【課題】短時間で精度のよいプローブ検査を実施できる技術を提供する。
【解決手段】一括してプローブ検査が行われるチップ領域群において、実際にプローブ針の接触により特性が測定されるチップ領域１ＣＪは、１つのチップ領域おきに離間して配置し、プローブ針が接触しないチップ領域１ＣＨの特性については、そのチップ領域１ＣＨに最も近いチップ領域１ＣＪの実測値を基に補間計算を行うことで特性を求める。たとえば、実測値が計測されたチップ領域１ＣＪの対角線上にチップ領域１ＣＨが存在する場合には、そのチップ領域１ＣＨに最も近い補間領域ＨＫ４内の４つのチップ領域１ＣＪの実測値を基に補間計算を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの微小割れを検出するシステム及び方法の提供。
【解決手段】検査方法は、第１の軸に略沿ってウェーハの第１の表面から出る光を受けて、そこから第１の表面の第１の画像を得ることを含み、ウェーハは内部に形成された割れを有し、第１の画像は割れの少なくとも１つの部分を含む。検査方法は、第２の軸に略沿ってウェーハの第１の表面から出る光を受け、そこから第１の表面の第２の画像を得ることも含み、第２の画像は、割れの少なくとも１つの第２の部分を含み、第１の表面は平面に対して略平行に延び、平面上の第１の軸の正投影は、平面上の第２の軸の正投影に略直交する。検査方法は、第１および第２の画像の割れの少なくとも１つの第１の部分および割れの少なくとも１つの第２の部分のそれぞれから、第３の画像を構築することをさらに含む。より具体的には、第３の画像は、ウェーハ内の割れを検査するために略処理可能である。 （もっと読む）

【課題】測定面が複雑に湾曲した半導体ウェーハであっても、測定面全体の湾曲の傾向を的確に把握し、半導体ウェーハの平坦性に基づく良否判定を正確に行うことが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】測定工程（Ｂ）で得られた全てのシリコンウェーハのＢｏｗやＷａｒｐのデータを用いて、次の判定工程（Ｃ）で湾曲に基づく良否の判定を行う。判定工程（Ｃ）では、例えば、Ｂｏｗを横軸（Ｘ軸）に、Ｗａｒｐを縦軸（Ｙ軸）にしたグラフを用いて、測定工程（Ｂ）で得られたシリコンウェーハのＢｏｗ、Ｗａｒｐの数値に基づいてグラフ上にプロットする（Ｃ−１）。これにより、全てのシリコンウェーハのＢｏｗ−Ｗａｒｐの測定結果がグラフ上に示される。 （もっと読む）

【課題】 積層膜構成中の欠陥検査において、フォーカス位置を正確に制御して、各膜上、又は膜中の欠陥を的確に捉える。
【解決手段】 欠陥検査装置（１）は、ウェーハ上の屈折率を測定する屈折率測定手段（１０）と、前記ウェーハの画像データを取得して欠陥を検出する欠陥検出光学系（２０）と、前記測定した屈折率を膜種ごとに分類し、設計された成膜情報から欠陥撮像光学系のフォーカス位置を決定する制御部（４５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アライメンに使用するテンプレート画像を最適な方法で登録し、パターンマッチングのエラー、及び評価に要する時間を低減する。
【解決手段】最適なテンプレートのアライメントマークとの選定や識別及び類比判断を、異物検査装置に配備した相関値の演算機能により実践する。すなわち、異物検査装置に、被検査物の表面に形成されるアライメントマークの特徴点を登録する装置と、前記被検査物の表面上に形成されたアライメントマークの画像データを採取する装置と、前記画像データから特徴点を抽出し双方の特徴点より相関値を算出するデータ演算処理装置とを備え、前記相関値の閾値に基いて前記アライメントマークの画像データを登録する。 （もっと読む）

【課題】誤検出を低減して欠陥検出の精度を高め、しかも検査時間の短縮とコスト低減とを同時に図る。
【解決手段】照明光学系は、光を焦点面上に集光して被検査物１００に照射するとともに前記焦点面上の集光点を走査させる。光分割部２０は、被検査物１００から得られる光を分割する。第１の光検出部２１Ａは、集光レンズ３１Ａ、光制限部３２Ａ及び光検出器３３Ａを有し、分割後の一方の光を検出する。第２の光検出部２１Ｂは、集光レンズ３１Ｂ、光制限部３２Ｂ及び光検出器３３Ｂを有し、分割後の他方の光を検出する。光制限部３２Ａと共役な平面と光制限部３２Ｂと共役な平面とは、前記焦点面の付近において、互いに光軸方向にずれている。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）

【課題】試料のパターンから特定パターンを透過画像と反射画像を用いて識別すること。
【解決手段】パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、特定パターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状から特定パターンを識別する特定パターン識別部と、を備えているパターン識別装置、及び、パターンを有する試料の透過画像と反射画像の光学画像を同時に取得する光学画像取得部と、特定パターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状から特定パターンを識別する特定パターン識別部と、特定パターンを特定検査実行領域に設定する特定検査実行領域設定部と、特定検査実行領域において、光学画像取得部で取得した光学画像のパターン検査を行う比較判定部と、を備えている試料検査装置。 （もっと読む）

【解決手段】検出アルゴリズムの１つ以上のパラメータの値を選択するために用いられる情報を生成する方法及びシステムが提供される。１つの方法は、ユーザの介入なしに、ウェハ上の欠陥を検出するために、検査システム及び検出アルゴリズムのパラメータのデフォルト値を用いてウェハの領域の走査を行う。その方法は、走査の結果から、検出アルゴリズムの１つ以上のパラメータの値を選択するために用いられる所定の欠陥合計最大数に基づいて、欠陥の一部を選択する工程も含む。その方法は、更に、情報を記憶する工程を含む。その情報は、検査レシピに用いられる検出アルゴリズムのパラメータの値を、走査の後にウェハの追加走査を行うことなしに選択するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程における半導体装置等の欠陥を発見した場合に、後のレビューに有益な情報を取得する方法の提供。
【解決手段】外観検査装置１が取得した検査対象物に関する欠陥情報２１の入力を受け付けて記憶する記憶部３２と、検査対象物に関する画像を取得する画像取得部と、画像取得部を用いて欠陥情報に基づく欠陥レビュー用データを取得する処理部３１と、を備える欠陥レビュー装置２４、２５による欠陥レビュー方法である。処理部は、記憶部から読み出した欠陥情報２２ｂ、２３ｂにおいて、欠陥の集まりを示すクラスタが有るか否かを判定し、クラスタが有ると判定した場合、当該クラスタの分布特徴に基づき、画像取得部を用いて、検査対象物に関してクラスタの一部である欠陥部分の画像と付加的なデータとを取得する。 （もっと読む）

【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの存在する分割予定ラインをカーフチェックの対象とした場合であっても、ＴＥＧに影響されることなく、正確なチッピング検出を行えるようにする。
【解決手段】ＴＥＧが存在する分割予定ラインを切削した場合とＴＥＧが存在しない分割予定ラインを切削した場合との撮像画像上の特性の違いに基づきＴＥＧが存在する分割予定ラインを判定し（ステップＳ６）、さらに、ＴＥＧが存在する分割予定ラインについてはＴＥＧ領域抽出工程（ステップＳ８）によってＴＥＧ領域を抽出することで、ＴＥＧの存在しない部分のみをチッピング領域として認定するようにした（ステップＳ７，Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、ＥＰの座標データと前記ＥＰを含む回路パターンの設計データを入力とし，前記ＥＰ座標データと設計データから，前記ＥＰ内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し，このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜に破壊がない一方でリーク電流不良が発生し、且つリーク電流にゲート電圧の依存性があるような不良が発生した場合には、ゲート絶縁膜を評価するためにＣ−Ｖ波形の測定をすることが考えられ、Ｃ−Ｖ波形に異常が現れた場合は、ゲート絶縁膜中などの電荷の存在を検討する必要があるが、従来では実素子においてこれを正確に検証することはできなかった。
【解決手段】ディスクリートの絶縁ゲート型半導体素子の不良素子（実素子）について、保護ダイオードを切除することなく、ゲート絶縁膜中などの電荷の存在と電荷の極性を確認することができる。ユーザから返品されたサンプルが１個であっても、ゲート絶縁膜などに存在する電荷の検証が可能となる。 （もっと読む）

【課題】多層膜構造の化合物半導体基板の検査において、高精度に品質評価を行える検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層及びＧａＮ層が順次積層された化合物半導体基板１０の検査方法であって、バッファ層及びＧａＮの積層方向における断面を露出させる工程（Ｓ１）と、露出した断面にレーザを照射して、その断面のバッファ層、ＧａＮ層、及びバッファ層とＧａＮ層との界面の３点の応力を評価する工程と（Ｓ２）、縦軸を応力値、横軸を測定位置とした座標面に、３点の応力の応力値を各々プロットし、そのプロットした３点の座標面における位置により、化合物半導体基板１０の良否を判断する工程（Ｓ３）とを行う。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥検査を短時間で適切に行う。
【解決手段】ウェハを移動させながら、ウェハの各測定領域に対して異なる照度の照明を照らし（ステップＳ１）、各測定領域を撮像する（ステップＳ２）。撮像された各測定領域の画像に色むらが検出されない場合には、次のステップＳ３に進む。一方、色むらが検出される場合には、ウェハを回転させて色むらのない画像を取得する（ステップＳ２−１）。色むらのない各測定領域の画像からＲＧＢ表色系の基準輝度を求め（ステップＳ３）、各基準輝度と照度との関係をグラフ化する（ステップＳ４）。ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度が予め定められた所定の輝度に達する照度を、最適照度と設定する（ステップＳ５）。最適照度の照明が照らされたウェハを撮像し、ウェハの欠陥を検査する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】間引き測定の影響を受けることなく、微視的な欠陥分布形状に特徴のある線状パターンを抽出して検知することができる線状パターンの検知方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの欠陥検査の結果に基づいて作成された欠陥検査マップを取得し、前記欠陥検査マップを複数のセグメントに分割し、分割された前記各セグメントについて、前記セグメントに含まれる欠陥群を点列とみなして相関係数を算出し、算出した前記相関係数が第１の閾値以上であれば、そのセグメントに線状欠陥が有ると判定し、前記線状欠陥が有ると判定されたセグメントの数の合計数が第２の閾値以上であれば、前記ウエーハに第１の種別の線状パターンが有ると判定する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面の撮像画像を用いて試料表面の反復パターンを検査するパターン検査において、撮像画像内で検査を行うべき検査領域の設定を容易化する。
【解決手段】パターン検査装置１は、試料２の撮像画像とこの撮像画像を反復パターンの繰り返し方向へ繰り返し周期の整数倍となる距離をずらした画像との間の第１の差画像を生成する第１差画像生成部３４と、第１の差画像にて画素値の分散又は標準偏差が第１の閾値よりも小さい第１の候補領域を設定する第１候補領域設定部３５と、撮像画像とこの撮像画像を上記繰り返し方向へ上記繰り返し周期の整数倍ではない距離をずらした画像との間の第２の差画像を生成する第２画像生成部３６と、第２の差画像内にて画素値の分散又は標準偏差が第２の閾値よりも大きい第２の候補領域を設定する第２候補領域設定部３７と、第１及び第２の候補領域の重複部分を検査領域として設定する検査領域決定部３８と、を備える。 （もっと読む）

ウェハ質量の変化によって処理工程が特徴付けられる、それによって、製造の間、１つ以上の処理工程における統計的な処理制御を実現するための測定可能なパラメータとして質量が用いられる、半導体ウェハ製造メトロロジー方法。ある局面において、測定された質量分布の形状は、処理を監視するために、予め定められた特有の質量分布の形状と比較される。処理の制御変数と特有の質量変化との間における、定められた、実験に基づく関係によって、測定された質量分布と特有の質量分布との差が、制御変数について情報を与えることを可能にし得る。別の実施例において、個々の計測された、現在の分布におけるウェハ質量変化の相対的な位置は、一般的な処理問題から独立して、個々のウェハ問題についての情報を与える。
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【課題】潜在的不良を効果的に検出する半導体装置の検査方法、検査システム及び製造方法を提供する。
【解決手段】第１試験ステップにより複数の半導体装置から第１試験データを取得する。第２試験ステップにより上記複数の半導体装置から上記第１試験ステップとは異なる環境条件による第２試験データを取得する。第１統計処理ステップにより上記第１試験データを統計処理して第１分布を求める。第２統計処理ステップにより上記第２試験データを統計処理して第２分布を求める。第３統計処理ステップの第１処理により上記第１分布と第２分布との関連傾向を統計的に求め、第２処理により個々の半導体装置について、上記関連傾向に合致するか否かを判定し、上記関連傾向から外れたものを摘出する。 （もっと読む）