【課題】ウエーハの厚みや上面高さを確実に計測することができる計測装置およびこの計測装置を装備したレーザー加工機を提供する。
【解決手段】レーザー光線を集光しチャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、照射されたレーザー光線の反射光受光手段と、集光器によるレーザー光線の集光点変更手段と、集光点変更手段からの変更信号と受光手段からの信号に基いてウエーハの厚みを測定する制御手段を具備し、制御手段は集光点変更手段を構成する一対のミラーの２つの設置角度の差とウエーハの厚みとの関係を設定した厚み制御マップを備え、一対のミラーの設置角度を変更する角度調整アクチュエータによって設置角度を変更しつつ受光手段から２つの強い光量のピークを検出し、２つの強い光量のピークを入力したときの設置角度検出センサーの検出信号に基いて設置角度の差を求め、設置角度差を厚み制御マップと照合してウエーハの厚みを求める。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの厚さ、平面度、ウェーハに設けたトレンチ深さを精密に測定できるようにする。
【解決手段】ウェーハの厚さ及び平面度とウェーハにエッチングされたトレンチの深さを測定する方法と装置である。測定に当たり、トレンチをウェーハ背面から見ることによりトレンチを事実上突出部として測定する。測定は非接触式光学器械によりウェーハの前面と背面とで行われ、該非接触式光学器械がウェーハ前面及び背面の波長を同時測定し、波長間の距離は厚さの測定値に変換される。シリコン・ウェーハの厚さ及びトレンチ深さの測定には、光源として近赤外ビームを用いる。厚さ、平面度、局所形状は、１対の光学針を用いた較正法によっても測定できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された形状の欠陥を良好な効率で検出する欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次１次検査を行って当該複数の領域から２次検査を行う該領域を選択する第１の工程と、前記第１の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記２次検査を行って前記欠陥を検出する第２の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】 本考案は、ワーク（半導体素子及び各種部品）を短時間で設定温度まで昇温させ、ワーク自身の温度を確認後、高温状態での試験・評価を可能とした装置である。
【解決手段】 昇温させたいワークのみにレーザーを照射し、ワーク内のセンサー（サーミスター等）からの信号を計算し、ワークの内部温度を確認し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止する。と同時にワークの試験・評価を実行する。
又、ワーク温度の確認方法として、非接触型センサーを利用してワーク温度の確認を行うことにより、短時間でワークの高温試験・評価が可能となり、高価で大型の恒温槽を必要としなくなる。 （もっと読む）

【課題】座標測定に用いるレーザ干渉計のエラーの影響をなくする。
【解決手段】 基板上の少なくとも一つの構造の座標を高精度に計測する方法である。Ｘ／Ｙ座標方向にトラバースできるステージが提供され、これは干渉法光計測システムに配置される。基板上の構造は、Ｚ座標方向に配向された光軸２０を持つ計測オブジェクティブ２１を通じて少なくとも一つの検出器３４上に撮像される。該構造は所謂デュアルスキャンで撮像される。システマチックなエラーはこのようにして無くされる。 （もっと読む）

【課題】被測定体の測定部位を境にして対向する位置に所定の対向距離を置いて一対の変位センサを配置し、一対の変位センサのそれぞれが検出した被測定体と一対の変位センサとの距離及び一対変位センサの間の対向距離に基づいて被測定体の複数の測定部位の厚みを多点測定することになり、この際、上記被測定体は浮上回転機構の空圧流により浮上、回転及び停止をさせることができ、測定保証精度を向上することができる。
【解決手段】被測定体Ｗの測定部位Ｐを境にして対向する位置に所定の対向距離Ｇ_Sを置いて変位センサＳ₁・Ｓ₂を配置し、一対の変位センサのそれぞれが検出した被測定体と一対変位センサとの距離Ｇ₁及び一対の変位センサ間の対向距離に基づいて被測定体の複数の測定部位の厚みｔを多点測定する厚み多点測定方法において、被測定体を空圧流Ｅにより浮上、回転及び停止させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部の欠陥部をより高い精度で検出する。
【解決手段】レーザ発生装置１０は、半導体装置１５の基板を構成するシリコン等の半導体材料を透過可能なパルス状のレーザ光を発生して検査対象となる半導体装置１５に対して照射する。検出器２０は、レーザ光の照射によって半導体装置１５が発生する（遠）赤外線を検出する。信号処理装置３０は、検出器２０の出力信号の大きさからレーザ光の照射に伴う半導体装置１５の発熱状態を抽出する。ここでレーザ発生装置１０と検出器２０とは、検査対象となる半導体装置１５を挟んで対向して位置する透過型の検査装置を構成する。また、半導体装置１５内部の３次元的な所定の領域内においてレーザ光の照射位置が走査可能となるように構成される。 （もっと読む）

【課題】透明な基板を使用する場合においても、基板のエッチング深さを正確に算出することができるエッチング深さのリアルタイム検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のエッチング深さのリアルタイム検出方法は、基板２、および基板２の表面に設けられた被エッチング部材であるマスク３に対してレーザ光を照射する工程と、基板２の表面２ａ、およびマスク３の表面３ａにおける反射光６ｃ、６ｄに基づく干渉波の強度を検出する工程と、干渉波の強度に基づいて、基板２の表面２ａ、およびマスク３の表面３ａにおける反射光６ｃ、６ｄの光路長差を算出する工程と、光路長差に基づいて、基板２のエッチング深さを算出する工程とを備えている。そして、基板２として、基板２の内底面２ｂに、面荒らし処理が施されているものを使用する。 （もっと読む）

【課題】近接場フォトンを利用することで、次世代半導体用ナノインプリント極薄残膜の膜厚を非破壊計測する。
【解決手段】 光源１６により測定対象１０を照射し、近接場光プローブ１５を測定対象１０の表面に接近させ、測定対象１０とプローブ１５との間のエアーギャップ値を測定する。プローブ１５の先端に形成される近接場フォトン局在領域内に測定対象を存在させることにより近接場フォトン場を生成し、近接場フォトン場に応じた伝搬光である近接場フォトン応答光を放射させ、受光部１７で近接場フォトン応答光を計測する。ＰＣ２１は、計測された近接場フォトン応答光の強度と、計測されたエアーギャップ値とに基づいて、測定対象の膜厚情報を求める。 （もっと読む）

【課題】検査対象としている領域を効率よく、不備なく検査できる半導体デバイスの非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ステージに保持された電子部品にレーザを照射した際に発生する電磁波を電磁波検出手段で受信して複数の電子回路の故障診断を行うに際し、初回の検査領域１２を検査するための走査領域１３をあらかじめ大きさ設定し、その検査結果である電磁波放射分布から検査対象で半導体デバイス１００の設計データとの実構造物とのズレや半導体デバイスの設置ステージの移動精度を考慮して、次以降の検査領域へレーザ照射位置の移動量や走査領域を設定する。 （もっと読む）

【課題】薄膜のポアソン比を簡易且つ直接求め得る薄膜ポアソン比の測定方法、及び測定装置を提供すること。
【解決手段】薄膜ポアソン比の測定方法は基板上に堆積された薄膜のポアソン比を測定する方法である。薄膜の面内方向における二軸熱応力の温度勾配と、薄膜に垂直な方向における膜厚に沿った熱膨張歪と、膜厚の弾性率と、基板の熱膨張係数を測定又は算出し、これらを所定の式に導入して演算する。
上述の薄膜ポアソン比の測定方法を実行する装置である。二軸熱応力の温度勾配を求めるため基板の曲率測定を行うレーザー光測定手段と、熱膨張歪を求めるＸ線反射率測定手段と、基板と薄膜を加熱及び冷却する熱処理手段と、基板と薄膜を収容し内部に不活性ガスを充填・排出する試料収容器と、所定の式に従って演算処理をする演算処理手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】任意の電子コンポーネント内部の電荷収集ゾーンの厚みおよび深さ方向での位置を決定できるようにする。
【解決手段】電子コンポーネント（１）を起動させ、起動させた電子コンポーネント（１）を、レーザー放射線（１５）を用いて励起させ、この励起に対応する起動された電子コンポーネント（１）の機能不良を測定（２５）し、エネルギー相互作用が最も強いコンポーネント内の関心対象の位置特定マップを作成するプロセスにおいて、電子コンポーネント（１）内のさまざまな深さ（３１）にレーザー放射線（１５）を集束させ、これらさまざまな深さ（３１）についてエネルギー相互作用を測定する。 （もっと読む）

【課題】良好な効率で半導体基板の欠陥を検出する半導体基板の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に励起光を照射する照射部と、前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、前記検出部で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理部と、を有し、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出するよう構成されていることを特徴とする半導体基板の検査装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの不良原因を精度よく推定する。
【解決手段】複数の半導体チップが形成された半導体ウェハの不良原因を解析する方法であって、半導体ウェハ上に形成された複数のテストパターンに電流を流して、２次元輝度画像を取得するステップ（Ｓ１００）と、２次元輝度画像に基づき、テストパターン毎にレベル付けを行うステップ（Ｓ１０４）と、各レベルに対応付けられたテストパターンの数量に応じて、当該半導体ウェハの不良原因が配線形成不良およびビア形成不良のいずれであるかを判断するステップ（Ｓ１１０〜Ｓ１１４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハの撓みや反りを解消して、圧電素子の振動特性の測定精度を向上させることができる振動測定装置を提供する。
【解決手段】セットしたワークＷの複数のチップ８３に対応し複数の測定用開口を形成したワークテーブル５１と、ワークＷを上側から押さえると共に、ワークＷの複数のチップ８３に対応し複数のプローブ用開口を形成したワーク押え５２と、各プローブ用開口を介し、ワークＷに上方から臨む多数のプローブ２１を有するプローブユニット１１と、プローブユニット１１を介し、多数のプローブ２１を多数の圧電素子に対し離接させるプローブ昇降手段１２と、プローブユニット１１に接続され、各圧電素子に駆動波形を印加する素子駆動手段１４と、素子駆動手段１４に同期し、且つ各測定用開口を介して、ワークテーブル５１上のワークＷに下方から各圧電素子の振動特性を測定する振動測定手段と、を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】表面に保護部材が被着された半導体基板の裏面を研削する際に、保護部材の厚みが半導体基板相互間においてばらついていても基板の仕上げ厚み寸法精度を高く保持できる半導体基板の研削装置並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１に被着された保護部材２の厚みＸ_２を研削時において連続的に測定する測定装置１０と、半導体基板１と保護部材２の合計の厚みＸ_３を研削時において連続的に測定するコンタクトゲージ８の２つの測定機構を備え、各々の半導体基板１についてそれぞれの測定値の差（Ｘ_３−Ｘ_２）から半導体基板１の厚みＸ_１を算出する。この研削装置１００によれば、保護部材２の厚みＸ_２が半導体基板１相互間においてばらついていても、半導体基板１の厚みＸ_１の仕上げ厚み寸法精度を高く保持することができ、電気特性が安定した信頼性の高いデバイスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板やその上に形成されたエピタキシャル膜に発生したミスフィット転位やスリップラインの存在の検出を、簡便かつ容易な方法で行う。
【解決手段】半導体基板表面やその上に形成されたエピタキシャル膜の表面を、レーザ光によってらせん状に走査し、その散乱光の特定方向における情報を取得する。具体的には、ミスフィット転位やスリップラインや、それらに起因して基板や膜表面に生じる基板結晶方向に直行した凹凸（段差）によって観察される、強い指向性を有するクロス状パターンの光散乱の有無を観察し、このクロス状パターンがあれば上記ミスフィット転位やスリップラインの欠陥があることを検出する。 （もっと読む）

【課題】励起光により励起された半導体試料に照射した電磁波（出力波）の反射波に基づいて半導体の特性評価用信号を生成するにあたり、測定装置の大型化や高コスト化を回避しつつ、測定装置と半導体試料との距離（リフトオフ）が変動しても精度の高い特性評価用信号を生成できること。
【解決手段】励起光による半導体試料１の励起部に出力波Ｏｐ１（電磁波）と励起パルス光とを照射し、コンピュータ１１により、ミキサ１５による出力波Ｏｐ２と反射波Ｒｔ１との混合によって出力される検波信号Ｓｇ２と、励起部反射波信号Ｓｇ１のレベルを予め記録された検波信号Ｓｇ２及び励起部反射波信号Ｓｇ１の対応関係情報とに基づいて、励起部反射波信号Ｓｇ１が補正された特性評価用信号を生成して記憶手段に記録する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成された絶縁膜の特性（膜内電荷量、膜厚、比誘電率、表面吸着物に起因する表面電位変化など）を非接触で正確に測定する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜の膜厚および膜内電荷量がそれぞれ複数個仮設定される（Ｓ１）。仮設定値の全組合せに関して理論表面電位特性が計算される（Ｓ２）。各理論表面電位特性に関して、予め非接触で測定された測定表面電位特性における表面電位の平均値と、当該理論表面電位特性における表面電位の平均値との差分が求められ、表面吸着物に起因する表面電位変化とされる（Ｓ３）。各理論表面電位特性に関して、当該理論表面電位特性に対して前記表面電位変化による補正を施した補正表面電位特性に対する測定表面電位特性の標準偏差が求められる（Ｓ４）。この標準偏差が最小となる理論表面電位特性に対応する膜厚および膜内電荷量が求められる（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ表面でレーザ光を一定方向に走査することによって欠陥を検出する計測器を用いて、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥とを高精度に識別して、両者の欠陥の数を高精度に検出できるようにし、また、異方性が異なる各欠陥を高精度に識別して、異方性の異なる欠陥毎に欠陥の数を高精度に検出できるようにする。
【解決手段】半導体ウェーハを構成する半導体の結晶の方向を基準にして、所定角度ずつ半導体ウェーハに対する光の相対的な走査方向を変化させつつ、散乱光を測定し、所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較する。 （もっと読む）