【課題】被検査体における内部析出物、空洞欠陥、表面の異物ないしスクラッチ、表層のクラックの欠陥を精度よく検出し、欠陥の種類を特定して欠陥を分類できるようにする。
【解決手段】光源装置４からの光をポラライザー５を介して偏光を与えて被検査体Ｗに対し斜め方向に入射させ、その散乱光ＳＢを暗視野に配置された偏光分離素子９を有するＣＣＤ撮像装置７で撮像し、得られたＰ偏光成分画像とＳ偏光成分画像とについて成分光強度を得て、それらの比としての偏光方向を求める。被検査体に応力を印加していない状態と、応力を印加した状態の光散乱体の撮像により得られた画像から成分光強度、偏光方向を求め、所定の閾値と対比することにより欠陥の検出、分類がなされる。 （もっと読む）

【課題】ＯＢＩＲＣＨ法等で半導体素子の検査を行う際に、粗く特定された故障箇所に、正確に固浸レンズを配置する手段の提供。
【解決手段】検査用基板は、表面に電子回路が形成された半導体基板の背面の上に配置され、半導体基板の厚さ方向に伝搬する光に作用するレンズを含む。このレンズは、検査用基板の表面に平行な面をｘｙ面とするｘｙ直交座標系を定義したとき、ｙ軸に垂直な断面内では光を収束させ、ｘ軸に垂直な断面内では光を収束させない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マルチダイアライメントを確実に行うことができるチップのアライメント方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ上の所定のアライメント領域内の所定のアライメント用チップのアライメントマークに光を照射し、反射波形により位置を検出し、前記所定のアライメント領域内の複数チップについて一括してアライメントを行うチップのアライメント方法であって、前記反射波形が検出されなかったときには、前記アライメント領域内の前記アライメント用チップと異なる代替チップのアライメントマークに光を照射し、反射波形を検出して前記代替チップのアライメントマークの位置を検出するステップと、前記アライメント用チップ及び前記代替チップのアライメントマークの位置に基づいて、前記アライメント領域内の複数チップの位置合わせを行うステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの厚さ（Ｓｉ部分の厚さ＋回路パターンの厚さ）を簡易な方法により、精度よく測定できる方法を提供する。
【解決手段】外周のエッジ部にノッチ部１を有し、一方の表面に保護テープ５が貼り付けられた薄板円盤状のウェーハ３を、チャックステージ２上においてウェーハ３に貼り付けられた保護テープ５の表面５ａをウェーハ３のチャックステージ２に当接させて固定し、反射型レーザセンサ６のレーザ光をウェーハ３のノッチ部近傍に照射し、ウェーハ３表面からの反射光と、ノッチ部１で露出している保護テープ５の裏面５ｂからの反射光とを各々捉えて、ウェーハ３表面及び保護テープ５の裏面５ｂの位置データを取得することにより、ウェーハ３の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）

【課題】多層膜構造の化合物半導体基板の検査において、高精度に品質評価を行える検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層及びＧａＮ層が順次積層された化合物半導体基板１０の検査方法であって、バッファ層及びＧａＮの積層方向における断面を露出させる工程（Ｓ１）と、露出した断面にレーザを照射して、その断面のバッファ層、ＧａＮ層、及びバッファ層とＧａＮ層との界面の３点の応力を評価する工程と（Ｓ２）、縦軸を応力値、横軸を測定位置とした座標面に、３点の応力の応力値を各々プロットし、そのプロットした３点の座標面における位置により、化合物半導体基板１０の良否を判断する工程（Ｓ３）とを行う。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体ウエハ中の転位を、デバイスプロセス中に少ない作業増加により検出する。
【解決手段】主面が概ね（０００１）Ｓｉ面である炭化珪素半導体ウエハ３を用い、熱酸化膜１１の形成後に多結晶シリコン１２を堆積し、その表面に、ウエハ中の転位６４に対応するヒロック２０を生じさせる。このヒロック２０をレーザーの散乱光を画像処理することにより転位を検出する。 （もっと読む）

【課題】表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発振器１からイオン注入物である試料６に対しマイクロ波波を照射し，励起レーザ光源１２から，試料６に対する浸透長がその試料６におけるイオン注入深さよりも短く，かつ試料６のバンドキャップ以上のエネルギーを有する励起光を試料６に照射し，励起光の照射により変化する，試料６からの反射マイクロ波の強度をミキサ１０により検出し，その検出強度の信号からロックインアンプ１５により光励起キャリアのライフタイムの指標値を検出し，その指標値から計算機１６によりイオン注入量を算出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置において、上方検出系や斜方検出系などの複数の検出系を使用する場合、一つの検出系の検出視野に対して照明光およびウェハ高さを合わせた場合、他の検出系においてデフォーカスした像を検出してしまうため、欠陥検出感度が低下するという問題を解決する。
【解決手段】欠陥検査装置において、上方検出系や斜方検出系などの複数の検出系を使用する場合、一つの検出系の視野に対して、他の検出系の視野の位置を補正することによって、検査感度の低減を防ぐことが出来る。また、部品ばらつきや組立て誤差による、検査装置ごとの光軸ばらつきを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】無機化合物半導体のキャリア濃度を非破壊で簡易に測定する。
【解決手段】非破壊キャリア濃度測定装置１００は、テラヘルツ光に対する無機化合物半導体の反射率と、キャリア濃度との相関関係を記憶する記憶部１０１と、試料となる無機化合物半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する無機化合物半導体の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５と反射光１０８とを対比して無機化合物半導体の反射率の実測値を算出する反射率算出部１１１と、記憶された相関関係を参照し、反射率の実測値に対応する試料のキャリア濃度を読み取る読取部１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極を形成していない非電極面に電圧を印加する場合であっても、非電極面へ照射される赤外線、又は非電極面から放射される赤外線を用いて、半導体装置の欠陥部位を容易に判別できる半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置を提供すること。
【解決手段】赤外線を用いて半導体装置１０の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、半導体装置１０の電極を形成していない非電極面１０ａに透明電極２１ｂを当接する工程と、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに電圧を印加すると共に、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに赤外線のスポット光３１を照射する工程と、赤外線のスポット光３１で半導体装置１０の非電極面１０ａを走査して、半導体装置１０の電流変化ΔＩを測定し、半導体装置１０の欠陥部位を判別する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内に存在する欠陥を、容易に、効率よく、かつ、高感度に検出する。
【解決手段】側面の一部に切欠を有する中空の保持部１２に、搬送部によって半導体基板１１が配置された搬送板に連接させたアーム部を下降させて、アーム部が保持部１２の切欠を通過して、保持部１２に半導体基板１１を裏側から保持させる。そして、照射部１３によって、半導体基板１１の裏面に光１３ａが照射され、検出部１７によって、半導体基板１１の裏面から発せられる光１３ｂが検出され、測定部によって光１３ｂの強度が測定される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、高感度に検出する。
【解決手段】表面に回路が形成された半導体装置の裏面から、回路の形成面まで透過する波長の光１３ａを照射する照射部１３と、光１３ａの入射により、半導体装置の裏面から発せられる光１３ｂを検出する検出部１５と、検出した光１３ｂの強度を取得する取得部と、を有する検査装置１０により、表面に回路が形成された半導体装置の裏面から、回路の形成面まで透過する波長の光１３ａが照射され、光１３ａの入射により、半導体装置の裏面から発せられる光１３ｂが検出されて、検出された光１３ｂの強度が取得される。これにより、ウェハスケールやチップスケールの半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、高感度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチングなどの表面処理における膜厚測定において、照明光などの外乱によって受光部の検出精度が損なわれるのを防止する。
【解決手段】表面処理装置１０に膜厚測定設備２０Ｘを付設する。その発光部２１は、所定波長の測定光Ｌ１を被処理物９０に出射し、受光部２２は、被処理物９０からの光を検出し、膜９２の厚さの測定に供する。さらに照明部２３を設け、処理チャンバー１２内を前記所定波長の光を含まない照明光Ｌ３で照明する。受光部２２は、前記所定波長の光に感応する一方、前記照明光Ｌ３の波長の光に感応しない。処理チャンバー１２を画成する仕切りには、前記所定波長の光をカットする入射フィルタ１１ｆを設ける。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体よりなる半導体装置の積層欠陥の有無を短時間で検査する方法の提供。
【解決手段】炭化珪素半導体からなる半導体ウェハー（ＳｉＣウェハー）９に、この炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光２を照射する。そのレーザー照射によって半導体ウェハーから放射された光６を波長選択手段（分光器）４により分光し、特定波長の光の強度を測定手段（光電子倍増管）５により観測する。測定した光強度に基づいて半導体装置の特性劣化を判定する。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

ウエハーの反りを定量化するための配置構造に関する。プラズマ処理システム内に位置する配置構造が提供される。配置構造はウエハーを保持するための支持機構を含む。配置構造は、ウエハー上の複数のデータポイントの第１測定データセットを収集するように構成された第１センサセットをも含む。第１測定データセットは、第１センサセット及びウエハーの間の最小ギャップを表す。第１センサセットは、プラズマ処理システムの処理モジュールの外部にある第１位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。
【解決手段】励起光レーザ３と、赤外光レーザ４と、赤外光の波長よりも小さな直径の小孔６ａを有し、当該小孔６ａの一方の開口に照射された赤外光を、当該孔６ａの他方の開口から滲み出る近接場光Ｌ１としてシリコン半導体薄膜２ｂに照射することが可能な金属膜６と、赤外光レーザ４から放射された赤外光のうち孔６ａの他方の開口の手前側で反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器２３と、前記検出信号に基づいて薄膜２ｂの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光透過性を有する基材の厚み寸法のバラつきに伴い結晶性評価精度が悪化するのを抑制することができる半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体薄膜の所定の照射領域にキャリア励起光を照射する励起レーザ１と、赤外光を放射する半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に対し強度変調された電流を供給することにより、当該半導体レーザ１０に波長の異なる複数種の赤外光を照射させることが可能な高周波パルス電源１８と、シリコン半導体薄膜５ａ又は基材５ｂにおいて反射された反射光であって、前記複数種の赤外光のうちの少なくとも２種の赤外光を含む反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器１３と、前記検出信号に基づいて前記シリコン半導体薄膜５ａの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置９とを備えている。 （もっと読む）

電荷キャリアの寿命を測定するための装置は、紫外線を測定位置へと向けるための手段を備える測定プローブを備える。測定プローブは、測定位置に対して所定の空間的関係を成して設けられる少なくとも１つの電極を更に備える。装置は、マイクロ波放射線を測定位置へと向けるようになっているマイクロ波源と、紫外線に応じて測定位置で反射されるマイクロ波放射線の強度の変化を測定するようになっているマイクロ波検出器と、半導体構造体を受けるとともに、半導体構造体の一部に電気的に接触するようになっている半導体構造体ホルダとを更に備える。また、半導体構造体の少なくとも一部を測定位置に位置決めするために基板ホルダを測定プローブに対して移動させるための手段が設けられる。装置は、半導体構造体ホルダと電極との間にバイアス電圧を印加するようになっている電源を更に備える。 （もっと読む）