【課題】 半導体ウェーハを薄くした後に熱処理を施したり、電気的特性を検査することのできる半導体ウェーハの処理用治具及び半導体ウェーハの処理方法を提供する。
【解決手段】 熱処理が施された後に電気的特性が検査される薄い半導体ウェーハＷを保持するものであって、半導体ウェーハＷを収容する耐熱性で中空のフレーム１と、フレーム１に取り付けられてその中空部を覆い、フレーム１の中空部に収容された半導体ウェーハＷを着脱自在に保持する耐熱性の弾性密着フィルム２０とを備え、半導体ウェーハＷの電気的特性の検査時には、検査装置３０に支持され、半導体ウェーハＷの電気的特性の検査後には、剥離装置４０に弾性密着フィルム２０を接触させ、弾性密着フィルム２０を変形させることにより半導体ウェーハＷを取り外す。 （もっと読む）

半導体製造ツールの試験に使用した試験基板を、データーベースから各試験基板に実行された処理工程を読み出し、複数の再生法からある再生法を選択することで再生する。再生法には各試験基板を再生するための結晶格子欠陥又は金属汚染物質低減処理が含まれる。各試験基板は、共通の欠陥又は汚染物質低減処理が割り当てられた試験基板のグループへと分類され、配置される。追加の構成は本文中に記載され、権利請求されている。
（もっと読む）

【課題】 イオン注入量に制限されることなく、半導体ウエハ面内の詳細なイオン注入量分布を評価する。
【解決手段】 評価用ウエハ２において、ソース１０ａ及びドレイン１０ｂと、ソース１０ａとドレイン１０ｂの間に形成されたチャネル領域１０ｃと、チャネル領域１０ｃ上に形成されたゲート酸化膜１０ｄと、ゲート酸化膜１０ｄ上に形成されたゲート電極１０ｅとを備えた、複数の同一構造をもつ評価用トランジスタ１０のみが、半導体ウエハ２ａの主表面全体に等密度に分布して形成されている。各評価用トランジスタがフィールド酸化膜８によって他の評価用トランジスタ１０と電気的に分離されている。チャネル領域１０ｃは、イオン注入量分布の評価対象であるイオン注入が施されて形成されている。 （もっと読む）

基板温度測定装置を開示する。この基板温度測定装置は、基板に熱的接触する蛍光体材料を含み、この蛍光体材料は、第二の波長帯において電磁放射線に曝されると、第一の波長帯において蛍光応答を生じさせ、この蛍光応答は、蛍光体材料の温度に関連する減衰率で減衰し、さらに、蛍光体材料は、プラズマに曝されると、第一の組の不揮発性副産物を生じさせる。この基板温度測定装置は、また、蛍光体材料とプラズマとの間に遮蔽窓を備え、この遮蔽窓によって、第一の波長と第二の波長を少なくとも部分的に伝播可能とし、この遮蔽窓は、プラズマに曝されると、第一の組の不揮発性副産物よりも少量の第二の組の不揮発性副産物を生じさせ、電磁放射線が遮蔽窓を介して蛍光体材料に伝播されると、蛍光応答の減衰率から温度が決定される。 （もっと読む）

【課題】実際の半導体プロセスおいて発生する微小欠陥に対応した欠陥検出感度を十分に保証し、特に欠陥検査装置の照明手段の光源交換後の感度調整を判断する指標として製造管理に利用する。
【解決手段】パターン８と、サイズの異なるコーン欠陥であり、シリコン基板１上にランダムに形成された擬似欠陥部７とを備えた欠陥検出感度校正標準基板を用いて、欠陥検査装置の照明部２１におけるランプ２１ａの交換後の感度調整を判断する指標として製造管理に利用する。 （もっと読む）

【課題】 付着量のバラツキを抑制し、標準粒子を安定して塗布できる標準粒子塗布装置を提供する。
【解決手段】 標準粒子塗布装置１０は、希釈液３１から標準粒子４２のエアロゾルを生成するエアロゾル発生部３と、標準粒子４２のエアロゾルが導入され内部に配置された対象物１に標準粒子４２を付着させる付着槽２１とを備える。対象物１の近傍には、水晶発振子５１が配置され、水晶発振子５１に付着した標準粒子４２の付着量に基づいて、付着槽２１への標準粒子４２の導入量を調整する標準粒子制御バルブ６２の開閉制御、もしくは、希釈液３１が収容された容器３２への希釈水の供給量を調整する希釈水バルブ６４の開閉制御が行われる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体ウェーハを検査する走査型電子顕微鏡において、ウェーハの交換に要する時間をさらに短縮することにより、ウェーハ検査のスループットを向上させる装置の提供を課題にする。
【解決手段】 本発明の電子顕微鏡は、未検査ウェーハ及び検査済ウェーハを交換するために設けられるウェーハ交換部(40)が、長手方向にスライドして往復する第１アーム(41a)と、この第１アーム(41a)の先端に設けられウェーハを把持／解放する第１ウェーハ把持部(45a)と、長手方向にスライドして往復する第２アーム(41b)と、この第２アーム(41b)の先端に設けられウェーハを把持／解放する第２ウェーハ把持部(45b)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い荷重を加えても変形が小さく、ウェハとの接触不良を効果的に防止でき、更にはウェハ保持体の駆動系の温度上昇を防止できる、ウェハプローバ用のウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 チャックトップ２と支持体４からなるウェハ保持体１において、チャックトップ２のウェハ載置面から支持体４との接触面までの間の厚みばらつきと、支持体４の底面からチャックトップ２との接触面までの間の厚みばらつきを共に５０μｍ以下とする。支持体４が円管部４２と台座部４１に分割された構造では、円管部４２のチャックトップ２との接触面から台座部４１との接触面までの間の厚みばらつきと、台座部４１の底面から円管部４２との接触面までの間の厚みばらつきを共に２５μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体からのノイズの漏れを低減したウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】ウェハ保持体１は、表面にチャックトップ導体層３を有する加熱体１１を備えたチャックトップ２と、該チャックトップ２を支持する支持体４とからなり、該支持体４の少なくとも一部が金属５０で覆われており、該金属５０と前記支持体４との距離は５ｍｍ以下であることが好ましい。前記金属５０と支持体４との距離は１ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ以下であれば更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも簡便に半導体ウェーハ収納用容器の評価を行えるようにする。
【解決手段】
半導体ウェーハ収納用容器１の外部雰囲気を大気圧から減圧する（減圧工程）。ついで、半導体ウェーハ収納用容器１の外部雰囲気を減圧状態から大気圧まで復圧する（復圧工程）。ついで、半導体ウェーハ収納用容器１の内部が大気圧に復圧するときの復圧速さを計測する（計測工程）。ついで、計測された半導体ウェーハ収納用容器１内部の復圧速さと、予め用意された基準の復圧速さ（図３の傾きΔＬ1、ΔＬ2、ΔＬ3、ΔＬ4）とを対比することによって、半導体ウェーハ収納用容器１を評価する（評価工程）。 （もっと読む）

【課題】設備投資の大きな増大を招くことなく、高温測定から低温測定への切り換えを効率的に行うことができる基板試験方法及び装置を提供する。
【解決手段】測定ステージ１０に被試験基板８を載置して高温で試験を行い、測定ステージ１０から被試験基板８を取り外し、測定ステージ１０に、測定ステージ１０よりも熱伝導率の低い材料からなる補助ステージ４０を装着し、補助ステージ４０に被試験基板８を載置して低温で試験を行う。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流を誘電層に流させることなく、半導体ウエハの被覆極薄誘電層を介してコンタクト又はプローブによって半導体ウエハに付与されるＣＶ式刺激に対する半導体ウエハの応答を測定する。
【解決手段】半導体ウエハ１０の少なくとも１つの電気特性を測定する方法は、非限定的に、熱酸化、アノード酸化、又は析出酸化などによって例示される、制御された酸化処理によってその外表面上に絶縁性酸化物層６０が形成された弾性変形可能で導電性のコンタクト６を提供する工程を有する。このコンタクト６の表面上の酸化物層６０と半導体ウエハ１０の上面１６上の誘電層１４との間に第１電気接触が形成され、半導体ウエハ１０に第２電気接触が形成される。第１電気接触と第２電気接触との間にＣＶ的刺激が付与される。このＣＶ的刺激に対する半導体ウエハ１０の応答を測定し、この応答から、誘電層１４、半導体ウエハ１０又はこれら両方の少なくとも１つの電気特性が測定される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを保持するときにグリッパーの傾きがあっても、一定の状態で安定してウェーハを保持できるグリッパー、及び保持方法、並びに形状測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ６の形状測定の際に半導体ウェーハ６を保持するための短冊形状の保持用グリッパー１であって、半導体ウェーハ６を保持する側がラウンド形状であり、ラウンド形状部４の側面に、側面に沿って半導体ウエーハ６のエッジ７を保持するための溝５を有し、ウェーハ６の周囲から溝５が半導体ウェーハ６のエッジ７に当接して半導体ウェーハ６を保持する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具等のドーパント汚染を、簡便かつ確実な方法で測定できるドーパント汚染の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具のドーパント汚染の評価方法であって、合成樹脂からなる密閉袋中に前記部材または治具からなる試験片と半導体ウエーハと雰囲気となるガスとを封入し、該試験片と半導体ウエーハとガスを封入した密閉袋に第１の熱処理を施したのち、前記半導体ウエーハを密閉袋中から取り出し、該半導体ウエーハに第２の熱処理を施し、その後、前記半導体ウエーハの抵抗率を測定することにより前記部材または治具のドーパント汚染を評価することを特徴とするドーパント汚染の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの亀裂を簡易に検出できるウェハの検査方法を提供する。
【解決手段】
７５０℃以上に設定された加熱雰囲気から冷却雰囲気へ所定の移動速度でウェハを移動させて前記ウェハを急速冷却し、前記ウェハの亀裂部に割を生じさせる急速冷却工程を有することを特徴とするウェハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】 イメージセンサの感度補正データが、校正ミラー片に付着した異物によって変化することを防止する。
【解決手段】 異物付着検出部１７は、メモリ１８と比較処理部１９とからなる。メモリ１８は実装されたばかりの異物の付着していない校正用ミラー片３をイメージセンサ１１によりスキャンしたときのセンサ出力を保存する。イメージセンサ１１の同期信号は、ステージコントローラ２１が移動ステージ１を制御するために使用するエンコーダ信号に基づいて、同期信号発生器２０において作成される。メモリ１８にデータを保存する処理は、校正用ミラー片３を交換した直後に一度だけ行えばよい。比較処理部１９は、補正データを取得するときに校正用ミラー片３をスキャンして得られたセンサ出力と、上記の処理により校正用ミラー片３を交換した直後にメモリ１８に保存されたセンサ出力との比較を行い、校正用ミラー片３に異物が付着したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 基板が薄肉化しても基板表面から温接点部が突出することなく、実基板を熱処理する際の温度分布を正確に測定できるようにした基板熱処理炉用の測温基板を提供する。
【解決手段】 実基板と同形同材のダミー基板の表面に点在する多数の凹部の底部に相互に間隔をあけて貫通する一対の挿通孔を開削し、一対の挿通孔の間に位置して凹部の底部に収容孔を形成している。熱電対は、一対の熱電対素線を凹部の底面に密接せしめると共に、該熱電対素線の先端に膨隆する温接点部を凹部から前記収容孔に嵌入せしめた状態で、該凹部に耐熱固着剤を充填することにより熱電対素線を凹部に埋設されている。 （もっと読む）

【課題】 １枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度、かつ、短時間に分析し得るシリコンウェーハの不純物分析方法の提供。
【解決手段】 密閉空間に水平にセットした１枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。 （もっと読む）

【課題】 カセットに応じたカセットガイドの交換や位置調整等をすることなく、多数の異なった形状のカセットに対応できるウェハ搬送装置、及びカセット設置用アダプタを提供する。
【解決手段】 ウェハを収納したカセットを載置して昇降させるエレベータ台３が備えられ、カセットからウェハを取り出して搬送を行うためのウェハ搬送装置Ｗにおいて、エレベータ台３に位置決めして取り付け可能な複数種類のカセット設置用アダプタ４が互換可能に備えられ、これら各々のカセット設置用アダプタ４には、互いに形状の異なる複数種類のカセットを各カセット毎に所定の位置に載置するためのカセットガイド２１が設けられているような構成とした。 （もっと読む）

【課題】 基板表面上における液滴保持性が高く、不純物の回収が可能な試料の範囲を拡げることが可能な液滴保持具及び不純物回収方法を提供する。
【解決手段】 管状の形状を有し、少なくとも一端に開口面積が４０ｍｍ^２以下である開口部を有し、かつこの一端の端面にテーパ３０２が設けられており、耐酸性かつ撥水性を有するフッ素系樹脂から成ることを特徴とする。 （もっと読む）