【課題】優れた流動性及び硬化性を有し、常温に長時間放置しても流動性、硬化性等の劣化の少ない保存安定性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに、ワイヤ流れやパッケージの反りが小さく、耐リフロー性に優れた積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂、（Ｂ）多官能型フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）（ｃ−１）硬化促進剤を、下記一般式（１）で示される（ｃ−２）イソフタル酸化合物により包接してなる包接硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤、を含有する樹脂組成物であって、（ｃ−１）硬化促進剤の含有量が、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、０．５〜１２質量部であり、（Ｄ）無機充填剤の含有量が、該樹脂組成物１００質量部に対して、８５〜９５質量部であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。


（式中、Ｘは、ＯＨ、ＮＯ₂、又はｔｅｒｔ−ブチルを表す。） （もっと読む）

【課題】流動性や硬化性等の成形性に優れるとともに、ガラス転移温度が高く、耐熱性に関して優れた効果を発揮する電子部品封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、下記構造単位（１）を含む構造を有し、かつ示差走査熱量分析（ＤＳＣ）法によるガラス転移温度が−５℃〜７０℃の範囲であるアリル化フェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機質充填剤（Ｄ）を含有する電子部品封止用エポキシ樹脂組成物。
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【課題】センシング精度を向上させることのできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】このセンサ装置は、リードフレーム３０のチップ搭載部３１に実装された半導体チップ１０を封止した第１の樹脂部材２０からリードフレーム３０のリード部３２ａ〜３２ｃが導出された半導体パッケージ１を有する。そして、このセンサ装置では、半導体パッケージ１が第２の樹脂部材２１によって覆われている。ここでは、リード部３２ａ，３２ｃの第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１のそれぞれの位置決めに利用される貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】硬化性に優れるとともに、その硬化物において耐熱性に著しく優れる新規エポキシ樹脂、該性能を発現する硬化性樹脂組成物、半導体封止材料、及びプリント配線基板用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記構造式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を示し、Ｇｒはグリシジル基を表す。）で表されるエポキシ樹脂を主剤として使用。 （もっと読む）

【課題】露出した素子の機能部の汚染が低減された、高い信頼性のある電子装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置１０８は、受光素子１０１と、受光素子１０１の受光部１０１ｂを囲むように立設する第１樹脂からなる枠材５０２と、枠材５０２の周囲を埋める第２樹脂からなる封止樹脂層１０６と、を備える。枠材５０２に囲まれた空間に受光素子１０１の受光部１０１ｂが露出している。枠材５０２の上面が封止樹脂層１０６の上面より高い。 （もっと読む）

【課題】成形性、耐はんだリフロー性、及び難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物、及びそれにより封止された素子を備える電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）特定の一般式で示される芳香環を２つ以上有する化合物とを含有する。前記（Ｃ）芳香環を２つ以上有する化合物の含有率は、前記（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して０．５質量部〜２０質量部の範囲とされることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内の層間剥離およびクラックの発生を抑制するために、コーティング膜の回路構成部品に対する接着強度を向上させる。
【解決手段】回路構成部品（２０）を、モールド樹脂（４０）で一体的に封止してなるパッケージの製造方法であって、回路構成部品（２０）の表面のうち、モールド樹脂（４０）と対向する部分の少なくとも一部に、モールド樹脂（４０）との剥離を抑制するためのコーティング膜（３０）を被覆形成するコーティング工程と、モールド樹脂（４０）を成形して、コーティング膜（３０）で被覆された回路構成部品（２０）を一体的に封止するモールド工程と、を備え、コーディング工程では、コーティング膜（３０）を形成するコーティング材料（３１）を、回路構成部品（２０）の表面に堆積させる前にプラズマ（３３）に曝露させ、活性な状態で回路構成部品（２０）の表面に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】流動性、耐はんだリフロー性、及び成形収縮性に優れたエポキシ樹脂組成物、及びそれにより封止された素子を備える電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、前記（Ａ）エポキシ樹脂の少なくとも一部及び前記（Ｂ）硬化剤の少なくとも一部のうちのいずれか一方又は両方と（Ｃ）シリコーン化合物とを含む予備混合物と、を含有し、
前記（Ｃ）シリコーン化合物が、前記（Ａ）エポキシ樹脂及び前記（Ｂ）硬化剤のいずれにも非相容である（ｃ１）第１のシリコーン化合物及び前記（Ａ）エポキシ樹脂及び前記（Ｂ）硬化剤のいずれにも相容である（ｃ２）第２のシリコーン化合物の両方を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な耐燃性及び耐半田性を有するとともに、流動性と連続成形性に優れた、封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ）と、を含む封止用樹脂組成物であって、フェノール樹脂（Ａ）が無置換のフェノール、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との共縮合重合物である重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体パッケージとの間に塗布されるはんだの厚さ（スタンドオフ高さ）を一定な半導体装置を提供する。
【解決手段】図１に示すように、リードフレーム２０、リードフレーム２０上に搭載された半導体チップ５０、そしてリードフレーム２０および半導体チップ５０を封止している封止樹脂３０を有している半導体パッケージ２００と、半導体パッケージ２００を実装している基板１と、半導体パッケージ２００および基板１を互いに接合しているはんだ６０と、を備え、半導体パッケージ２００の基板１側の面には、少なくとも３つ以上の凸部７０を有しており、凸部７０と基板１が接触している。 （もっと読む）

【課題】良好な耐燃性及び耐半田性を有するとともに、流動性と連続成形性に優れた、封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ）と、を含む封止用樹脂組成物であって、フェノール樹脂（Ａ）が無置換のフェノール、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との共縮合重合物である重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 （もっと読む）

【課題】室温での長期保存性に優れ、硬化性や流動性が良好な樹脂原料粉末およびかかる樹脂原料粉末を製造することができる樹脂原料粉末の製造方法、かかる樹脂原料粉末を原料とする樹脂成形体、ならびにかかる樹脂原料粉末または樹脂成形体が用いられた電子部品装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂原料粉末の製造方法は、エポキシ樹脂、硬化剤および無機質充填材を含む第１組成分を混合、加熱溶融、混練することにより得られた混練物を破砕して第１粉体を得る混練・破砕工程と、硬化促進剤を含む第２組成分を粉砕して第２粉体を得る粉砕工程と、第１粉体と第２粉体とを、分散混合して樹脂原料粉末を得る混合工程とを有し、混練・粉砕工程において第１粉体を得る際の温度を４０℃以下に設定し、粉砕工程において第２粉体を得る際の温度を、第２成分に含まれる各成分の融点のうち最も低い温度よりも２０℃以上低い温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性、成形性、耐湿信頼性、耐リフロー性に優れた半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、硬化促進剤、平均粒子径１０〜６０μｍの結晶性シリカを少なくとも含むシリカ、及び８００℃以上で加熱処理されてなる、平均粒子径１０〜８０μｍの炭化珪素を含み、前記シリカと前記炭化珪素の合計含有量が７５〜９０質量％であり、前記結晶性シリカの体積充填率が２５体積％以上、５０体積％以下、前記炭化珪素の体積充填率が２０体積％以上、３７体積％以下である半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 （もっと読む）

【課題】組成物の流動性に優れると共に、近年の電子部品関連材料に適する耐湿信頼性と、環境調和のためハロゲンフリーで高い難燃性を実現する熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び該組成物を用いた半導体封止材料、並びにこれらの性能を与えるフェノール系樹脂、及びエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】複数のフェノール性水酸基含有芳香族骨格（ｐｈ）がアルキリデン基又は芳香族炭化水素構造含有メチレン基を介して結合した樹脂構造（α）の芳香核にナフチルメチル基又はアントニルメチル基を有し、かつ、該樹脂構造（α）のフェノール性水酸基の５〜５０モル％がナフチルメチルエーテル化又はアントニルメチルエーテル化した樹脂構造を有するフェノール樹脂をエポキシ樹脂原料又はエポキシ樹脂用硬化剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の成形性と放熱性を高いレベルで両立させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アイランド１２と、アイランド１２の上面に実装された半導体素子２０と、外部接続端子として機能するリード１４と、これらを一体的に被覆して機械的に支持する封止樹脂１５とを主要に備えた構成となっている。更に、封止樹脂１５は、半導体素子２０等を直に樹脂封止する第１封止樹脂１６と、この第１封止樹脂１６を更に封止する第２封止樹脂１８から構成される。 （もっと読む）

【課題】反り、クラック等の不具合の防止、実装の適正化および容易化、等を実現しうる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体チップ等を搭載した絶縁基板に接合された一方主面を有するベース板１２０と、ベース板１２０の一方主面と絶縁基板と半導体チップ等を覆うように且つベース板１２０の他方主面は露出するように設けられたトランスファーモールド樹脂１４０とを含む。ベース板１２０の線膨張係数は銅のそれよりも低く、トランスファーモールド樹脂１４０の線膨張係数は１６ｐｐｍ／℃以下である。トランスファーモールド樹脂１４０は、ベース板１２０の相対する短辺中央部付近がそれぞれ露出するようにえぐられた形状１４２を有している。ベース板１２０は、トランスファーモールド樹脂１４０のえぐられた形状１４２によって露出している各部分に、取り付け穴１２２を有している。 （もっと読む）

【課題】外装シールドを確実に接地するとともに、ダイシングブレード、外装シールドにかかる負担を抑えて半導体モジュールを製造する。
【解決手段】モジュール基板１と、モジュール基板１の上面に実装された複数個の電子部品２と、これらの電子部品２を含むモジュール基板１の上面を封止する封止樹脂層３と、封止樹脂層３の上面を覆う外装シールド４と、外装シールド４と一体に形成された接続部５とを備えている半導体モジュールＡ。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、耐熱性や耐薬品性に優れ、電子材料の不純イオントラップ剤、抗菌剤原料、消臭剤、変色防止剤、防錆剤などとして利用可能なイオン交換体粒子であって、様々な加工性に優れる結晶質層状リン酸ジルコニウムを提供する。
【解決手段】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記一般式〔１〕で示される新規の層状リン酸ジルコニウムを見出し、本発明を完成させた。
Ｚｒ_1-xＨｆ_xＨ_a（ＰＯ₄）_b・ｎＨ₂Ｏ 〔１〕
（式〔１〕において、ａおよびｂは３ｂ−ａ＝４を満たす正数であり、ｂは２＜ｂ≦２．１であり、ｘは０＜ｘ＜１の正数であり、ｎは０≦ｎ≦２の正数である。） （もっと読む）

【課題】より優れる側面電磁遮蔽効果を有する半導体パッケージ及びその実装方法を提供する。
【解決手段】半導体実装方法により、基板ユニット２１３を有するマザー基板を提供し、基板ユニット２１３の角隅に接地連結の位置合わせマーク２１５を設置する。基板ユニット２１３の上にチップ２２０を設置する。マザー基板の上表面２１１に封止体２３０を形成して基板ユニット２１３と分割ラインとを連続被覆する。マザー基板の下表面２１２に分割ラインに沿って少なくともマザー基板を貫通する複数の半切断溝２４０を形成する。位置合わせマーク２１５を被覆連結するようにマザー基板の下表面２１２と半切断溝群２４０とに第一電磁遮蔽層２５１をパターン化形成する。封止体２３０を個片化分割した後、封止体２３０の頂面２３１と分割側面２３２とに第一電磁遮蔽層２５１と連結する第二電磁遮蔽層２５２を形成する。 （もっと読む）