１０１と測定用電極パッド１０２との間の総抵抗値が相異なるように、各被測定回路の抵抗値は設定されている。 （もっと読む）

【課題】短時間で故障箇所の特定を行える半導体装置の検査方法及び半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の被観測領域に対してレーザ光を走査しながら複数箇所に局所的に照射し、同時に半導体装置を試験動作させ、この試験結果とレーザ光の照射位置とを対応付けて二次元画像化した良否判定像を生成して故障箇所を特定する半導体装置の検査方法であって、一画面あたりに許容された最大画素数で良否判定像を生成した場合に対して、レーザ光走査範囲は同じとしたまま照射点数は減らし且つ照射点間隔を広げて、レーザ光照射を行う。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）