【課題】高感度に位置調整と特性試験を実施することができ、不良が生じた場合には位置調整上の不良と特性不良とを切り分けて不良を検出することを可能とする技術の提供。
【解決手段】プローブカード１は、半導体装置２の特性測定用のプローブ針用の電極２Ａに接触して電気的な導通を取る特性測定用のプローブ針１Ａと、特性測定用のプローブ針１Ａの半導体装置２の特性測定用のプローブ針用の電極２Ａへの接触時における半導体装置２から針先までの高さが特性測定用のプローブ針１Ａより高い位置調整用のプローブ針１Ｂとを、半導体装置２の隅に対応する部分に備える。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】フェイルビットマップを速やかに表示し、半導体装置の検査コストの増大を防止できる半導体装置の不良解析システムを提供する。
【解決手段】不良解析システムは、物理フェイルビットマップをメッシュ分割して、一部ビット不良領域のフェイルビットマップ画像データを縮約率毎、チップ毎、レイヤ毎に分類して第１画像データ記憶領域３２に記憶する。また、不良解析システムは、フェイルビットマップ画像データを不良モードの種類毎、縮約率毎、チップ毎、レイヤ毎に分類して第２画像データ記憶領域３４に記憶する。さらに、不良解析システムは、ユーザからの表示形式及び／又は表示領域の指示に基づいて、第１画像データ記憶領域３２又は第２画像データ記憶領域３４からフェイルビットマップ画像データを抽出して結合し、表示部４４に表示する。 （もっと読む）

【課題】不良の原因と考えられる製造条件を的確に抽出可能な半導体装置の不良解析方法を提供する。
【解決手段】ウェーハにおける検査単位ごとの不良率データ及びウェーハの製造条件に関する情報を計算機に読み込み、この不良率データの製造条件に対する統計検定を計算機で行う。そして、製造条件の情報ごとに統計検定の結果を集めて計算機から出力する。統計検定の結果は、例えば、ウェーハの面内の位置に対応したマップデータにして出力される。 （もっと読む）

【課題】１枚の対象基板の測定結果だけで，パーティクル分布が異常か否かを極めて容易に判定できるようにする。
【解決手段】パーティクル分布解析を行う対象基板について，その基板上のパーティクル座標データからパーティクル相互間距離についてのヒストグラムデータを作成するとともに，その対象基板上のパーティクルと同数のパーティクルを計算上ランダムに分布させた複数枚の仮想基板について，パーティクル相互間距離のヒストグラムデータを作成する。これら対象基板と各仮想基板のヒストグラムデータ群との差異に基づいて，対象基板のヒストグラムデータについて仮想基板のランダムなヒストグラムデータ群からの距離を数値化した判定データを算出して表示部に表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のどの製造工程に故障の原因があるか特定することができる故障解析装置を提供する。
【解決手段】同一設計の複数の半導体装置の故障診断の結果から、故障が生じた故障ネットを推定する（ステップＳ３）。半導体装置に含まれる全ての配線層について故障ネットが使用する配線の数を求め、全ての配線層間での故障ネットが使用する配線の数の比率を算出する（ステップＳ５）。半導体装置の設計データから、半導体装置に含まれる配線層毎に、当該配線層を使用することがあるネットを特定し、当該ネットが使用する配線の数を配線層毎に求め、全ての配線層間での配線の数の和の比率を算出する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２において算出した配線層毎の比率のうちで、ステップＳ５において算出した比率に最も近似しているものを特定する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥群のパターン依存性を定量化する。
【解決手段】パターンが形成されたウェハに発生した欠陥を検出し、検出した欠陥の発生位置を出力する検査装置１が使用する欠陥位置を指し示すための座標系と、パターンの設計データにおいて使用される座標系と、の間の位置関係を複数設定する（ステップＳ３、Ｓ４）。そして、設定された位置関係の夫々を用いて検査装置１が出力した欠陥位置と設計データとを位置合わせし、設計データから欠陥位置が位置合わせされた部位の局所パターンを位置関係毎に抽出する（ステップＳ６）。そして、抽出した局所パターンを図形的特徴の一致度に基づいて分類し、分類パターン数を位置関係毎に算出する（ステップＳ７）。そして、算出した位置関係毎の分類パターン数を用いて欠陥群のパターン依存度を算出する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】検査対象物上の同一箇所に電子線を複数回走査し、各走査で得られる画像信号を加算して画像を形成する機能を備え、当該加算により形成された検出画像と所定の参照画像とを比較することにより欠陥を検出する半導体ウェーハ検査装置において、前記電子線を前記検査対象物に照射する照射光学系（１，４）と、前記検査対象物上の電子線照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部（７）と、当該電子線の走査により得られる二次電子又は反射電子を検出するセンサ（１３）と、当該センサの出力信号をディジタル変換して得られるディジタル画像信号を、前記検査対象物上の欠陥部と正常部とで前記検出信号の値に差がある期間加算する制御を行うことにより、欠陥を識別できる過渡画像を前記検出画像として取得する全体制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置が出力する欠陥候補の座標誤差が大きいと、レビュー装置上で欠陥候補の座標に移動しても視野内に欠陥が見つからない場合がある。移動した座標に欠陥が存在しない場合、周辺に移動して欠陥を探索したり、虚報として判定して見逃す場合がある。本発明の目的は、レビュー時の欠陥探索にかかる作業を軽減させるために、検査装置において、欠陥候補の座標誤差のばらつきを抑制することにより、欠陥候補の座標精度を向上したパターン付き半導体ウエハの検査装置を提供することである。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明では、定点観測位置設定処理により半導体ウエハ上で基準となるパターンを選定し、定点画像切出し処理で当該基準パターンと同じ座標の定点画像を切出して、欠陥座標補正処理により、それらの画像間のずれ量を算出して、各ずれ量で欠陥候補の座標データを補正する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから得られる複数のメインチップにおいて、メインチップ毎のＯＮ電圧のバラツキを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。半導体ウェハ１０の表面全体に電子線等を照射する。ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２の中に再結合中心を形成する。測定装置１５によりトランジスタ２のＯＮ電圧を測定しつつ、ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２において規定されたライフタイムを所定のアニール処理を施すことにより回復させる。ライフタイムが回復しているとき、制御装置１６は、ＩＧＢＴ素子１のＯＮ電圧がそれぞれ所定のＯＮ電圧となるように、測定されたトランジスタ２のＯＮ電圧に基づいてアニール処理におけるアニール処理量を制御する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では検出した結果が誤ってたとしても、正常な検出結果として報告しており、歩留まり管理の精度が低下してしまう点については配慮がなされていなかった。また、報告が挙がってからでは管理情報の修正は不可能であるため、報告前に検査結果の妥当性を確認し、妥当性の判断を行う必要がある点についても配慮がなされていなかった。
【解決手段】画素ごとの信号を計算し、前記検出部の異常を判定する第１の処理部と、前記異常が発生した画素を補正する第２の処理部と、前記第２の処理部による補正後の画素の検出結果を用いて、前記基板の欠陥を判定する第３の処理部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端部付近における測定値変動を正しく補正し、正確な値を求めることができる半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハ１２の抵抗率を測定する半導体ウェーハ抵抗率測定装置において、４探針プローブ１４の４探針に供給する電流の探針と測定する電圧の探針を変更して半導体ウェーハ１２の端部から半径方向の直線上における複数の位置の抵抗率を測定手段により測定する。前記測定手段により測定された複数値に対して演算を行ってから前記各測定位置から前記ウェーハ端部までの距離と半導体ウェーハ上に生成される薄膜の端部までの距離との差による端部補正係数を乗じて抵抗値を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】照明条件、もしくは検出条件の異なる検査結果を統合することで、ノイズやNuisance欠陥と真の欠陥を高精度に判別することができる欠陥検査装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置であって、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、該複数の画像データから検出された欠陥候補の情報を統合して、欠陥とノイズを判別する検査後処理部とを有する画像処理部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層構造を有する回路パターンのように、観察像のコントラストが明確でない回路パターンを、正確に検査することのできる技術を提供する。
【解決手段】パターン検査方法は、反射電子像の輝度を用いて回路パターンを区分し、各区分に属する反射電子像内の領域と、２次電子像内の領域とを対応付ける。具体的には、反射電子の信号からＢＳＥ像を合成し（ステップＳ３０２）、区分する（ステップＳ３０４）。さらに、パターンマッチングを行って（ステップＳ３０６）、設計データとの比較により所望の回路パターンが得られたかを検査する（ステップＳ３０７）。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価方法や評価装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、半導体ウェーハである試料を載置する載置台と、前記試料の一方の主表面を支持する片押さえ手段と、球状物と、該球状物を任意の所望の高さから落下させるための落下手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記片押さえ手段により前記試料の一方の主表面を支持した状態で、前記落下手段により前記球状物を前記所望の高さから前記主表面に向けて落下させることができるものであることを特徴とする半導体ウェーハ評価装置。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２種類以上の電気的欠陥を１回の検査で従来よりも高い確率で捕捉可能な検査条件で検査を実行可能な荷電粒子線装置ないし荷電粒子線による検査方法を実現する。
【解決手段】被検査試料上の同一箇所を複数回走査し、一次荷電粒子ビーム走査時の光学条件あるいは出力される画像信号から画像を形成する際の画像形成条件を上記２種類以上の電気的欠陥を捕捉可能な画像を可能な条件に調整する。 （もっと読む）