【課題】トランスファー成型性などの成型加工性が良好であり、高い耐光性および耐熱性を有する半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を必須成分として含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物からなる半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】放熱性及び耐反り性に優れ、ワイヤースイープ量の低減が図られたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ハイドロキノン型エポキシ樹脂と、アルミナ粒子と、２−（ジフェニルホスフィニル）ハイドロキノンとを含有し、アルミナ粒子のエポキシ樹脂組成物中の含有量が７０〜９０質量％であるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、成型時間６０〜１２０秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置を実装する際に、半田不良の有無を外観上で確認できるようにし、それによって、実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、ダイパッド４と、ダイパッド４の上面に搭載された半導体素子５と、ダイパッド４の周囲に配置され且つ半導体素子５と電気的に接続された外部端子３と、外部端子３の上に形成された保護層２とを備えている。外部端子３には第１の貫通穴１１Ａが形成されていると共に、保護層２には、第１の貫通穴１１Ａと少なくとも一部が重なる第２の貫通穴１１Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物の使用なしで優れた難燃性を備えることができ、しかも耐湿信頼性、成形性も良好な封止用樹脂組成物、及びそのような組成物を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）多価アルコール型非イオン性分散剤、（Ｄ）水酸化アルミニウム、及び（Ｅ）水酸化アルミニウム以外の無機充填剤を必須成分とし、ハロゲン系及びアンチモン系難燃剤を含有しない封止用樹脂組成物、また、そのような組成物の硬化物によって半導体素子を封止してなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、硬化物が２００℃以上の大気雰囲気下において劣化がほとんど観測されず、かつ粘度が低い熱硬化性樹脂組成物を提供する事を目的とする。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜８００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、２０〜８０℃における最低粘度が５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物により達成できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、半導体素子とそれが搭載されるパッケージ基板の熱膨張差による反りを抑制し、高い実装性と接続信頼性を実現する。
【解決手段】基板４上に半導体チップ１がバンプ２で接続され、半導体チップ１周辺にモールド樹脂３が設けられており、半導体チップ１角部から基板４角部近傍における半導体チップ１からモールド樹脂３端部までの距離をＡ、基板４辺部中央近傍における半導体チップ１からモールド樹脂３端部までの距離をＢとした場合において、Ｂ＞√２×Ａの関係となるようにモールド樹脂３を設けることにより、小型化，薄型化と信頼性を確保しながら、容易に半導体装置の反りを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤを被覆していた樹脂に起因して半導体装置の不良が発生することを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１０を配線基板２０の上に配置する。次いで、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続する。次いで、ボンディングワイヤ３０の少なくとも一部に絶縁膜３２をコーティングする。次いで、半導体チップ１０及び絶縁膜３２を封止用樹脂で封止する。このように、絶縁膜３２は、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続した後に形成される。従って、絶縁膜３２が異物となってボンディング不良を生じさせることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】難燃性に優れ、かつ成形性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】電気部品、電子部品または集積回路の被覆、絶縁または封止に用いられるエポキシ樹脂組成物であって、所定一般式で示されるエポキシ樹脂（Ａ）、所定の一般式で示されるフェノール樹脂（（Ｂ）および（Ｃ））、硬化促進剤（Ｄ）、及び無機充填材（Ｄ）を必須成分とし、（Ｂ）と（Ｃ）との重量比［（Ｂ）／(Ｃ)］が１〜１０であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第１のヤング率を有する第１の樹脂層と、前記第１のヤング率よりも大きな値の第２のヤング率を有する第２の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置において、パッケージ応力の分布の均一度を向上させる。
【解決手段】半導体チップ５の主平面と封止樹脂１５との間に、半導体チップ５の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂１５の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層９を備えている。応力調整用樹脂層９は、応力調整用樹脂層９が形成されていない場合の半導体チップ５の半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して配置されている。 （もっと読む）

【課題】テーピング梱包しても、樹脂フィルムの内面に粘着することのない光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の光半導体装置は、リードフレーム上に発光素子を搭載し、発光素子の周囲に蛍光体樹脂とモールド樹脂が形成された構成を有する光半導体装置において、リードフレームにはモールド樹脂が成形された樹脂成形フレームと、モールド樹脂の上面には凸部が形成されていることを特徴とする。また、樹脂成形フレームにおいて、リードフレームの端子部が、モールド樹脂から突出するように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体用途において、耐熱黄変性、耐光性、ガスバリア性及び密着性に優れた、透明な硬化物を形成することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式（１）


［Ｒ¹は置換若しくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ^２はアクリロキシ基又はメタアクリロキシ基、Ｘは炭素数３〜１０の二価の炭化水素基、ａは１以上の整数、ｂは０以上の整数、ａ＋ｂは３〜２０の整数）で表される環状オルガノポリシロキサンを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５と複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。各リード部１６は封止樹脂部２３の裏面に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６はダイパッド１５の周囲において平面から見て１つの円周Ｃ_１上に配置されている。ダイパッド１５およびリード部１６は、それぞれ封止樹脂部２３から裏面側に向けて突出している。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、配線基板１０と、配線基板１０の半導体素子搭載部１５上に載置された半導体素子２１と、配線基板１０の内部端子１７と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、半導体素子搭載部１５、内部端子１７、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。配線基板１０の非導電性基板１１は、非導電性基板１１を貫通して形成されたビア１２を有し、ビア１２内に、内部端子１７と外部端子１８とを電気的に接続する導体１３が充填されている。半導体素子搭載部１５の裏面に補強層１４が設けられ、かつ各外部端子１８は、半導体素子搭載部１５の周囲において平面から見て少なくとも１つの円周上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】放熱板に半導体素子が実装された半導体装置において、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することを目的とする。
【解決手段】銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板３の一方の面に半導体素子１が実装され、半導体素子１が封止樹脂８で樹脂封止され、封止樹脂８は、第１の封止樹脂８ａと、第１の封止樹脂８ａよりも大きな熱膨張係数を有する第２の封止樹脂８ｂとを含み、第１の封止樹脂８ａは半導体素子１を覆うように形成され、第２の封止樹脂８ｂは第１の封止樹脂８ａの外側に形成された。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図るとともに半導体素子の多ピン化に対応することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とリード部１６とを有するリードフレーム１０と、半導体素子２１と、導電部２２と、封止樹脂部２３とを備えている。リード部１６は、複数の放射状部分４１、４２と、複数の中継部分４３、４４とを含み、半導体素子２１の各端子部２１ａは、導電部２２により放射状部分４２または中継部分４３、４４に接続されている。放射状部分４１、４２および中継部分４４の裏面にハーフエッチング部１７を形成し、中継部分４３およびダイパッド１５の裏面に、基板側端子５１と接続可能な接続端子部２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣカードが、強い外力を受けると、ＩＣモジュールのＩＣチップと封止樹脂が破壊され易い問題を解決し、高荷重耐性のＩＣカードを提供する。
【解決手段】ＩＣチップ側面を低弾性率封止樹脂９で覆いＩＣチップ回路面と滑らかに連続した、且つＩＣチップとスルーホールとの間の領域に広がる形状の低弾性率封止樹脂９を位置させ、更にＩＣチップ、ボンディングワイヤー、軟らかい封止樹脂、スルーホールを高弾性率封止樹脂２によって被覆することで、ＩＣモジュールを保護し、同時に曲げられた状態で生じるＩＣチップ側面近傍での応力集中を緩和し破壊、剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】電子構造体の一部を被覆しない状態でモールド樹脂による封止を行い、露出部の一部をさらに封止材で封止するとともに、この封止材をせき止めるダム部材を設けてなるモールドパッケージにおいて、ダム部材とモールド樹脂との接触部からの封止材の漏れだしを防止する。
【解決手段】電子構造体１に、モールド樹脂２で被覆されない部位であって互いに隣り合う第１および第２の露出部１４、２４が設けられ、モールド樹脂２のうち第１の露出部１４、２４に位置する部位には凹み５を構成する内壁面６が形成され、この凹み５に封止材５０が設けられ、内壁面６の切り欠き部５ａを塞ぐようにダム部材６０が設けられ、内壁面６のうちダム部材６０の両端６１に相対する部位は、第１の露出部１４、２４から離れる方向に拡がる傾斜した傾斜面６ａとされ、傾斜面６ａに沿うようにダム部材６０の両端６１が傾斜して傾斜面６ａに密着している。 （もっと読む）

【課題】
封止用エポキシ樹脂組成物を用いてのパッケージ成形における、成形金型の内側表面に滲み出た離型剤成分の転写によるマークや汚れ、成形物パッケージ表面での汚れや空孔（ボイド）生成を低減、抑制する。
【解決手段】
エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤とともに離型剤を含み、離型剤は、
（ａ）酸化ポリエチレン
（ｂ）天然カルナバ
（ｃ）ヒドロキシステアリン酸アミド及びモンタン酸ビスアミドのうちの少なくとも一種、
を含み、かつ、成分（ａ）が離型剤合計に対して５０質量％以下の封止用エポキシ樹脂組成物とする。 （もっと読む）