【課題】 検査途中における平行度調整を容易にすることにある。
【解決手段】 プローブカードに関する情報を処理する方法は、基板、該基板に配置された複数のプローブ及び前記基板に配置された記憶装置を備えるプローブカードに関する情報を処理する方法であって、少なくとも３つの第１の基準プローブと、針先高さ位置が揃っている少なくとも３つの第２の基準プローブとを決定し、プローブの最適オーバードライブ量を決定し、前記第１の基準プローブの針先のＸＹ座標位置、前記第２の基準プローブの針先高さ位置、及び前記最適なオーバードライブ量を前記記憶装置に書き込むこととを含む。 （もっと読む）

【課題】データ解析のための方法および装置、特に半導体試験データ解析に適したデータ解析のための方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の種々の側面にしたがうデータ解析のための方法と装置は、コンポーネントに対する試験データのようなデータ内の統計的外れ値（大きなデータ母集団のサブセット内の外れ値を表す混成外れ値を含む）を識別する。本発明の種々の側面にしたがう方法および装置は、半導体をテストするための自動テスト設備（ＡＴＥ）のようなテスタを有するテストシステムと協働し得る。外れ値は、データの分布に従って識別および分類することができる。 （もっと読む）

【課題】被テストデバイスの不良箇所の位置を３次元的に特定する。
【解決手段】故障解析装置７０には、被テストデバイスである半導体デバイス（ＤＵＴ）２１にレーザ光を照射して、照射された被テストデバイスの特定箇所を加熱して熱起電流を発生させるレーザ照射手段と、前記レーザ光を水平方向及び垂直方向に走査して前記被テストデバイスの光加熱抵抗変化画像を撮影する撮影手段と、水平方向の前記光加熱抵抗変化画像と前記被テストデバイスの平面レイアウト画像を水平方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第１の位置座標設定手段と、縦方向の光学ステージ位置情報と前記被テストデバイスの断面情報を縦方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第２の位置座標設定手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの裏面欠陥をその表面に形成されたパターンと関連して検出する。
【解決手段】表面に複数の回路パターンが形成されたウエハＷの裏面の欠陥を検査する検査装置ＳＴ２が、ウエハＷの裏面を照明する裏面照明装置１２０と、裏面照明装置１２０により照明された照明光の正反射光が入射しない位置に配置された裏面撮像装置１３０と、この裏面撮像装置１３０により撮像されたウエハＷからの散乱光に基づく画像からウエハＷの裏面における欠陥の存在およびその位置を検出する画像処理検査部５０とを有して構成される。画像処理検査部５０は、ウエハの表面において回路のパターンを分割するダイシングラインの画像を裏面撮像装置１３０により撮像されたウエハ裏面画像に合成して合成画像を生成し、この合成画像に基づいて欠陥の位置を各回路パターン位置と対応させて検出する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】試料を保持する試料ステージと、前記試料に電子線を照射する電子光学系を有するカラムと、前記電子線の照射により前記試料から発生した信号に基づいて第一および第二の画像を取得する画像取得部と、前記第一の画像から予め指定された種類の欠陥の有無を判定する画像演算部とを有し、前記画像演算部によって当該欠陥があると判定された場合、前記電子光学系は、前記第一の画像を取得したときの電子線と試料面のなす角度とは異なる角度で前記試料に電子線を照射し、前記画像取得部は、前記試料から発生した信号に基づいて第二の画像を取得する。 （もっと読む）

干渉計システムは、２つの間隔を空けて配置された参照フラットを含み得る。前記２つの間隔を空けて配置された参照フラットは、２つの平行参照表面間に光キャビティを形成する。第１のおよび第２の基板表面が対応する第１の参照表面および第２の参照表面に実質的に平行な様態で、前記第１のまたは第２の基板表面の間の空間が前記参照表面または減衰表面のうち対応するものから３ミリメートル以下の位置に来るように、前記基板を前記キャビティ内に配置するように基板ホルダが構成され得る。前記キャビティの直径方向において対向する両側においてかつ前記キャビティ光学的に結合して、干渉計デバイスが設けられ得る。
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ウエハの検査のための１つまたは複数のパラメータを選択するためのコンピュータ実装方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、およびシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程の加熱処理プロセスにおいて、ウェーハ面内における輻射率など光学特性の差異に起因するウェーハ面内の到達温度のばらつきを抑えるとともに、配線幅などの形状の差異に起因する特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の出力分布でウェーハを熱処理する熱処理ユニット11と、熱処理後の特性分布の目標値の入力部31と、光学特性の分布情報を取得する光学特性情報取得部34と、形状の分布情報を取得するための形状情報取得部33と、熱処理後の所定特性の分布情報を取得するための熱処理後特性情報取得部35と、目標値と、光学特性、形状、所定特性の分布情報と、出力分布を算出するための計算パラメータとを含むデータを保持する記憶部41と、記憶部41に保持されたデータに基づいて、所定特性の分布が目標値加熱源を制御する制御部44とを備える。 （もっと読む）

ウエハ上の欠陥を検出するシステムおよび方法が提供される。１つの方法は、検査システムの第１の光学状態および第２の光学状態を用いて、検査システムによりウエハを走査することにより、ウエハのための出力を生成することを含む。第１の光学状態および第２の光学状態は、検査システムの少なくとも１つの光学パラメータのための個別の値によって定義される。方法は、第１の光学状態を用いて生成された出力を用いてウエハのための第１の画像データと、第２の光学状態を用いて生成された出力を用いてウエハのための第２の画像データとを生成することを含む。さらに、方法は、第１の画像データとウエハ上の実質的に同一の位置に対応する第２の画像データとを組み合わせ、ウエハのための付加的な画像データを生成することを含む。方法は、付加的な画像データを用いてウエハ上の欠陥を検出することをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】画像処理を用いた回路パターンの欠陥検査では、検査対象となる回路パターンの画像を撮影する。このとき、撮影する毎にカメラを移動・停止していると、画像データの取得に時間がかかってしまうという課題があった。
【解決手段】複数の被検査物（回路パターン）が配列された基板に対して、撮影用のカメラを一定速度で移動させながら、予め決めておいた視野位置で連続的に撮影を行う。このため被検査物の配列情報とシステム側のハード的、ソフト的な拘束条件から、移動速度、撮影タイミングなどを予め求めておく。 （もっと読む）

【課題】複数の製造工程の組合せが品質に影響する製品について、製造過程の計測処理工数を抑えつつ、有効な検査を行う検査データ管理システム及び検査データ管理方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる検査データ管理システムは、複数の製造工程及び検査工程を経て同一基材上に製造されるデバイスの検査データを管理するものであり、検査工程毎に予め定められた基材上におけるデバイスの計測データの傾向を表す基準モデルと、基準モデルを判別することのできる基材上の検査データに対応する検査対象位置とを記憶する検査情報記憶装置と、検査対象位置において計測された検査データに基づいて、基準モデルを基材毎に判別する基準モデル判別部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハのパッドに接触するプローブチップのアライメントを確保する技術の提供。
【解決手段】ステップ１１００で、システムにウェハの搭載を行い、ステップ１１０５で、レーザがウェハの裏側をスキャンし、赤外線撮像装置が画像を取得する。ステップ１１１０で、ウェハのＣＡＤデータベースからデザインデータが引き出され、前記画像に位置合わせをするＣＡＤの調整をする。ステップ１１１５で、選択したコンタクトパッドが、プローブカードのピンに合うようにポイントのマークがなされる。ステップ１１２０によるウェハを止めることでウェハを取り除き、ステップ１１２５で、今度はプローブカードの撮影をする。この撮影画像を、ステップ１１３０で、マークの位置にピンが合っている？かを調べ、合っていれば、ステップ１１３５で、ウェハの再搭載を行い、合っていなければ、ステップ１１４０のカードの回転をして、ピンに合わせる。 （もっと読む）

【課題】 基盤電流値を用いてコンタクトホール底、ビアホール底のプロセス状態の定量評価を実施する際に、ホール底以外の影響を最小限に抑制し、ホール底のプロセス状態を評価できるコンタクトホール界面評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明のコンタクトホール界面評価方法は、電子ビームＥＢをウェハ基板ＷＥＨのコンタクトホールＣＯＮＨに照射して、ウェハ基板ＷＥＨに吸収される吸収電流値をウェハ基板電流値ＩＡＣとして測定することによってコンタクトホール界面ＣＯＮＨＤを評価するものであり、電子ビームＥＢの照射により測定されるウェハ基板電流値ＩＡＣがウェハ基板ＷＥＨの帯電状態や微妙な表面状態の影響を受けることを避けるために、任意のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣを基準にして、それ以外の複数のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣとの差分を求め、コンタクトホール界面を評価する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＥＭレビューを、より効率的に行う技術が望まれている。
【解決手段】 記憶装置に、異なる条件で欠陥検出が行われた２種類の欠陥検出データが記憶される。撮像装置が、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する。制御装置が、欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定する。欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う。 （もっと読む）

【課題】検査基板８を短時間で検査可能な電子線式基板検査装置１を提供する。
【解決手段】検査基板８上の検査領域内に電子線９を走査させる手段１１、１２と、検査基板８から発生する信号を検出する手段７と、検査基板８上の走査位置と信号を対応付けて画像化する手段１３と、検査基板８上に形成される複数の半導体装置の配列データと設計データ１９とに基づいて、検査基板８上における複数の半導体装置の存在する範囲を示すダイ領域と、半導体装置における、論理回路の存在する範囲を示す論理回路領域と、メモリ回路の存在する範囲を示すメモリ回路領域と、周辺回路の存在する範囲を示す周辺回路領域との内の少なくとも１つの領域をレイアウト上に生成する手段１５ａと、生成された領域を用いて、検査領域を設定する手段１５ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ビームスキャン範囲（視野、ＦＯＶ）を拡大し、ＦＯＶ面内の測定値がばらつかないようにＣＤの面内分布を均一又は略均一に分布させ、ローカルなＣＤのばらつき、縦線と横線のＣＤの違いなどのプロセス管理が容易な、電子ビームを用いる検査画像、検査方法、検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム検査の検査画像が、複数枚の画像の各々を細分割したサブフィールドについての最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わされて1枚の画像とする。対物レンズのフォーカス、若しくは、試料ステージの上下位置を所定の間隔で変化させ、複数枚の画像を取得する第１のステップ、取得した画像と設計データを比較し、ＦＯＶ内のＣＤ分布を計算する第２のステップ、ＦＯＶをサブフィールドに分割し、ＣＤ分布が均一になるように、各サブフィールドの最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わせ、１枚の検査画像を得る第３のステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の試験方法について、プローブカードを使用して半導体ウエーハ上の複数の半導体装置を同時に試験する時間の増加を抑制すること。
【解決手段】半導体ウエーハ１に形成された半導体装置２に同測でコンタクト試験をする場合に、良、不良それぞれの半導体装置のコンタクト電圧の最大値の電圧差を求め、コンタクト電圧が規格値から外れた半導体装置２について電圧差に基づいてその規格値を補正した後に、補正された新たな規格値を不良とされた半導体装置に適用する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】大量のスループットを可能にする高速プロセスを有する光学検査システムを提供する。
【解決手段】レーザ光源１０１からの光ビーム１５１は、活性領域を有し、複数の移動レンズを活性領域に選択的に生成するようにＲＦ入力信号に対して応答する移動レンズ音響光学デバイス１０４に適用される。該音響光学デバイスは、生成された移動レンズの各々の焦点のそれぞれで、光ビームを受け、複数のフライングスポットビームを生成するように動作する。該ポットビームは半導体ウェハ１０８を走査する。使用可能な走査データを生成するために、複数の検出器セクションを有する光検出器ユニット１１０が使用され、各検出器セクションは、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも１つのマルチステージ格納デバイスとを有する。格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。 （もっと読む）

【課題】キラー率が高い欠陥のサンプリング数を低下させずに欠陥データを解析に用いることが可能な欠陥検査装置、欠陥検査システム及び欠陥データ処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１１上の欠陥データを欠陥検査装置１００の検査部１１０で取得して記憶部１２２に格納し、得られた欠陥データを記憶部１２２内に予め格納している所定の分類基準に基づいて分類判定部１２３により欠陥種に分類する。分類された欠陥データに対して詳細な観察を行うレビューの対象とする第一のデータリストと、レビューの対象には含めないが解析を行う必要がある欠陥データを第一のデータリストに加えた第二のデータリストを処理演算部１２４で生成し、それぞれを他の検査工程において取得されたデータリストと重ね合わせ、レビューの対象には含めないが解析を行う必要がある欠陥の発生原因及び発生工程を特定する。 （もっと読む）

【課題】初回の検査で特定のデバイスＤにおいて規則的に検査不良が発生した場合、２回目の検査でその検査不良がデバイスＤに原因があるか否かを判断でき、延いては歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】本発明の検査方法は、制御装置１４の制御下で、ウエハＷを載置する載置台１１を移動させて、ウエハＷの２個のデバイスＤにプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａを電気的に接触させて、全てのデバイスＤについて電気的特性検査を行う際、全てのデバイスＤの電気的特性検査を終了した後、複数のプローブ１２Ａが接触する２個のデバイスＤのうち、２個目のデバイスＤで検査不良を発生している場合には、全てのデバイスＤについて再検査を行い、再検査の際に、プローブカード１２とウエハＷが接触する今回の接触位置を、前回の検査での接触位置からデバイス１個分だけずらしてデバイスＤの電気的特性検査を２個分ずつ行うことを特徴とする。 （もっと読む）