【課題】半導体装置の発光解析により半導体装置の故障箇所を精度よく検出可能な発光解析装置および発光解析方法を提供する。
【解決手段】発光解析システムは、制御部１と、画像取得部２と、画像記憶部３と、座標合わせ部４と、比較部５と、駆動装置６と、発光検出器７と、画像表示部８と、を備えている。終了テストパターンアドレスを変化させながら複数の合成発光積分画像を取得し、終了テストパターンアドレスが小さい順、すなわち開始テストパターンアドレスに近い終了テストパターンアドレスから順に良品および不良品半導体装置の合成発光積分画像の比較を行う。そのため、不良品半導体装置における異常な発光が生じる頻度が小さい場合や、良品半導体装置との発光の差異がタイミングの差異のみである場合でも、合成発光積分画像の差異を検出でき、故障箇所を特定できる。 （もっと読む）

【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域（ＥＰ）を複数の撮像領域（ＳＥＰ）に分割し，ＳＥＰをＳＥＭを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において，繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるＳＥＰを決定すること，およびそのようなＳＥＰを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを決定することである。
【解決手段】
一部のＳＥＰ間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し，ＳＥＰ配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるＳＥＰを決定できるケースが増える。また，そのようなＳＥＰを決定できなくても，複数のＳＥＰ配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・ＳＥＰを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを容易に決定できる。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程で発生した欠陥の特性を正確に推定することのできる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】
先ず、構成が既知の欠陥部を有する参照試料を用いて、電位コントラストと、前記欠陥部の電気特性との対応関係（第１の検量線）を求める(S120-S125)。また、被検査ウエハにおける正常部の電気特性を測定する。次に、被検査ウエハの正常部の電気特性と先の第１の検量線に基づいて、被検査ウエハが有する正常部に、構成が既知の欠陥を付加して、被検査ウエハにおける欠陥部の電位コントラストと電気特性との関係（第２の検量線）を算出する(S126-S131)。欠陥部の電位コントラストを実測することにより、第２の検量線を用いて被検査ウエハに実際に含まれる欠陥部の電気特性を推定することができる(S132-S133)。 （もっと読む）

【課題】測定パターンに含まれる電極数を低減することのできる、半導体集積回路装置、及びそのテスト方法を提供する。
【解決手段】複数の第１チェーンと、複数の第２チェーンと、前記複数の第１チェーンの各々の一端に接続される、第１共通電極と、前記複数の第２チェーンの各々の一端に接続される、第２共通電極と、複数の選択電極とを具備する。前記複数の選択電極の各々は、前記複数の第１チェーンのうちのいずれかの他端と、前記複数の第２チェーンのうちの何れかの他端とに接続される。テスト対象チェーンが前記複数の第１チェーンの中から選ばれた場合に、前記第１共通電極には、第１基準電圧が印加され、前記第２共通電極には、第２基準電圧が印加され、前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーンに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加され、前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値が求められる。 （もっと読む）

【課題】下層パターンを上面パターン上から判別できない場合であっても、上下層の位置関係を高精度に測定可能なパターン検査方法を提供すること。
【解決手段】下層側の実パターンを撮像した下層画像パターンと下層設計パターンとの間の位置ずれ量を下層データとして下層のパターン毎に算出し、上層側の実パターンと下層側の実パターンとの間の所定範囲内でのグローバルな合わせずれ量を算出し、下層設計パターンと上層設計パターンとの間の位置関係を、グローバルな合わせずれ量に応じた位置関係に補正するとともに下層のパターン毎に下層データに応じた位置関係に補正し、補正された下層設計パターンの位置と上層側の実パターンを撮像した上層画像パターンの位置との間の合わせずれ量を上下層間の合わせずれ量として算出する算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】感度の高い表面検査が可能な表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたウェハ２０の表面に直線偏光Ｌ１を照射する照明部１０と、ウェハ２０から出射される楕円偏光を受光し、直線偏光Ｌ１と振動方向が異なる第２の直線偏光成分のみを通過させる検光子３と、ウェハ２０の像の信号強度を検出し、信号強度に基づいて被検基板の表面におけるパターンが形成されている位置を検出する位置検出部８ｂと、パターンが形成されている位置の信号強度が最小となるように、楕円偏光及び検光子３のいずれか一方を他方に対して相対回転させ、上記位置の信号強度が最小となる楕円偏光に対する検光子３の相対位置を決定し、上記相対位置に相対回転させる回転駆動装置３０と、検光子３を通過した第２の直線偏光成分を検出し、パターンを検査する表面検査部とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不感領域の影響を小さくして検査精度を向上させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】被検物を支持するステージ１０と、ステージ１０に支持されたウェハＷの表面に照明光を照射する照明部２０と、照明光が照射されて被検物の表面から反射されて出射される光を所定の撮像面上に結像させるとともに光軸をずらす撮像光学系３０と、撮像光学系３０により撮像面上に結像された像を受光する画素及び画素の周囲に設けられて像を受光しない不感部を備え像を撮像する撮像部材と、撮像部材により撮像された像に基づいて被検物の表面の画像を生成する画像処理部４５とを備え、撮像光学系３０が撮像部材６０の撮像面上に結像される像の位置が所定長さだけずれるようにウェハＷの表面からの光軸をずらしながら撮像部材６０が複数回撮像し、画像処理部４５が撮像された複数の像における各画素を合成して合成画像を生成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビュー装置などで取得された欠陥画像と設計データに基づくレイアウト画像とのマッチング処理の効率向上を図る。
【解決手段】欠陥画像処理装置は、設計データから得られるレイアウト画像５２と、欠陥画像５３から欠陥領域部分を除去した画像と、を正規化相互相関により画像マッチングし、そのマッチング結果として、レイアウト画像＆欠陥画像５４を表示装置に表示する。このとき、レイアウト画像＆欠陥画像５４には、欠陥画像５３と同じレイヤのレイアウト画像だけでなく、他のレイヤのレイアウト画像が欠陥画像５３に重ね合わせて表示される。従って、他のレイヤとの位置関係で発生するシステマティック欠陥の要因解析が容易になる。 （もっと読む）

【課題】製造ラインにおいて過去に検査された基準基板の検査結果を表す第１の基板面内特性分布情報と現に検査された解析対象基板の検査結果を表す第２の基板面内特性分布情報とを短時間で精度良く照合できる検査結果解析方法を提供すること。
【解決手段】製造ラインの或る工程において、その工程を実行する設備に対して過去に検査された基板が装荷された第１の基板装荷方向と解析対象基板が装荷された第２の基板装荷方向との差を表す角度を算出する（Ｓ１０１）。その角度を解消するように第２の基板面内特性分布情報を回転させる（Ｓ１０２）。回転された第２の基板面内特性分布情報を、第１の基板面内特性分布情報と照合する（Ｓ１０３）。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの膜厚の変動に起因する欠陥をＳＯＩウェーハ表面異物に影響されることなく、感度良く、低コストで検査することができるＳＯＩウェーハ検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検査対象のＳＯＩウェーハと、検査対象のＳＯＩウェーハよりＳＯＩ層の膜厚が所定厚ｔ［ｎｍ］だけ薄い、又は厚い膜厚のＳＯＩウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルＰ１、Ｐ２を算出し、両者の差のプロファイルＰ３、又は変化率のプロファイルＰ４を算出し、該算出したプロファイルＰ３又はＰ４内の最大ピーク波長λ_Ｍに基づいて選択した波長λ又は波長帯の光を検査対象のＳＯＩウェーハの表面に照射し、該ＳＯＩウェーハからの反射光を検出し、その検出した反射光の反射強度が増加してピークとなる箇所をＳＯＩ層膜厚の変動に起因する欠陥として検知することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】低価格で、且つ半導体基板のルミネセンス画像から高い精度でクラックを検出できる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１００にルミネセンスを生じさせる励起エネルギーＥｒを半導体基板に供給する供給装置１０と、第１の励起エネルギーＥｒ１及び第１の励起エネルギーＥｒ１と大きさの異なる第２の励起エネルギーＥｒ２が供給された半導体基板１００の第１及び第２のルミネセンス画像をそれぞれ取得する画像取得装置３０と、第１のルミネセンス画像と第２のルミネセンス画像とのルミネセンス強度の差分を半導体基板１００の各位置について算出して、強度差分画像データを作成するルミネセンス画像処理装置４１と、強度差分画像データの差分の大きさを用いた判定値に基づき、半導体基板１００のクラックが発生したクラック位置を検出する検出装置４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置において、欠陥の生じた膜を特定することにより、欠陥発生の原因分析を迅速化し、生産性の低下を防止する。
【解決手段】複数種の膜が積層された被検査対象の基板Ｗを撮像し、撮像データＤを取得するステップと、取得した撮像データから欠陥の有無を検出するステップと、検出された欠陥の領域の色情報を、所定の表色系に準ずる値として抽出するステップと、データベースに記録された全ての膜種の教示データから、前記検出された欠陥の領域と同領域の色情報を、前記所定の表色系に準ずる値として膜種ごとに抽出するステップと、前記検出された欠陥の領域の色情報と、前記教示データから抽出された色情報との相違度を膜種ごとに算出するステップと、相違度が所定値より小さい場合に、その色情報を有する教示データにおいて成膜されていない膜と同種の膜に欠陥を有すると判定するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）

【課題】微細欠陥はコントラストが低く、検査時取得した画像の画質ばらつきにより、高感度かつ安定的に検査することが困難である。
【解決手段】電子線の照射によって取得された第１の検出画像を処理対象として１回目の判定処理を実行し、検出された欠陥候補の領域についてのみ第１の検出画像とは異なる検出画像（第２の検出画像）を取得して２回目の判定処理を実行する。この後、２回目の判定結果だけを欠陥検出結果として出力する。 （もっと読む）

【目的】擬似欠陥を低減させるパターン検査を行う装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、パターン形成されたフォトマスク１０１における光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、パターンの設計データを画像データに展開して展開画像データを生成する展開回路１１１と、展開画像データに対してひずみ処理を行い、ひずみ画像データを生成するひずみ画像生成回路１４０と、画素毎に、展開画像データとひずみ画像データとの差異を示す非類似指数を算出する非類似指数算出回路１４２と、展開画像データに対してデータ処理を行い、光学画像データと比較するための基準画像データを生成する基準画像生成回路１１２と、画素毎に、非類似指数に応じた判定条件で、光学画像データと基準画像データとを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な例示的実施形態において、システムおよび関連の方法は、基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬に関する。システムは、基板操作機構などの半導体処理ツール内に組み込むことができる。システムは、１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器を備える。機械的パルスは、基板操作機構を通して基板に結合される。複数のセンサが、変換器の遠位に配置されており、音響的または機械的に基板に結合されるよう構成される。複数の遠位センサは、さらに、機械的パルスとパルスの任意の歪みとの両方を検出するよう構成されている。信号解析器が、複数の遠位センサに接続されており、検出されたパルスおよびパルスの任意の歪みをベースライン応答と比較する。 （もっと読む）

【課題】検査する領域の的確な決定を容易とする基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板検査装置は，基板のパターンを記憶するパターン記憶部と，前記基板に検査ビームを照射する照射系と，前記基板からの前記検査ビームの透過，反射，または散乱を受け取り，対応する信号を出力する受取部と，互いに並列な複数の走査線に沿って，前記基板上で前記検査ビームを走査する走査部と，前記複数の走査線にそれぞれ対応する複数の領域に前記基板を区分する領域分割部と，前記複数の領域それぞれから，前記パターンの所定の特徴量を抽出する特徴量抽出部と，前記抽出される特徴量に基づき，前記複数の領域から検査する領域を決定する検査領域決定部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】データ分析に関する発明を提供すること。
【解決手段】本発明の種々の局面による半導体のテスト方法およびテスト装置は、２つ以上のデータセットからのデータを分析するよう構成された複合データ分析要素を備えるテストシステムを含んでいる。このテストシステムを、出力レポートにデータをもたらすように構成することができる。複合データ分析要素は、空間分析を適切に実行して、複合データセット内におけるパターンおよび不規則性を特定する。さらに、複合データ分析要素は、複合データ分析を洗練させるため、クラスタ検出システムおよび除外システムなど、他のさまざまな分析システムと関連して動作できる。さらに、複合データを、他のデータとマージすることができる。 （もっと読む）

【課題】精度よく検査することができる検査方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる検査方法は、パターンが対称に配置されている対称領域を有する検査対象を検査する検査方法であって、検査対象の検査画像を撮像するステップ（ステップＳ１０１）と、検査画像から対称領域を抽出するステップ（ステップＳ１０４、Ｓ１０５）と、対称領域の中で対称に配置されている対称画素の輝度値を比較するステップ（ステップＳ１０６，Ｓ１０７）と、輝度値の比較結果に基づいて、検査対象の良否判定を行うステップ（ステップＳ１０９）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 検査コストを低減し、製品化までの時間を短縮し、欠陥デバイスが合格デバイスとして通過してしまう誤りの率を低下できる集積回路の検査の方法、装置及びシステムを提供する。
【解決手段】 本発明の装置では、共通の基板に、複数の被検査デバイス（ＤＵＴ）と、複数の比較装置が設けられる。この複数のＤＵＴは、すべて同一の入力刺激で動作し、各々が実行結果を発生する。この実行結果は比較装置で比較されて、比較特徴が生成され、その特徴により、欠陥のある被検査デバイスを検出する。 （もっと読む）