【課題】半導体装置製造の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板の第１の主面の表面層に半導体素子の表面構造を形成し、半導体基板の第２の主面の表面層に、裏面電極を形成し、裏面電極層上に、導電性及び弾性を備えたシートを固着させる。そのシートは、樹脂層と、樹脂層上に形成された金属層と、金属層上に形成された金属粉を含有する粘着層と、を有し、粘着層と裏面電極とが固着される。これにより、半導体素子の裏面電極の傷の発生が防止され、そのような半導体素子を搭載する半導体装置の生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に形成されたパターンに接触することなくこのウェハを搬送することができる搬送装置、及び、この搬送装置を有する検査装置を提供する。
【解決手段】搬送装置１００は、略円板形状のウェハ９１の外周の対向する少なくとも２箇所の外周部を支持する支持部１０ｄ，１０ｅを有するフィーダアーム１０と、このフィーダアーム１０を駆動するアーム駆動部１４と、ウェハ９１の対向する方向と略直交する方向の少なくとも２箇所の外周部を保持可能なウェハ載置部２２，２３、及び、フィーダアーム１０に支持された状態のウェハ９１をウェハ載置部２２，２３に移載する時に、これらが干渉しないように設けられるアーム退避空間２１ａを有するパレット２０と、ウェハ９１をこのパレット２０と共に搬送するチェンジアーム５０と、アーム駆動部１４とチェンジアーム５０とを制御する制御部８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に形成されたパターンに接触することなくこのウェハを搬送することができる搬送装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ９１を搬送する搬送装置１００は、フィーダアーム１０の上面に、基準点Ｏを中心に対向するように形成され、ウェハ９１の水平方向の移動を規制する２つの壁部１０ｃ，１０ｇと、この壁部１０ｃ，１０ｇの各々の基準点Ｏ側に低く形成され、ウェハ９１の下面の周縁部を支持する２つの支持部１０ｄ，１０ｅと、２つの支持部１０ｄ，１０３の間に、低く形成された逃げ部１０ｆと、を有し、支持部１０ｄ，１０ｅの壁部１０ｃ，１０ｇとの境界の形状は、基準点Ｏを中心とし、ウェハ９１の直径よりも大きい直径を有する円の一部として形成され、支持部１０ｄ，１０ｅの逃げ部１０ｆとの境界の形状は、基準点Ｏを中心とし、ウェハ９１の直径よりも小さい直径を有する円の一部として形成される。 （もっと読む）

【課題】試料台から被検査試料を離脱する際の発塵を抑制することができる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ５を載置する試料台６と、試料台６に設けられた複数の電極８，９と、複数の電極８，９と半導体ウエハ５とを電気的に絶縁する絶縁部材４と、複数の電極の少なくとも１対の電極８，９間に電圧を印加する外側及び内側電極用電源１１，１３とを備えた半導体試料検査装置において、インピーダンス測定部１９により複数の電極８，９間のインピーダンスを測定し、昇降制御部２１ａは、その測定結果に基づいて動作信号１２１を出力する。プッシュピン２２及びプッシュピン駆動部２３は、その動作信号１２１に基づいて半導体ウエハ５を試料台６に対して昇降する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料の一部が浮いたように変形したウエハであっても、試料移動時の試料変形に効果的に抑制する試料保持装置、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料を第１の高さにて支持する複数の支持台を備えた試料保持装置において、前記試料が配置されていない状態で、前記第１の高さより高い第２の高さに、その先端が位置する接触体と、当該接触体を上下移動可能に支持するガイドと、当該ガイドに支持された前記接触体の先端が、前記第２の高さより下方に移動したときに、前記接触体を上方に押圧する押圧部材を備えた試料保持装置、及び当該試料保持装置を備えた荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】マニュアル操作によりウエーハ回転台６を回転させ、ウエーハ回転台上のウエーハ１０のノッチ１０ａを目視で目安棒８に位置合わせをして、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させることによって、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】評価時間の増大やプローブ装置への負担の増加を抑制しつつ、基板外周チップのプローブ検査を行えるようにする技術の提供。
【解決手段】複数の半導体装置が主面上に搭載された基板１１の周囲を取り囲むようにリング６１を配置する。基板１１の周縁部に位置する一群の半導体装置の電気的特性を同時に測定する際には、複数のコンタクトピン３１〜６０のうち基板１１の外側の領域と対向するコンタクトピンをリング６１の上面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】載置される基板の温度の均一性を向上させることができる基板保持治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施の形態にかかる基板保持治具１は、基板４が載置され、熱源からの放射エネルギーによって加熱されるものである。また、基板保持治具１は、放射エネルギーが照射される第１領域２７と、第１領域２７より少ない放射エネルギーが照射され、単位面積あたりで比較した場合、第１領域２７より体積が大きい第２領域２６、２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ付きメンブレンリングの数十μｍの微小なニッケルバンプを電気めっきにより多数形成する場合において、均一なサイズで形成する方法の提供。
【解決手段】ソーダライムガラスの微細な粒子を焼結させて形成した、孔径が０．５μｍ以下の微細孔を有する無機多孔質体からなる板状のフィルター１７を、処理槽１１に、陰極１３のメンブレンリングと平行になるように設置し、電気めっきを行う。これにより、サブミクロン程度の大きさのニッケル粒子からなるスライムが、陰極１３側へ拡散することを良好に防止することができ、均一なニッケルバンプ２６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジを支持することでウェーハ裏面とステージ面２２とを非接触にして該ウェーハが載置される測定ステージ２０と、ウェーハを測定ステージ上方に移動させるとともに上方からウェーハを測定ステージに載置するウェーハ搬送手段３０と、測定ステージの中央に形成されて上方に向かってガスを供給する噴出孔２６とを備えたウェーハ測定装置１００において、ウェーハ搬送手段に、圧力ガスが供給されることでウェーハ表面を非接触で吸着保持し、ウェーハを上に凸状に撓ませるベルヌーイチャック４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】オートドープの影響を適切に検出可能なオートドープの検出方法の提供。
【解決手段】オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。したがって、エピ成長膜におけるオートドープ取り込み部分の抵抗率を、ＰウェハＷｐの抵抗率やエピドープ制御膜部分の抵抗率よりも低くすることができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。 （もっと読む）

【課題】検査用基板のバンプの洗浄が不要であり、長期間の使用に耐え得るウェハ検査用治具、並びにこの治具を用いた半導体ウェハの検査装置及びウェハレベルＣＳＰの製造装置を提供する。
【解決手段】ボール保持部下部５０ｂは、密閉空間を負圧又は真空状態にする減圧部に連通して、弾力性のある複数の導電性ボール１をそれぞれ吸着させる複数の吸着孔５１を有するウェハ検査用治具であって、吸着孔５１の内壁の一領域又は全領域が、吸着孔５１の深さ方向に延在する導電部材５１ａで被覆されており、導電性ボール１が、半導体ウェハとテスティング装置との間に介在して試験信号を伝達する検査ボードの各端子に、導電部材５１ａを介して、電気的にそれぞれ接続される。 （もっと読む）

【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体１の凹部に設けられたプレート５の三箇所に、それぞれ、バネ９ａ，９ｂ，９ｃの弾性力によりガラス乾板１０を押し上げる為のピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃとピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられている。ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各筒状部と各ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃの下方側面それぞれとの間にオーリング６２ａ，６２ｂ，６２ｃが挿入されており、ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃがそれぞれピン支持体支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ上で回転可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】耐久力が高く、コストの低い位置合わせ機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】載置台１２の四辺に貫通孔９を設け、貫通孔９内に筒部３と、筒部３に挿通した軸部４を配置する。軸部４の上端にフランジ部８を設けておき、筒部３と軸部４を上昇させて、載置台１２の上方に位置する基板２０をフランジ部８に乗せ、四辺のうちの二辺の軸部４を傾斜機構によって、他の二辺である位置決め辺の軸部４に向けて傾斜させ、基板２０を押圧して位置決め辺の軸部４の側面に接触させ、位置決めを行う。カメラやＸＹθステージが不要であり、精度よく位置合わせできる。 （もっと読む）

【課題】分析用シリコンウェーハの運搬方法に関し、汚染濃度の水準の異なる数種のシリコンウェーハも安価且つ容易に運搬することができるようにする。
【解決手段】シリコンウェーハ表面の汚染濃度を分析するためのシリコンウェーハの運搬方法において、同一ロット内の２枚のシリコンウェーハを、分析したい状態を維持したまま表面同士を向かい合わせにして貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ１０と、貼り合わせ工程Ｓ１０の後に、貼り合わせられた状態の２枚のシリコンウェーハをウェーハケースに収納して運搬する運搬工程Ｓ２０と、運搬工程Ｓ２０の後に、貼り合わせられた状態の２枚のシリコンウェーハを元の１枚の状態へと剥離し、その剥離されたシリコンウェーハそれぞれを分析装置へ導入する剥離工程Ｓ３０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】板状体の荷重をセンサー線に負担をかけることなく支持することができ、プローブヘッドが板状体の重さを受けてスムーズに角度変更（相対回転移動）して追従・密着でき、その回転移動の際にもセンサー線にまったく負担がかからず、より細い感度のよいセンサー線を用いることも可能となり、更には、プローブヘッドからの熱の逃げも最小限とすることができ、温度測定をより正確に行うことができる温度測定用プローブを提供せんとする。
【解決手段】プローブヘッド３をプローブ本体４の先端部側方に設けるための支持構造として、双方の間に略球体状の支持体５を介装し、板状体Ｗの撓みや傾きに応じて、プローブヘッド３をプローブ本体４に対して内部の温度センサー線２１、２２に負担をかけることなくスムーズに角度変更（相対回転移動）させるように支持した。 （もっと読む）

【課題】基板の温度といった情報を検出または解析する基板、基板保持装置、解析装置、プログラム、検出システム、半導体デバイス、表示装置、および半導体製造装置であって、基板が高温になる環境でも用いることができ、かつ、この基板に対する加工作業の自由度の低下を防止できるものを提供する。
【解決手段】ウエハＷに、複数の共振器５を載置する。共振器５は、平面視矩形状の基体と、この基体５１に形成されたキャパシタ５２、およびインダクタ５３と、を備え、ＬＣタンク回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】 可動部の位置の変化によらず略一定の支持力可動部に対して付与し、且つ構造が簡単で、外部からエネルギーを供給する必要が無く、構成部品の劣化が発生しない自重支持装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、
軸方向に着磁され、両先端に磁極を有する柱形状からなる第一の永久磁石と、
貫通穴を有し、前記貫通穴の軸方向と平行で且つ略一様な磁場が、前記貫通穴内部の一定範囲において発生するように着磁された第二の永久磁石とからなり、
前記第一の永久磁石の一方の先端が、前記第二の永久磁石に形成された前記貫通穴に非接触で挿入され、且つ前記略一様な磁場の範囲内に位置するよう配置されており、
前記第一の永久磁石の他方の先端が、前記第二の永久磁石に形成された前記貫通穴の外部に位置するよう配置されており、
前記第一の永久磁石と前記第二の永久磁石との間に発生する磁力を、支持力として利用することとした。 （もっと読む）

【課題】昇降温を繰り返しても接触面での接触不良が生じ難く、長寿命なだけではなく、ヒータ本来の温度分布を低下させずに均一な加熱を可能とするユニットを提供すること。
【解決手段】支持基材１の主面に設けられた導電路を有する発熱体２と、端部端子が導電路および電源部に設けられた端子と接続された棒状電極４と、棒状電極４を発熱体２に押圧して密着させるためのばね部であるコイルばね５と、棒状電極４をサポートする電極支持部６を備えている。コイルばね５はブッシュ９によりサポートされ、当該ブッシュ９と固定ボルト７及びナット８の作用によりコイルばね５が圧縮されて、棒状電極４の一方端部に設けられた端子が発熱体２の導電路に設けられた端子と密着することとなる。支持基材１の加熱試料支持面と反対の面側に設けられている電極支持部６は、断熱又は発熱体側への熱輻射により、発熱体２からの放熱を抑制する効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】走査型容量顕微鏡を用いた半導体測定装置において、半導体基板などの測定サンプルのキャリア濃度を定量的に正確に測定することができ、しかもこのようなキャリア濃度の測定を、測定システムの規模の増大やコストアップを招くことなく低コストで行う方法の提供。
【解決手段】探針６ａと測定対象サンプル（濃度校正サンプル）３ｂ、３ｃとの間に形成される容量に交流電圧を印加したときの、該交流電圧の変化に対する容量の変化の比率である容量変化率を検出し、既知のキャリア濃度を有する測定比較サンプル３ｂ、３ｃにおける、その容量変化率とキャリア濃度との関係に基づいて、測定対象サンプル３ａの容量変化率から、該測定対象サンプル３ａのキャリア濃度の分布を導出する。 （もっと読む）