【課題】ウェーハレベルのバーンインとテストを実施するための技法の提供。
【解決手段】能動電子部品１０６ａ〜１０６ｄを備えたテスト基板１０８と、被試験ウェーハ１０４上の複数の被試験デバイスＤＵＴ１０２ａ〜１０２ｄとの接続を行うための金属性のスプリング接触エレメント１１０とを備え、前記テスト基板１０８は、ホストコントローラ１１６からの比較的少数の信号線を介してＤＵＴ１０２ａ〜１０２ｄをテストするための複数の信号を受信し、これらの信号をテスト基板１０８とＤＵＴ１０２ａ〜１０２ｄとの間の比較的多数の相互接続を介して送信する。 （もっと読む）

【課題】検温素子を有するダミー用基板の温度を、より多くの箇所で精度よく検知／測定することができる検知シートおよび温度測定システムを提供し、ダミー用基板の温度を精度よく測定することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】水晶振動子ＸにコイルＣが接続されてなる検温素子ｓを有するダミー用基板ＷＤを、センサコイル１３が設けられている樹脂シート１１上に載置する。検温素子ｓにセンサコイル１３を十分近い距離まで近接させることができるので、センサコイル１３は、検温素子ｓとの間で感度よく無線で送受信することができるとともに、対向していない検温素子ｓから出力される電磁波を受信することがない。よって、ダミー用基板ＷＤのより多くの箇所の温度を、精度よく検知することができる。 （もっと読む）

【課題】ステージ上に安定して試料を搭載でき、かつ解析視野を移動させることが可能な故障解析技術を提供する。
【解決手段】ステージ１１上に解析用プレート２を介して試料１を載置する。解析用プレート２の主面２ｂには凹部２ｃが設けられており、その凹部２ｃの底面２ｃａには固浸レンズとして機能する凸部２ｄが設けられている。そして、凸部２ｄは解析用プレート２の主面２ｂよりも突出していない。試料１とは別に、固浸レンズを有する解析用プレート２を備えているため、解析視野を移動させることができる。更に、凸部２ｄが解析用プレート２の主面２ｂよりも突出していないため、解析用プレート２を間に挟んで試料１をステージ１１上に安定して搭載できる。 （もっと読む）

【課題】 高い荷重を加えても変形が小さく、断熱効果を高めることにより、位置精度の向上や、均熱性の向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができるウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、前記チャックトップと支持体との間の空隙部に、パイプ形状のみからなる支持部材を有することを特徴とする。前記支持部材は、前記支持体に対し、同心円状に配置されているか、あるいは前記支持体のほぼ中央に配置されていることが好ましく、同心円状に配置された支持部材とほぼ中央に配置された支持部材の両方を備えることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 昇温速度が速くスループットを向上させることができ、ウエハを加熱処理する定常状態だけでなく、ウエハ処理の過渡的状態においても優れた均熱性を達成することができる加熱体を提供する。
【解決手段】 ウエハを加熱するための加熱体であって、ヒータ基板２と発熱体３を備えたヒータ１と、ヒータ基板２より熱伝導率の高い均熱板５とを具備し、均熱板５がヒータ１のウエハ載置面１ａの反対側に断熱層４を間に挟んで固定されている。ヒータ基板１の材質はセラミックスが好ましく、その中でも窒化アルミニウムが特に好ましい。また、均熱板５の熱容量はヒータ基板２よりも大きいことが好ましく、その材質としては銅又は銅合金が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッジを把持する方式のプリアライナーにおいて、ウェハのグリップ部分とリフタ部分の干渉を回避する。
【解決手段】ウェハの外周を把持する複数のクランプアームを有する把持機構と、前記把持機構を旋回させて、前記ウェハを所望の回転方向に回転させる旋回機構と、前記ウェハを前記把持機構の上方に移動させる複数のリフトアームを有するリフタ機構と、を少なくとも備えたアライナー装置において、複数のリフトアーム２０が上昇するとき、複数のリフトアーム２０のうち複数のクランプアーム１１と干渉する位置にあるリフトアーム２０が、前記把持機構に設けられた拘束部材１３に係止されてその上昇が拘束されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた被評価液の品質評価において、一度容器に接触した被評価液が再び半導体基板に接触しない構造を持ち、基板保持容器からの汚染を受けずに被評価液中の不純物を高精度で測定する半導体基板保持容器を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体基板保持容器１は、密閉した内部空間である基板保持室３と基板保持室３に半導体基板４を出し入れする基板出入り口とを有する保持容器本体２と、基板保持室３に保持容器本体３の内壁面とは間隔を有して半導体基板４を中空状態で保持する保持体５と、基板保持室３に保持された半導体基板４上に被評価液６を滴下する給水口７と、半導体基板４上から落下した被評価液６を排水する排水口８とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを熱処理する際の面内温度分布をより正確に求め得る温度分布測定方法、及び、その温度分布測定方法を用いた熱処理装置の調整方法を提供する。
【解決手段】モニタ用半導体ウェハ１０の第１の面に、ドーパント不純物を導入する工程と、第１の面の反対側のモニタ用半導体ウェハの第２の面に、導電膜１４を形成する工程と、モニタ用半導体ウェハに対して熱処理を行う工程と、モニタ用半導体ウェハの第１の面の各箇所におけるシート抵抗を測定する工程と、測定により得られたシート抵抗と、予め求めていたシート抵抗と熱処理温度との関係に基づいて、熱処理工程におけるモニタ用半導体ウェハの面内の温度分布を求める工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】板状の試料を試料台の所定の位置に吸着させるために、試料の外周面を押さえて試料を所定の位置に保持したまま、試料を平坦化や吸着しても、試料を擦らずに発塵しない位置決め装置を提供する。
【解決手段】位置決め装置は、所定の位置に試料７を保持するために、試料７の外周部を試料台９の表面と平行な多方向から試料台９へ押したまま、試料台９の表面の法線方向と平行に外周部と共に移動する移動機構１３を備えたオリフラ出しアーム８１、中心出しアーム８２を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの保護シートの貼付を良好に行うことができ、装置組み立ての容易化を図ることができるようにすること。
【解決手段】ウエハＷが載置されるウエハ載置面１４Ａを備えた内側テーブル部１４と、ウエハ載置面１４Ａに載置されたウエハＷの外側にはみ出た保護シートＨが載置されるシート載置面１５Ａを備えた外側テーブル部１５と、内側テーブル部１４を支持可能に設けられた昇降装置１９とを含んでテーブル１１が構成されている。昇降装置１９は、内側テーブル部１４の下部に設けられた上テーパ部２２と、この上テーパ部２２の下側に対向配置された下テーパ部２３とを備えている。昇降装置１９は、テーパ部２２，２３を相対移動させることにより内側テーブル部１４を昇降し、ウエハ載置面１４Ａに載置されたウエハＷの回路面Ｗ１とシート載置面１５Ａとを同一面上に位置するようになっている。 （もっと読む）

【課題】高低温ウエハチャックの加熱、冷却時のウエハ固定前後のウエハチャック表面の温度変化を抑えて、測定誤差を低減することができるプローバの制御装置を提供する。
【解決手段】ウエハを固定するウエハチャック16と、ウエハチャック16を３次元方向に移動可能な移動ステージと、ウエハチャック16に内蔵された温度調節装置5と、ウエハチャック16のウエハ載置面にあるウエハ吸着溝6と、ウエハ吸着溝6への負圧流量を制御する制御装置であって、ウエハチャック16の上にウエハが載置されている時には、基準負圧流量をウエハ吸着溝6に供給し、ウエハチャック16の上にウエハが載置されておらず、かつ温度調節装置5が動作中の時には、基準負圧流量未満の負圧流量をウエハ吸着溝6に供給する負圧制御装置50とを設けて構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を検査する作業者の負担を軽減できる検査補助装置を提供する。
【解決手段】回動支持機構１２０により回動自在に支持されて初期位置に保持されているキャリア保持部材１１０にウェハキャリア２００が保持され、このウェハキャリア２００を保持したキャリア保持部材１１０が検査位置まで回動される。これでウェハキャリア２００は下面開口２０２が後方に位置する状態となるので、その下面開口２０２から半導体ウェハＷの表面を目視により検査することができる。このため、作業者がウェハキャリア２００を目視できる位置まで持ち上げ続ける必要がなく、落下させることもない。 （もっと読む）

【課題】検査測定の進度にかかわらず、半導体ウエハ上の集積回路の電気的特性を精度良く安定的に検査測定できるウエハプロービング装置を提供する。
【解決手段】ウエハプロービング装置は、プローバーを用いて、半導体ウエハ上に形成された集積回路の電気的特性を検査測定するウエハプロービング装置であって、半導体ウエハを搭載する移動可能なチャック２と、チャック２のサイズを測定可能にするチャックサイズ測定用マーク２ａと、チャック２に対向するように設けられ、チャックサイズ測定用マーク２ａの位置情報７ａを検出するマーク認識部３と、半導体ウエハの検査測定中における位置情報７ａに基づいて、チャック２の位置を移動させることにより、集積回路上のパッドとプローブとの位置合わせを行うプローブアライメントを実行する駆動部４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、リーク電流を低減して高精度の測定が行えるプローバ用チャックの実現。
【解決手段】載置されたウエハを保持するプローバ用チャックであって、導電材料で作られウエハが載置されるチャックトップ31と、絶縁材料で作られチャックトップの底面を支持する絶縁部材32と、絶縁部材の下側に設けられ内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレート34と、を備え、絶縁部材32は、上面に設けられた上面導電層32Aと、下面に設けられた下面導電層32Bと、を備え、上面導電層32Aと下面導電層32Bは互いに絶縁されており、上面導電層はチャックトップ31の底面に接触し、下面導電層32Bは、バックプレート34の導電性の表面に接触する。 （もっと読む）

ウェハ温度測定および温度測定装置の較正のための方法および装置が、半導体ウェハの層の吸収を決定すること基づいている。吸収は、ウェハに光を向かわせ、入射光が衝突するウェハの下側から反射された光を測定することによって決定される。較正ウェハと測定装置は、ウェハ表面に対し所定の角度で反射された光を測定し、その他の光は測定しないように、配置構成されている。測定は、ウェハの中または上にあるパターンの像におけるコントラストの度合いを評価することに基づく。他の測定は、反射光または透過光に基づく温度決定と並んで、ウェハ内の光路長の決定を利用しても良い。
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【課題】半導体装置の裏面解析において、微細化された半導体装置に対して充分なパターン解像度、分解能および検出感度が得られる支持治具、および故障解析方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の表面にプローブを当てた状態で、半導体装置の裏面の被観察部を通して放出される発光を観察する故障解析の際に用いられる半導体装置の支持治具であって、前記半導体装置の裏面側の前記被観察部を除く領域に接触する接触部と、一端側が前記接触部に固定され、他端側が前記半導体装置以外の箇所に固定される支持部とを備え、前記接触部の中心が、解析時における前記プローブの中心とほぼ一致するように、前記接触部がウェハに対して相対的に移動する。 （もっと読む）

【課題】 高温においてもウエハを均一に加熱処理することができ、電極部分の断線を招くことがないウエハ保持体、及びそのウエハ保持体を搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 電気回路を有する半導体製造装置用のウエハ保持体であって、その高周波電極回路や抵抗発熱体回路などの電気回路に接続するための電極が筒状になっている。この筒状電極の内部には、不活性ガスを供給することができる。また、筒状電極の外径は２ｍｍ以上、内径は１ｍｍ以上であることが好ましく、筒状電極の表面の比透磁率は６００以下であることが好ましい。 （もっと読む）

半導体基板のプロセス用の熱チャックであり、層流をもたらす冷却通路を含む。上記熱チャックは、平面支持表面部及び底面部から選択される１つの中に上記冷却通路を形成する工程と、平面支持表面部と底面部との間にクラッド材を挟み、熱チャック組立品を形成する工程と、クラッド材が上記平面支持表面部及び上記底面部と融合する、温度及び条件下で、上記熱チャック組立品を加熱する工程とを含み、上記冷却通路は、これらの中に密閉されている。上記冷却通路は、フライス加工若しくは鋳造により形成することができ、曲がりくねった形状を形成する、隣り合う直線部を接続する放射状湾曲部を有する。
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【課題】 載置台と背面プレートを備えるヒータユニットについて、均熱性を維持向上させながら、昇温速度及び降温速度の高速化を図ると共に、そのヒータユニットを搭載することで、高いスループットを達成し得る半導体やフラットディスプレイパネルの製造検査装置を提供する。
【解決手段】 ヒータユニット１０の載置台１１と背面プレート１２の間に高熱伝導シート１４を挿入することにより、熱移動を載置台１１の処理面１１ａと平行方向に広げ、優れた均熱性を確保する。また、載置台１１の厚みを薄くしてヒータユニット１０の熱容量を低減し、冷却ブロック３をヒータユニット１０の背面プレート１２に当接又は分離させて、昇温速度及び降温速度の高速化を図る。 （もっと読む）

【課題】定盤上における可動ステージの移動に伴い定盤上面が受ける荷重に変化が生じ、あるいは定盤が載置される架台や床面などに変形が生じても、可動ステージの位置決め精度を維持することが可能な、定盤の支持装置を提供する。
【解決手段】定盤２を、位置が固定された支持点によって定盤２の下面を支持する１つ以上の定位置支持部２０ａ〜２０ｃと、定位置支持部２０ａ〜２０ｃの支持によって定盤２がたわむ箇所を支持する定荷重支持部４０ａ〜４０ｄと、で支持し、定荷重支持部４０ａ〜４０ｄは、伸縮によって支持荷重の変動を低減する。 （もっと読む）