【課題】走査顕微鏡像の空間分解能を向上させる手段の提供
【解決手段】レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調レーザ光をＩＣチップ１１０に照射し、磁束計１２０からの磁場信号を受け変調周波数と同じ周波数成分の信号を抽出する検波器１３０と、前記検波された信号から磁場分布の像を表示する手段１４０と、を備え、前記変調信号の周波数が１００ｋＨｚよりも高い。 （もっと読む）

【課題】 欠陥強調突起部形成時の異方性エッチングにより副生成物が発生する場合でも、結晶欠陥を高精度に検出・評価することができる結晶欠陥の評価方法を提供する。
【解決手段】 異方性エッチング工程の後、検出・評価工程を行なうのに先立って、欠陥強調突起部Ｑの周囲領域に付着した異方性エッチングの副生成物ＣＧを除去する副生成物除去を実施する。これにより、欠陥強調突起部Ｑを検出する際に、副生成物に由来した検出ノイズを大幅に軽減でき、結晶欠陥の検出精度を高めることができる。 （もっと読む）

半導体構造の物理特性の特徴付けのために、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けの新たな方法が開発された。歪み及び活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造におけるバンド間遷移の近くに発生し、且つ半導体表面に誘起されるナノメートルスケールの空間電荷場の影響による歪み及び／又は活性ドーパントに対して非常に敏感な、光反射信号を測定することである。これを達成するために、本開示は、半導体構造上に同時に集束される、強度変調ポンプレーザビームと連続波プローブレーザビームとを含む。ポンプレーザは、ＮＩＲ〜ＶＩＳにおいておよそ１５ｍＷ光出力を提供する。ポンプ光は、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲で動作する信号発生器によって振幅変調される。プローブビームは、ＶＩＳ〜ＵＶで動作するおよそ５ｍＷであり、概して半導体構造における強い光吸収の近くの波長である。ポンプ及びプローブは、サンプルのマイクロメートルスケールスポットに同時に集束される。プローブ鏡面反射は集光され、ポンプ波長光はカラーフィルタを用いて除去される。残りのプローブ光はフォトダイオードに向けられ、電気信号に変換される。そして、プローブＡＣ信号は、半導体材料光応答のポンプ誘起変化を含む。フォトダイオード出力に対して位相敏感測定が行われ、ＡＣ信号がＤＣ反射率信号によって除算される。このようにして、光反射情報が、プローブ波長、変調周波数、ポンプ強度並びにポンプ偏光及びプローブ偏光の関数として記録される。
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ウェハの検査用の方法及びシステムが提供される。一方法は、ウェハ内に侵入する第１の波長の光とウェハ内に実質的に侵入しない第２のウェハにおける光をウェハに照射することを含む。この方法は、さらに、照射工程から結果として生じるウェハからの光に応答して出力信号を発生することを含む。それに加えて、この方法は、出力信号を使用してウェハ上の欠陥を検出することを含む。この方法は、さらに、これらの出力信号を使用して欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定することを含む。
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【課題】従来の欠点を解消した、対象物のパターンの高さを測定する方法及び同方法を実施するための装置を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも一つの対象波長のための対象伝搬モードを有する入射光を、対象物（１４）の表面（１８）によって反射させる。その反射光は、少なくとも一つのパターン（５）によって分割成分（１６，１７）にされる、光の分割波面を有している。この方法は、次に、反射光（７）を集光して、その集光した光をフィルタリングし、対象波長のために、分割成分間の位相差に関するデータを抽出することを含んでいる。この方法によって、表面が構造化されて光を反射する対象物上のパターン、特に、シリコンウェーハ上のパターンの高さを測定することが可能になる。この測定方法は、例えば、深堀りプラズマエッチング中にパターンのエッチングをインサイチュ及びリアルタイムでモニターすることを可能にさせる。

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【課題】 実際のデバイスとなる有機半導体装置を無駄にすることなく膜厚を測定でき、また、電流を流さなくても有機膜の不良を検出できる有機半導体装置の製造方法、及び有機半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 基板２０上に有機膜６０，７０を備える有機半導体装置の製造方法であって、基板２０上における、所定の領域と、当該所定の領域を除く部分に設定されたダミー領域３とに、有機膜６０，７０を製膜する製膜工程と、ダミー領域３に製膜された有機膜６０，７０の吸光度を測定する測定工程と、を含み、測定工程によって測定された吸光度に基づいて有機膜６０，７０の膜厚を求めること、を特徴とする。 （もっと読む）

基板温度測定装置を開示する。この基板温度測定装置は、基板に熱的接触する蛍光体材料を含み、この蛍光体材料は、第二の波長帯において電磁放射線に曝されると、第一の波長帯において蛍光応答を生じさせ、この蛍光応答は、蛍光体材料の温度に関連する減衰率で減衰し、さらに、蛍光体材料は、プラズマに曝されると、第一の組の不揮発性副産物を生じさせる。この基板温度測定装置は、また、蛍光体材料とプラズマとの間に遮蔽窓を備え、この遮蔽窓によって、第一の波長と第二の波長を少なくとも部分的に伝播可能とし、この遮蔽窓は、プラズマに曝されると、第一の組の不揮発性副産物よりも少量の第二の組の不揮発性副産物を生じさせ、電磁放射線が遮蔽窓を介して蛍光体材料に伝播されると、蛍光応答の減衰率から温度が決定される。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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本発明は、物体（２）の運動を検出するシステム（１）に係る。当該システムは、物体に対して結合される第１の細長い格子ストリップ（４）、及び、第１の細長い格子ストリップに交差する、別個の実質的に固定された第２の細長い格子ストリップ（５）を有する。当該システムは更に、物体の運動を検出するよう、第１及び第２の細長い格子ストリップにおいて回折される１つ又はそれより多い光ビームを受けるよう配置される光学検出手段（６）を有する。本発明は更に、物体（２）の運動を検出する方法、及び物体加工又は検査システムに係る。
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【課題】 SiC単結晶等の基板に励起光を照射することで得られるラマン散乱光のスペクトルから極性半導体であるSiC単結晶等の面極性の判定を行う方法を用い、煩雑な手順を必要とせず、追加工又は修正加工の必要性がなく、さらに判定に要する時間を大幅に短縮し、半導体を破壊することなく半導体の面極性を判定する効果的な方法を得る。
【解決手段】極性半導体の面極性を判定する方法において、極性半導体に励起光を照射して得られるラマン散乱光を測定し、測定したラマン散乱光スペクトルから面極性を判定することを特徴とする極性半導体の面極性判定方法。 （もっと読む）

【課題】ローコストで、安定かつ安全に受光デバイスを検査する。
【解決手段】受光デバイス６Ａの端子に電気的接続をとる接続部（プローブ４等）と、受光デバイス６Ａに光を照射する光源部９と、振動を検出する加速度センサ２２と、加速度センサ２２の出力から所定周波数の振動成分を抽出する重み付けフィルタ２３Ａ,２３Ｂと、光を照射し、受光デバイス６Ａの端子にバイアスを印加したときに受光デバイス６Ａの端子から出力された受光信号レベル値の有効性を、所定周波数の振動成分のレベル値から判断可能な検査部（ＬＳＩテスタ１）とを有する。
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本発明は、非破壊方法で、未知の半導体基板から少なくとも活性キャリアプロファイルを決定するための方法および装置を提供する。該方法は、ｍ個の反射信号から２ｍ個の独立した測定値を生成すること、これらの２ｍ個の測定値を２ｍ個の独立したキャリアプロファイル値と相関させることを含む。該方法は、追加の２ｍ個の測定値を生成し、４ｍ個の測定値を４ｍ個のプロファイル値と相関させることによって、活性キャリアプロファイルおよび第２パラメータプロファイルを決定することをさらに含む。該方法は、全部で２ｍ［ｎ，ｋ］個の測定値を生成し、［ｎ，ｋ］個の独立した材料パラメータ深さプロファイルを決定することをさらに含み、各材料パラメータプロファイルはｍ個のポイントからなる。
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【課題】
シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。
【解決手段】
シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。 （もっと読む）

【課題】 より簡便かつ短時間に酸化膜の膜厚測定を行うことができるようにする。
【解決手段】 膜厚測定方法は、予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求める。基板処理装置は、予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求める膜厚測定器を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い感度で基板を評価可能な半導体評価装置を提供する。
【解決手段】 半導体評価装置は、半導体基板に向かって進行する第１プローブ光を照射するプローブレーザＰｂを含む。第１ハーフミラーＭｈ２は、第１プローブ光の一部の第２プローブ光を第１プローブ光から取り出す。光測定器Ｄは、第１プローブ光が半導体基板により反射されることにより得られる第１反射プローブ光と、第２プローブ光が参照用の内部状態を有する第１参照サンプルにより反射されることにより得られる第２反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む。 （もっと読む）

【課題】 パルス光により励起された半導体に照射した電磁波の反射波若しくは透過波である測定波に基づいて半導体のキャリア寿命測定を行う場合に，励起キャリアのライフタイムが短い半導体を測定する際にも，測定時間の増大や高コスト化をもたらすことなく高精度で測定できること。
【解決手段】 測定波からその強度に応じた電流信号を生成するマイクロ波検出器８と，その生成信号から測定波の強度変化を表す電流信号を生成するＣＲ回路９と，その生成信号の電流値に応じた量の電荷をコンデンサ１０ｂに蓄積することにより，そのコンデンサ１０ｂにより生じる電圧信号（ＣＲ回路９の生成信号の積分信号）を生成し，半導体２における励起キャリアの寿命測定用信号として出力する電荷増幅回路１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】線膨張率の小さい特殊な材料を用いず温度変化に対して測定誤差を小さくできる厚み測定機を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ構造体の上に測定光用光学系と参照光用光学系を重ねて設ける。測定光は被測定物の表面及び裏面で反射して検出部に入射する。参照光は被測定物の表面及び裏面の近傍に設けられたミラーで反射して検出部に入射する。検出部では、参照光と測定光を干渉させて被測定物の厚み変化を検出する。参照光と測定光の光路長はほぼ同じなので温度変化による影響を同じように受けるため、たとえ温度により光路長が変化しても被測定物の厚みの変化だけを検出できる。 （もっと読む）

【課題】電子部品における破断等の欠陥状態をより詳しく検出し得る欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｃにフェムト秒レーザを照射するレーザ照射器１と、フェムト秒レーザの照射により発生されたテラヘルツ電磁波を検出する電磁波検出器６と、この電磁波検出器で検出された検出信号を入力して半導体基板に断線等の欠陥が存在するか否かを判断するコンピュータ装置とを具備した装置であって、電磁波検出器６を、電磁波の偏向面に対する検出指向特性を有するボウタイ型の第１および第２アンテナ２３，２４と、これら両アンテナを保持するとともに電磁波の検出位置に順次移動させ得る可動ステージ２１とから構成したものである。 （もっと読む）

【課題】 上部に形成された膜を除去した後においても、上部に形成された膜を除去する前と同様の状態が保持された膜を評価することができる、膜の評価方法および強誘電体膜の評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
故障箇所の絞込みを可能とする非破壊型の検査方法と装置の提供。
【解決手段】
第１、第２の試料にそれぞれ照射するレーザ光を走査して得られた磁場分布の像を取得し（第１ステップ）、磁場分布の像に差がある場合に、第１、第２の試料の所定の箇所にレーザ光を照射した状態で磁場センサにて第１、第２の試料を走査することで取得された磁場分布からそれぞれ電流像を取得し（第２ステップ）、電流像間の差をとり、差像より、第１の試料と前記第２の試料の前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を識別可能としている。 （もっと読む）