【課題】トッププレートの表面抵抗を低下させて安定した測定結果を得ることができると共に製造コストを低減することができ、更に、トッププレートに高電圧を印加してもトッププレートを下側の部材から電気的に確実に絶縁し、トッププレートからのリーク電流を確実に防止することができる載置台を提供する。
【解決手段】載置台２０は、半導体ウエハの載置面を有する無酸素銅からなるトッププレート２１と、このトッププレート２１の下面２１Ａ及び側面２１Ｂの下部を連続的に被覆するアルミナからなる絶縁皮膜２２と、この絶縁皮膜２２と接触するように配置され且つ無酸素銅からなる冷却ジャケット（下部板状体）２３と、を備え、アルミナは、純度が９９．９９重量％以上で、トッププレート２１の下面２１Ａでは０．４ｍｍ以上で１．０ｍｍ未満の厚さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】検査時にチャックトップ１１の外周近傍に偏荷重が作用してもチャックトップ１１を常に水平に保持し、ひいては検査の信頼性を高めることができる被検査体の載置機構を提供する。
【解決手段】本発明の被検査体の載置機構１０は、ウエハを載置するチャックトップ１１と、このチャックトップ１１を正逆回転可能に支持する支持台１２と、この支持台１２上でチャックトップ１１を正逆回転させるθ回転駆動機構１３と、支持台１２に対してチャックトップ１１を昇降案内する昇降案内機構１６と、を備え、且つ、支持台１２は、チャックトップ１１を支持台１２上に真空力により吸着固定するための真空排気路１４Ｂを有する真空吸着部１４と、チャックトップ１１を圧縮気体により支持台１２から浮上させ、あるいは圧縮気体を解除してチャックトップ１１を支持台１２上に着地させる気体供給部１５を有する昇降機構と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 干渉計から発射される測定波を反射させる反射体の面積を小さくすることができる技術を提供する。
【解決手段】 移動ステージ装置１０は、固定フレーム１２と第１〜第３フレームとステージ２６と第１干渉計１８と第１〜第３ミラーと移動量算出装置を備える。第１フレーム２４は固定フレーム１２に対してＸ軸方向に、第２フレームは第１フレーム２４に対してＹ軸方向に、ステージ２６は第２フレームに対してＺ軸方向に、それぞれ直線移動可能である。第１干渉計１８は固定フレーム１２に、第１ミラー３４は第１フレーム２４に、第２ミラーは第２フレームに、第３ミラー３８はステージ２６に、それぞれ取り付けられている。第１干渉計１８からＸ軸方向に発射されたレーザ光１８ａは、第１ミラー３４、第２ミラー、第３ミラー３８に反射されて、第１干渉計１８に入射する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料の自重を押圧作用に変換して試料を保持する機構を備えると共に、試料の大きさに依らず安定して試料を保持する試料ホルダの提供を目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、試料押圧機構による試料の押圧によって、試料を保持する試料ホルダであって、２つのてこを用いた試料ホルダを提案する。前記２つのてこは、試料を試料ホルダに載せたときの自重による押圧力を受ける第１のてこと、第１のてこによってもたらされる押圧力を、試料端部を押圧する押圧力とする第２のてこから構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの製造工程でプロービング装置によってウエハの電気的特性を測定（プロービング検査）する場合、半導体ウエハを載置するプロービングステージは平板状である。このため、半導体チップが配列する素子形成部のみが薄化され周辺部に初期の厚みが残った凹型形状の半導体ウエハについては、従来のプロービングステージに載置することができず、プロービング検査ができない問題があった。
【解決手段】一般的な平板状のプロービングステージ（第１のプロービングステージ）上に、第１搭載部と第１搭載部より突出した第２搭載部からなる凸型形状のプロービングステージ（第２のプロービングステージ）を配置する。これにより、凹型形状のウエハを凸型形状のプロービングステージとかみ合わせるように搭載できる。従って、素子形成部のみ薄化した半導体ウエハであっても十分に支持固定することができ、プロービング検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル検査を有効に行うことができる基板保持装置、基板検査装置及び基板保持方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持装置１において、基板Ｗを支持しこの基板Ｗと共に回転する複数の支持部材５，５，５，６，６，６を備え、これら複数の支持部材５，６は、基板Ｗと共に回転しながら、この基板Ｗを支持する位置（支持装置５参照）と、そこから退避した位置（支持装置６参照）とに移動する支持部材５，６を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持するとともに測定部を基板に容易に近接させて高精度な測定を実現する。
【解決手段】基板測定装置では、第１多孔質部材２１１から基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１多孔質部材２１１と対向する第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１との間において基板９を平坦化しつつ支持することができる。また、測定部移動機構４により測定電極３１を第１多孔質部材２１１に対して上下方向に相対的に移動することにより、第１流体の制御のみでは近接させることが困難な所望の位置（測定電極３１と基板９の上面９１との間の距離が０．３μｍとなる位置）まで測定電極３１を基板９に容易かつ迅速に近接させることができ、これにより、高精度なＣ−Ｖ特性の測定を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を製造するに際し、縦型の半導体素子が多数形成された半導体ウエハに対し、多チャンネルで電気的特性を検査できる方法の提供。
【解決手段】各導電性材料５２が絶縁性材料５３によって絶縁されて構成されたダイシングテープ５０を半導体ウエハ３０の裏面側に貼り付ける。ダイシングテープ５０の他面５５において、電気的特性を検査したい半導体素子に対応した場所にテスタ６０を対向配置する。続いて、テスタ６０をダイシングテープ５０の他面５５に押し付け、各導電性材料５２どうしを接触させて、第１電極１８、縦型の半導体素子、第２電極１９、導電性材料５２、およびテスタ６０を経由する経路を形成する。そして、各テスタ６０に異なる電位を与えることで、多チャンネルで電気的特性の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は一つの軸に回転性と移動性が集中されないスキャニングアームを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体ウエーハ汚染物質捕集装置のスキャニングアームは、半導体ウエーハの汚染物質捕集装置のスキャニングアームにおいて、Ｘ軸部（１１）と；該Ｘ軸部（１１）に沿って前、後進移動するようにＸ軸部（１１）に垂直設置されたＺ軸部（１２）；および該Ｚ軸部（１２）で昇、下降するようにＺ軸部（１２）に設置されるＹ軸部（１３）から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

一実施形態においては、ハウジングと、前記ハウジング内から延出し、変位軸に沿って移動するラッチ部材と、前記ハウジングに搭載され、前記変位軸に沿って前記ラッチ部材を移動させるよう前記ラッチ部材と動作可能に協働するアクチュエータと、前記ラッチ部材及び前記ハウジングと動作可能に協働し、前記ラッチ部材を待避位置へと付勢するよう配置した非線形付勢部材と、を含むクランプを開示する。他の実施形態も開示する。 （もっと読む）

【課題】本発明はウエハ固定治具および半導体装置の製造方法に関し、ウエハテストの工程において、ウエハの測定途中にプローブのクリーニングやコンタクトチェック等を実施することを可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明のウエハ固定治具は、ウエハ固定板と、前記ウエハ固定板の片面に載置されたウエハを固定する、ウエハ固定手段と、前記ウエハ上のチップの電気的特性のプローブによる測定を補助するために前記片面に配置された測定補助治具と、前記測定補助治具を固定するための、測定補助治具固定手段と、を備える。 （もっと読む）

ＸＹテーブルは、固定基準部分（Ｂ）と、該基準部分（Ｂ）に対して相対的に第１の方向（Ｙ）に移動可能に保持されている中間部分（Ｆ）と、該中間部分（Ｆ）に対して相対的に第２の方向（Ｘ）に移動可能に保持されている物体（Ｏ）とを含む。この場合、処理されるべき部品（Ｗ）が物体（Ｏ）又は基準部分（Ｂ）上に配置される。さらに、第１の方向（Ｙ）に対して、基準部分（Ｂ）と中間部分（Ｆ）との間の平面内自由度（Ｘ、Ｙ、Ｒｚ）を測定するための少なくとも１つの１Ｄプラスエンコーダ（Ｍ_１、Ｍ_２）と、第２の方向（Ｘ）に対して、物体（Ｏ）と中間部分（Ｆ）との間の平面内自由度（Ｘ、Ｙ、Ｒｚ）を測定するための少なくとも１つの１Ｄプラスエンコーダ（Ｍ_３、Ｍ_４）とを含む。これにより、部品（Ｗ）又は物体（Ｏ）におけるツール中心点（ＴＣＰ）の位置（Ｘｏ、Ｙｏ）が測定可能である。１Ｄプラスエンコーダ（Ｍ_１、Ｍ_２、Ｍ_３、Ｍ_４）は、第１及び第２（Ｙ、Ｘ）の方向に広がる平面であってツール中心点（ＴＣＰ）を含む平面内へのそれらの投影が、ＸＹテーブルの全走行領域内で部品（Ｗ）の外側に存在するように配置されている。これにより、アッベ（Ａｂｂｅ）条件が満足されるので、簡単な１Ｄプラスエンコーダを用いて物体（Ｏ）におけるツール中心点（ＴＣＰ）の正確な測定を可能にする。
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【課題】サイズの異なる複数種類の検査対象基板を、段取り替え無しに載置でき、載置後は自動で精度良く検査可能する手段の提供。
【解決手段】検査対象基板Ｗを保持するものであって、サイズの異なる検査対象基板Ｗをそれぞれ収容する複数の収容凹部３１、３２、３３を有する基板検査用保持板３と、前記基板検査用保持板３に保持された検査対象基板の検査を行う検査機器４と、前記基板検査用保持板３に保持された検査対象基板Ｗの検査対象面と前記検査機器４との距離を調節する距離調節機構６と、前記基板検査用保持板３に保持された検査対象基板Ｗのサイズを検出するサイズ検出機構５を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状態のまま検査を行うことを可能とする裏面照射型固体撮像素子の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１１を載置するステージ１４を構成する真空チャック４０は、吸引孔４３ａが配設された透明部材からなるチャックトップ４３と、開放された上部にチャックトップ４３が嵌め込まれるように形成された透明部材からなる支持容器４２とを備え、電極パッドが形成された表面とは反対側の裏面から受光を行う裏面照射型固体撮像素子が複数形成された半導体ウエハ１１の裏面１１ｂ側を吸着保持する。支持容器４２の底面にはＥＬシート４１が固着されている。ＥＬシート４１は、面発光を行い、検査光を、真空チャック４０を透過させて半導体ウエハ１１の裏面１１ｂ（裏面照射型固体撮像素子の光入射面）に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブ針の針圧不良を容易に検出することができ、不良解析時間を短縮することができるプローブ針圧力不良検出用の半導体装置、プローブ針圧力不良検出システム及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップのパッドレイアウトに対応して配列された複数の圧力センサ３０を有するプローブ針圧検出部２０と、
前記圧力センサ３０で検出した圧力を示す電気信号の各々をデジタル変換し、データ出力する制御回路４０と、
該制御回路４０で出力された前記データを外部に送信する通信回路５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査中のウェーハの震動を防止する。
【解決手段】表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が２カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度で熱伝導性に優れるため長期間にわたって安定して使用することができる半導体素子の測定用ステージを提供する。
【解決手段】半導体素子を製造する製造工場の検査工程で使用され、半導体素子を所定の温度域に維持した状態で連続的な検査動作を可能にした測定用ステージである。半導体素子が載置される平坦な上面を有する第一板材１と、第一板材の下面に接触する上面を有する第二板材２とが積層されて構成され、第一板材１は、第二板材２より硬度及び熱伝導率に優れたダイヤモンドで構成され、第二板材２は、第一板材１より板厚が厚く、且つ、第一板材との接触面積より広い上面を有して構成されている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生もなく、しかも、装置の寿命を縮めることなく残留電荷と絶縁破壊との防止を図ることができるワーク保持装置を提供する。
【解決手段】ワーク保持装置１は、ウエハＷを吸着して保持するチャックであり、ベース２と吸着フィルム３とを備える。ベース２には、冷却水路２０やリフトピン２１が設けられている。吸着フィルム３は、接着剤４を介して、ベース２の表面２ａに貼り付けられている。かかる吸着フィルム３は、ウエハＷが接触した際に、ウエハＷをファンデルワールス力で吸着することができる表面構造と柔軟性とを有している。好ましくは、吸着フィルム３をシリコーンゴムで形成する。 （もっと読む）

ウェハの大気浮力補償計量を実行するステップを含む半導体ウェハ計測技術において、ウェハは実質的に直立の状態で計量される。垂直またはほぼ垂直のウェハの向きによって、力（重量）センサの方向における表面積が、水平なウェハの向きと比べて小さくなる。したがって、ウェハの重量の力の成分と同じ方向に作用する静電力成分が小さくなる。
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【課題】本発明は、半導体プロセスに影響することがなく、再生可能なダミーウェーハを用い、簡易に膜厚測定を行うことが可能な膜厚測定方法、気相成長装置および膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】本発明の膜厚測定方法は、ＳｉＣダミーウェーハの表面に、所定条件で被膜を形成し、被膜をエッチングし、ＳｉＣダミーウェーハの所定位置において、ＳｉＣダミーウェーハ表面が露出するまでのエッチング時間を測定し、測定されたエッチング時間より、所定位置における被膜の膜厚を得ることを特徴とする。 （もっと読む）