【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置２１は、パッケージ２２内に、２組の半導体チップ２３及び金属ブロック体２８を備え、下面に共通の放熱板２４、上面に放熱板２５、２６を備える。放熱板２４の露出面に、前後方向に延びる凹部２４ａを設ける。半導体装置２１の製造にあたっては、半導体チップ２３、金属ブロック体２８、放熱板２４、２５、２６等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ２２を形成する。この後、パッケージ２２の下面を、切削ラインＣまで切削して放熱板２４を露出させる。凹部２４ａによって放熱板２４が分断されるので、放熱板２４が深く切削されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】
低粘度化による液状性と反応性を保持しつつ硬化物の低弾性率化と高靭性化をはかることができる、液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
常温で液状であるエポキシ樹脂組成物であって、組成成分として、
ａ）常温で液状であるエポキシ樹脂、
ｂ）ポリビニルアセタール系改質材、
ｃ）硬化剤及び硬化促進剤、
ｄ）フィラー
を含有し、前記したポリビニルアセタール系改質材の配合割合は、常温で液状であるエポキシ樹脂１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の範囲内であり、かつ、液状エポキシ樹脂組成物の全体量に対して、０．５〜７質量％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】放熱性、応力緩和性、及び接合強度を両立することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材１１と、接合材１６により支持基材１１に接合された半導体素子１５と、が含まれている。接合材１６には、支持基材１１及び半導体素子１５と接触する多孔質金属材１６ａと、多孔質金属材１６ａの空隙１６ｂの少なくとも一部に充填されたはんだと、が含まれている。前記半導体装置等によれば、多孔質金属材１６ａにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ１６ｃにより良好な接合強度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系配線自体が優れた耐食性を有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスは、アルミニウム系配線を有する半導体デバイスであって、前記アルミニウム系配線の表面には、単分子膜が形成されていることを特徴とする。本発明の半導体デバイスは、樹脂等の封止前にアルミニウム系配線の表面を水酸基と共有結合可能な有機シラン化合物の蒸気に曝すことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び耐熱着色性に優れたウレタン樹脂組成物、硬化体及び光半導体装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）ポリオール成分と、（Ｂ）ポリイソシアネート成分と、を含むウレタン樹脂組成物であって、（Ｂ）ポリイソシアネート成分は、第二級炭素原子に結合したイソシアネート基を少なくとも１つ有する２官能又は３官能の脂環式ポリイソシアネート、及び、上記脂環式ポリイソシアネートのイソシアネート基残存プレポリマーのいずれか一方又は両方を、（Ｂ）ポリイソシアネート成分の全量を基準として３０質量％以上含有し、（Ｂ）ポリイソシアネート成分のイソシアネート基当量と、（Ａ）ポリオール成分の水酸基当量との比（イソシアネート基当量／水酸基当量）が、１．０より大きく１．４以下である、ウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】初期の反射率が高く、遮蔽性も良好であり、長期間に亘り、反射性、耐熱性、耐光性を保持し、均一で黄変の少ない硬化物を与える熱硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）酸化防止剤、（Ｄ）融点が５０〜８０℃の範囲にある内部離型剤、（Ｅ）鉛含有量が質量基準で１０ｐｐｍ未満である反射向上剤、（Ｆ）難燃助剤、（Ｇ）無機充填剤、（Ｈ）硬化触媒を必須成分とし、（Ａ）と（Ｂ）の合計１００部に対し、（Ｃ）を０．０２〜５．０部、（Ｄ）を０．２〜１０．０部、（Ｅ）を５０〜１０００部、（Ｆ）を２．０〜１００部、（Ｇ）を５０〜１０００部、（Ｈ）を０．０５〜５．０部含み、（Ａ）のエポキシ樹脂のエポキシ基と、（Ｂ）の硬化剤に含まれるエポキシ基の反応性基とのモル比が、エポキシ基／エポキシ基との反応性基≧１．０である。 （もっと読む）

【課題】長期耐熱性を有し、かつ高い接着性を有する樹脂組成物及びそれを用いた半導体封止材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１０〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜１０００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部にたいして（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 室温での長期保存性に優れ、硬化性や流動性が良好な樹脂成形体の製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填材を含み、かつ硬化促進剤の一部分（Ａ１）を含む第１組成分を混合、加熱溶融、混練、破砕して第１粉体を得る混練・破砕工程と、硬化促進剤の残りの部分（Ａ２）を含む第２組成分を粉砕して第２粉体を得る粉砕工程と、第１粉体と第２粉体とを、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以下の温度で分散混合して樹脂組成物を得る混合工程と、樹脂組成物を、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以上の温度にならないように加圧して樹脂成形体を成形する成形工程とを有し、硬化促進剤の残りの部分（Ａ２）と、エポキシ樹脂及び硬化剤とを含む混合物を、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以上に加熱する工程を経ずに成形体を得る樹脂成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンク付き半導体パッケージを一体製作できる製造方法を提供する。
【解決手段】モールド用金型２０の内側下面には、ヒートシンク１３のフィンと密着して嵌合する形状の支持台２１が形成されている。ヒートシンク１３には、半導体デバイス１１が実装された基板１２が仮止めされる［工程Ｂ］。基板１２が仮止めされたヒートシンク１３は、フィンが形成されている側を下にして支持台２１に嵌め込まれる［工程Ｃ］。次に、ピストン３１によって注入口３２からモールド樹脂３３が注入され、半導体デバイス１１がモールドされると共に、基板１２とヒートシンク１３とが接着される［工程Ｄ］。このときにかかるモールド注入圧は、ヒートシンク１３と支持台２１との嵌合で生じる高い剛性力により、フィンの変形に影響を及ぼさない。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、かつ成形が容易な封止材を備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージの封止材４が、熱硬化性樹脂組成物に、該熱硬化性樹脂組成物に対して容量比で７０：３０〜５：９５の範囲にある無機酸化物フィラーが分散されてなる熱伝導性樹脂組成物であって、該無機酸化物フィラーが、容量比で５：９５〜４０：６０の範囲にある酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末とを含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】
良好な離型性と金型追従性を有するフィルムと、それを製造する手段を提供する。
【解決手段】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）と、熱可塑性エラストマー（Ｂ）と、を含むフィルムであって、前記（Ｂ）の含有量が（Ａ）と（Ｂ）の合計１００重量部に対して１０〜５０重量部であり、かつ前記フィルムについて示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される前記（Ｂ）に由来する融点ＴｍＢ２が１００℃以下または前記融点ＴｍＢ２が実質的に観測されないフィルム。 （もっと読む）

【課題】高温動作しても信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】半導体素子３と、半導体素子３に一端Ｅｉ部が接合され、他端Ｅｘが外部機器と電気接続される端子部材であるリードフレーム４と、樹脂にフィラを充填し、当該樹脂の線膨張係数よりも半導体素子３の線膨張係数に近い線膨張係数を有するようにフィラ充填率を調整した材料で構成され、端子部材４の一端Ｅｉ部とともに半導体素子３を封止する封止体１と、を備え、端子部材４，９のうち、少なくとも一部の端子部材４には、封止体１のフィラ充填率よりもフィラ充填率の低い樹脂材料で構成され、封止体１による封止端Ｂｅを含み、封止端Ｂｅ近傍部分から一端Ｅｉ部に向かう一端Ｅｉ部に達しない所定位置Ｐｃまでの範囲を被覆する被覆層２が形成されているようにした。 （もっと読む）

【課題】吊りリードの絶縁性を確保しつつ、パッケージを小型化することができる樹脂封止型半導体装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１０，１２上に半導体チップ２０，２２が搭載されている。ダイパッド１２から離れてリード端子１６が配置されている。半導体チップ２２とリード端子１６はワイヤ２４により接続されている。ダイパッド１０に吊りリード１８が接続されている。これらのダイパッド１０，１２、半導体チップ２０，２２、リード端子１６の一部、ワイヤ２４、及び吊りリード１８の一部は、モールド樹脂３０により封止されている。リード端子１６は、モールド樹脂３０の側面から外部に突出している。モールド樹脂３０の側面には切り欠き３６が形成されている。吊りリード１８は、切り欠き３６の奥からモールド樹脂３０の外部に突出している。吊りリード１８のモールド樹脂３０の外部に突出した部分は、ポッティング樹脂５２により覆われている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）

【課題】成形時において封止樹脂の流動性を損なうことなく耐トラッキング性を高めることができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、無機充填剤としてシリカおよび酸化マグネシウムを含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止された電子部品の生産性を高めるために熱可塑性樹脂を使用しつつ、且つ熱可塑性樹脂を使用することにより生じる、封止樹脂の固化収縮による問題を抑制する。
【解決手段】樹脂封止の材料として、発泡熱可塑性樹脂を使用し、且つ封止樹脂部の基板に垂直な断面の外周形状が円弧状になるように設計する。上記円弧状は、略真円の円弧状であることが好ましい。また、封止樹脂部の表面は、略真球面であることが好ましい。そして、発泡熱可塑性樹脂は、低融点且つ高流動のポリブチレンテレフタレート樹脂を主成分とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に半田層３を介して接合された半導体チップ４とを備え、半導体チップ４とともにヒートスプレッダ２がモールド樹脂によって樹脂封止された構成において、半導体チップの４配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度がモールド樹脂５よりも大きな樹脂材で構成されたガード１を備えている。 （もっと読む）

【課題】強度が向上し、耐摩耗性に優れる硬化物を与える光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなるＬＥＤ用等の光半導体ケースを提供する。
【解決手段】（Ａ）レジン状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）線径０．０５〜１００μｍのチタン酸カリウム、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤（但し、チタン酸カリウム及び白色顔料を除く）、（Ｅ）有機金属触媒、（Ｆ）オルガノポリシロキサンを必須成分とすることを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成するパッケージの信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の技術的思想の特徴は、ヒートシンク部ＨＳＵとアウターリード部ＯＬＵとを分離するとともに、アウターリード部ＯＬＵにチップ搭載部ＴＡＢを設け、このチップ搭載部ＴＡＢとヒートシンクＨＳとを接続する点に特徴がある。これにより、樹脂封止工程によって封止体を形成する際、連結部ＣＯＮが樹脂漏れの防止するストッパとして機能することで、パッケージ製品にレジンバリが形成されることを防止できる。さらに、ヒートシンク部ＨＳＵには、キャンバーが発生しなくなり、うねり（キャンバー）に起因した封止体へのクラック発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 高温における金属との接着性が高く、耐リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料、およびこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）１分子中にエポキシ基を２個以上含有するエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を1個以上有するベンゾフェノン誘導体を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。前記（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を1個以上有するベンゾフェノン誘導体の割合が、０．１質量％以上、１．０質量％未満であると好ましく、さらに、（Ｄ）シラン化合物、（Ｆ）無機充てん剤を含有すると好ましい。 （もっと読む）