【課題】吸光性膜の厚さを広範囲にわたって干渉の影響を受けることなく解析可能な方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる透明基材９０にアモルファスシリコンからなる吸光性膜９１が被膜されている。この吸光性膜９１に照射部１０Ｘから検査光Ｌ１を照射し、反射検出部１０Ｙで反射率（Ｒ）を検出するとともに、透過検出部２０Ｘで透過率（Ｔ）を検出する。これら検出結果からＸ＝Ｔ／（１−Ｒ）を算出し、その算出値と、記憶部３３に格納した膜厚とＸとの関係データとに基づいて、吸光性膜９１の膜厚を解析する。 （もっと読む）

【課題】集積回路は正常動作のときに正常電流によって発熱して変形することに着目して、この正常電流を集積回路表面の形状の変化として検出することができる集積回路試験装置及び方法を提供すること。
【解決手段】レーザビームを、偏光ビームスプリッタ１１、１／４波長板１２、及び対物レンズ１３を介して集積回路サンプルの表面に照射して、その反射光を対物レンズ１３、１／４波長板１２、及び偏光ビームスプリッタ１１を介して４分割フォトダイオード１４で受光して、その出力の差分を差動増幅器１５によって検出することで、集積回路の表面が部分的に膨張したときにその周辺との境界の表面の傾きを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの端面領域の欠陥を検出する検査装置において、欠陥の種類の分類や致命性を判定できる手法がなかった。
【解決手段】本発明では、異なる角度からの照明系を用い、各照明系に用いる光源の波長の帯域を別にする。このことにより、撮像される反射光、散乱光はいずれの照明によるものかを弁別できる。また、各方向の照明による反射光、散乱光の強度の特性は欠陥の種類により異なる。これらの特性をもとに、欠陥の種類を分類することができる。また、検出サイズや欠陥の存在箇所の情報をこれと組み合わせることにより致命性判定も可能となる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハーを検査するように構成される装置を提供する。一つの装置は斜めの入射角でウエハーに光を向けることによりウエハー上の区域を照明するように構成される照明の下位組織を含む。その装置はまた照明される区域の中の異なる地点から散乱される光を同時に集めるようにそして異なる地点から集められる光を映像面の対応する位置に焦点を結ばせるように構成される集光の下位組織を含む。さらに、その装置は映像面の対応する位置に焦点を結ぶ光を別々に検出するようにそして映像面の対応する位置に焦点を結ぶ光に応答する出力を別々に生成するように構成される検出の下位組織を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク及びウェハー上に形成された測定対象パターンの測定領域を設定し、測定領域の測定位置を自動的に特定し、パターン計測できるパターン計測装置及びパターン計測方法を提供することを目的とする。
【解決手段】計測機能を有する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等のパターン観察・計測手段１０と、パターン描画データより測定対象パターンの設計図形パターンを取り出す描画データ抽出・変換手段２０と、測定対象パターンに設計図形パターンの形状を合わせ込むパターン形状合わせ込み手段３０と、測定対象パターンの測定領域を設定する測定領域設定手段４０と、測定対象パターンの前記測定領域内のパターン計測を行うパターン計測手段５０と、計測データを処理して、最適のパターン計測値を判定する判定手段６０と、装置全体の制御をつかさどる制御手段７０と、から構成されているパターン計測装置である。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの欠陥検査方法では、処理速度を高めるため、お手本となる基準パターンと被検査物は単純な比較による差異で良不良を判断していた。また、回路パターンは製品の動作に直接関係するため、できるだけ細かな差異を欠陥として判定させていた。しかし、細かな差異は過検出となり、別途目視での再検査が必要となる。
【解決手段】単純な比較による検査で不良と判定された被検査物の欠陥部分の画像を、欠陥の種類毎の分析によって、そもそも欠陥であるか否かと、欠陥であったとしても容認できるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】入力画像の画像幅が変化しても、高い精度にて欠陥検出処理を行うことができる画像処理装置を備えた外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、入力画像を、各々、入力画像の画像幅と同一の画像幅を有し、且つ、所定の画像長さを有する、複数の画像ブロックに分割する。この画像ブロックを、隣接する２つの繰返しパターン毎に比較し、両者の差から欠陥を検出する。画像処理装置は、入力画像の画像幅と画像ブロックの画像長さに関するデータを有しており、入力画像の画像幅が変化しても、画像ブロックの各々を格納することができる画像メモリを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、検査画像を取得するときの電磁波又は荷電粒子線照射の前後において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射しウェーハの帯電状態を変化させる電子線の照射条件に係るパラメータを設定するものであり、ウェーハの一列ダイ毎に、検査画像を取得する前において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射した後、照射の対応部分又はその近傍に検査画像を取得する電磁波又は荷電粒子線の照射を行ない、次いで、検査画像取得の照射した検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射する操作を順次繰り返す。 （もっと読む）

【目的】多数のエラー・生産情報全ての履歴をストックし、エラー・生産情報メモリ領域を拡大し、又、システムパラメータ拡張による機能アップを計り、エラー・生産情報の履歴を手軽に交換、持運びできるメディアを使用することで、データの解析をクリーンルーム以外でも使用する。
【構成】エラー発生時の情報やレシピ等による生産情報を直接、外部記憶媒体に書込み、前記エラー情報、生産情報を直接、外部記憶媒体からアクセスすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像を参照し、不良観察画像での反応情報に対応して解析領域を設定し、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、複数の配線での他の配線と候補配線との間の距離を参照して、候補配線に対する近接配線情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】試料表面の温度上昇を抑えて検出感度を向上させる欠陥検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】線状照明を行う照明光学系、被照明領域をラインセンサで分割して検出する検出光学系により、一度の検査で同一欠陥を複数回照明し、それらの散乱光を加算することにより検出感度を向上させる。本手法では試料表面での温度上昇を抑えることができ、またスループットを低下させずに試料表面を検査可能にする。 （もっと読む）

【課題】オペレータの負荷を軽減しつつ、不良ダイのマーキング判断を精度良く行う。
【解決手段】基板検査システムでは、ダイ２が複数配置されたウェハ１の表面を目視により概略的に検査して表面不良箇所を検査するマクロ検査部２０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果に基づき、前記ウェハ１の表面を第１の撮像装置４２により詳細に検査して表面不良箇所を検査するミクロ検査部４０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果と前記ミクロ検査部４０の表面検査結果とを所定のダイレイアウト上に記憶するシステムＰＣ５０内の記憶装置と、前記記憶装置の記憶結果と、前記ウェハ１に対する他の欠陥検査装置６２による欠陥検査結果と、前記ウェハ１に対する電気特性の不良箇所の測定結果とを解析して重ね合わせて前記不良箇所に対するマーキングデータ及び／又はインクレスデータを出力するデータ解析装置６３とを有している。 （もっと読む）

【課題】プローブ装置において被検査基板上の被検査チップの電極パッドとプローブとを、高さ方向について高精度に位置合わせが行われた状態で接触させることができる技術を提供すること。
【解決手段】予め被検査基板とは別の基準基板を用いて取得され、基準基板上の複数の基準点の各々と、撮像手段による基準点の撮像結果に基づいて計算により求められた駆動系座標上の接触位置と実際の接触位置とのＸ，Ｙ，Ｚ方向毎の差分である補正量と、を対応付けた補正データを用いて、測定用ウエハについて計算により求めた座標位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】 異物が電極パッド上に残っていたとしても針痕に異常がなければ、正常な針痕、しいては正常な電極パッドとして扱うことが望ましい。
【解決手段】 被検査物なる半導体ウェハにおいて、電気的特性検査をおこなった時、通電のために電極パッド上に形成される針痕だけでなくその他異物が混在している場合。その後工程である外観検査装置において、正規の針痕であるにもかかわらず、単に、被検査物を洗浄する際に取り除くことができるその他異物があるだけの場合でも、不良と取り扱っていたことに対し、その要因の異なる不具合の内容を当該発明の区別方法および装置によって区別することができ、被検査物の外観検査の信頼性を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の角度位置での試料画像に含まれる各欠陥を表す部分を単一の画像に集約させて表し、欠陥の属性（位置、形状、大きさ、数等）をより正確に判断することができるようにした検査装置及び方法を提供することである。
【解決手段】表面検査装置及び方法は、回転される半導体ウエーハ１０の表面を前記撮像カメラ３０にて撮影して得られる複数の角度位置での半導体ウエーハ画像のそれぞれから所定の基準画像を差し引いて差分画像を生成し、前記複数の角度位置での差分画像を角度位置の補正を行いつつ合成して合成画像を生成し、該合成画像から前記試料表面の欠陥を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の容量値Ｃを高精度に且つ安定して算出することが可能な容量値測定方法及び容量値測定器を提供する。
【解決手段】ＭＩＳ構造の複素インピーダンスＺの周波数依存性を測定した後、当該測定結果に基づいて、複素インピーダンスＺの虚部（反転値）測定値−Ｉｍ（Ｚ）の周波数依存性におけるピーク高さＲｐ／２を算出し、当該算出結果を用いて並列抵抗の抵抗値Ｒｐを算出する。また、前記測定結果に基づいて、複素インピーダンスＺの実部Ｒｅ（Ｚ）の低周波測定値（Ｒｐ＋Ｒｓ）を算出し、当該算出結果及び算出した抵抗値Ｒｐを用いて直列抵抗の抵抗値Ｒｓを算出する。以上の結果に基づいて、Ｒｅ（Ｚ）＝Ｒｐ／２＋Ｒｓであるときの周波数ｆを求め、当該周波数ｆ及び算出した抵抗値Ｒｐをｆ（Ｒｅ（Ｚ）＝Ｒｐ／２＋Ｒｓ）＝１／（２πＲｐＣ）の関係式に代入することによって、容量値Ｃを算出する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ（６）縁部の上部表面（６ａ）、端面（６ｂ）及び下部表面（６ｃ）の欠陥を簡単な方法で検査できる装置及び欠陥画像撮像方法を提供すること。
【解決手段】本装置は、ウエハ（６）の縁部領域の欠陥をユーザが評価するか、自動で行うことができる。特に本装置は、３つのカメラ（２５、２６、２７）を含み、各カメラは対物レンズ（３０）を備え、第１のカメラ（２５）はウエハ（６）の上部縁部領域（６ａ）に相対するように配置され、第２のカメラ（２６）はウエハ（６）の端面（６ｂ）に相対するように配置され、第３のカメラ（２７）はウエハ（６）の下部縁部領域（６ｃ）に相対するように配置される。 （もっと読む）

【課題】２波長方式で多層構造の被検体の内部を正確に測定できる表面検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】 短波長と長波長の波長を出射する光源部から光束を被検体の被検面に対して所定の入射角で同時又は択一的に入射させ、光源部からの光束の種類、及び第１光強度検出部からの出力に基づき、射出される少なくとも長波長の光束の強度を調整し、短波長の光束を照射した際の第１光強度検出部の出力と、長波長の光束を照射した際の第１光強度検出部の出力とを比較し、長波長の光束を照射した際の第１光強度検出部の出力にのみ現れる信号を、内部対象物からの検出信号と判別し、かつ、長波長の光束の強度を調整し、その内部対象物からの検出信号が消失する付近の消失レベルを求め、消失レベルよりも高いレベルに、長波長の光束の第１強度を設定し、第１強度の長波長の光束により得られる第１光強度検出部の出力に基づき、被検体内部の対象物を測定する。 （もっと読む）

【課題】 完全空乏型ＳＯＩトランジスタを有する半導体装置において、ウエハ面内の閾値を安定化さることが可能な半導体装置の高歩留安定化システムを提供する。
【解決手段】 完全空乏型ＳＯＩトランジスタを有する半導体装置において、チャネルドープ量の異なる２つのＳＯＩＮＭＯＳトランジスタを並列に接続し、ヒューズトリミングで選択できることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定サイズ以上の大欠陥がある場合に対応して検査時間を短縮することができる欠陥検出装置および欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】１次欠陥検出部３６は、検査対象物上の所定サイズ以上の大欠陥の有無を検出する１次欠陥検出処理を実行する。２次欠陥検出部３７は、検査対象物の画像データを用いて検査対象物上の欠陥を検出する２次欠陥検出処理を実行する。処理制御部３８は、２次欠陥検出処理の開始前に１次欠陥検出処理で大欠陥が検出された場合に２次欠陥検出処理を省略する、または２次欠陥検出処理の開始後に１次欠陥検出処理で大欠陥が検出された場合に２次欠陥検出処理を途中で終了する。 （もっと読む）