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Fターム[4M109CA21]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | 射出、トランスファ成形 (1,568)

Fターム[4M109CA21]に分類される特許

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【課題】
DMA法により測定した0℃での貯蔵弾性率が0〜150MPaの範囲である硬化物を与える硬化性樹脂組成物は、特に光学特性、ヒートサイクル耐性が必要な材料、例えば、光半導体用(LED製品など)の封止材としてきわめて有用な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
(1)
硬化物の、DMA法により測定したガラス転移温度(Tg)が−10〜10℃の範囲であり、DMA法により測定した0℃での貯蔵弾性率が0〜150MPaの範囲である光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
(2)
エポキシ樹脂(A)及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する、(1)に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
(3)
エポキシ樹脂(A)が、シリコーン骨格エポキシ樹脂である、(2)に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
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【課題】銅ワイヤを用いた場合に耐湿信頼性を向上することができ、成形時の銅ワイヤの変形とパッケージの反りも抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し、半導体素子の電気接続に銅ワイヤを用いたエリア実装型パッケージの成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、次の式(I):
【化1】


で表わされ、加水分解性塩素量が10〜20ppmのビフェニル型エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】汎用性に優れているうえ、外観不良や電気接続不良を招き難い高品質な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップに対して電気接続された端子板12、13と、半導体チップ及び端子板の一端部を内部に封入するように成形された第1モールド樹脂15と、を具備する本体ユニット2と、上端面にナット21を組み込む収納凹部23が形成された第2モールド樹脂20を具備し、本体ユニットに対して着脱自在に組み合わされる分離ユニット3と、を備え、端子板の他端部は、第1モールド樹脂から突出すると共に、その突出方向の先端部13dが第1モールド樹脂の上方を覆うように折曲形成され、端子板の先端部にはねじ孔17が形成され、分離ユニットは、スライド移動により第1モールド樹脂の上端面と端子板の先端部との間に位置すると共にナットがねじ孔に対して対向配置されるように本体ユニットに対して組み合わされる半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な電気絶縁性が確保された熱伝導性絶縁樹脂シートを有する半導体装置と当該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導性絶縁樹脂シート30が、ヒートシンク7またはパワーモジュール20のいずか一方に設けられたシート接着用凹部51に封入され、シート接着用凹部51の周縁と相対するモールド樹脂5の面は、パワーモジュール20の上方に向けてモールド樹脂5内に突出して、熱伝導性絶縁樹脂シート30の余剰分と熱伝導性絶縁樹脂シート30から押し出されたボイドとを内包する窪み52を備える半導体装置1と当該半導体装置1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー性を有し、光硬化と加熱硬化とを組み合わせて硬化させることができるシリコーン樹脂組成物を用いることにより所望の硬化薄膜を高精度で容易に形成することができる硬化薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】(A)分子中に2つ以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2つ以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び(C)光活性型触媒を含有する光硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて硬化薄膜を形成する方法であって、
(i)該組成物を基板上に塗布し、(ii)得られた塗膜に光を照射して半硬化状態の薄膜を得、及び(iii)該半硬化状態の薄膜を加熱して完全に硬化する工程を含み、
前記の工程(ii)で照射される光のスペクトルが、300nm〜400nmの波長領域に最大ピークを有し、かつ、300nmより短い波長領域におけるいずれの波長の光においても分光放射照度が前記最大ピーク波長の光の分光放射照度の5%以下である方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、リードフレーム表面に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成する場合であっても、ダイシング時のカットストレスによるリードフレームの塑性変形を防止することが可能な、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】リードフレーム表面の前記連結部の近傍以外の領域に前記凹部を形成し、前記連結部の近傍領域には前記凹部を形成しないようにして、前記連結部の近傍領域のリードフレームの厚みを、前記凹部が形成された領域の厚みよりも厚く保つことにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】SiCを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、SiCを材料とする半導体素子20と、半導体素子20の外周を被覆する第1モールド樹脂50と、第1モールド樹脂50よりも耐熱性が低く、第1モールド樹脂50の外周を被覆する第2モールド樹脂70と、第2モールド樹脂70内に配置される温度センサ60と、を備える。温度センサ60は、第2モールド樹脂70内であって、第1モールド樹脂50と接する位置に配置され、半導体素子20の表面と対向している。 (もっと読む)


【課題】反り温度依存性が低減され、パウダーブロッキング性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分とともに、下記の(D)および(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(D)成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜1.5重量%である。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)無機質充填剤。(D)エチレングリコール骨格を有するオリゴマー(E)下記の(α)および(β)の少なくとも一方からなる離型剤。(α)数平均分子量が550〜800である直鎖飽和カルボン酸。(β)酸化ポリエチレンワックス。 (もっと読む)


【課題】部品点数を増加させることなく、半導体素子間の沿面放電の発生を効果的に抑制し、小型であって耐久性に優れたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】基板2と、基板2の一側面2Aに所定の間隔を置いて載置固定された複数の半導体素子1a,1bと、基板2の一側面2A上の複数の半導体素子1a,1bの間に形成されたプライマー層40と、基板2の一側面2A上に複数の半導体素子1a,1bとプライマー層40を封止する封止樹脂体30と、を具備し、複数の半導体素子1a,1bの間に形成されたプライマー層40と封止樹脂体30との界面40Aは凹凸形状を呈している。 (もっと読む)


【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、ガスバリア性および耐冷熱衝撃性に優れ、かつ、光半導体素子を封止する際のハンドリング性が良好なポリシロキサン系組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物(a)同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物(b)、1分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を2個以上有する化合物(c)、1分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を1個有する有機ケイ素化合物(d)とをヒドロシリル化反応させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体、(B)トリアジン系有機化合物からなることを特徴とするポリシロキサン系組成物。 (もっと読む)


【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール1は、IC2および部品3が搭載された基板4と、IC2および部品3を封止する絶縁性の樹脂層5と、樹脂層5の表面に設けられた導電性のシールド層6と、を備える。シールド層6には、樹脂層5まで達するとともに1μm以上の開口幅W1を有する開口部6cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板と半導体チップとを電気的に接続する複数の導電性ワイヤが固定された後における、当該導電性ワイヤ同士の短絡を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の樹脂材料RSが塗布された後に、導電性ワイヤWRにより接続パッドPD1と電極パッドPD2とがワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされる工程以降に、第1の樹脂材料RSが固化される。基板SUBと半導体チップCHPとは、第2の樹脂材料MRSが供給および硬化されることにより封止される。ワイヤボンディングする工程においては、第1の樹脂材料RSの内部における複数の導電性ワイヤWR同士が互いに接触しない。第1の樹脂材料RSが軟化する温度は、第2の樹脂材料MRSが供給および硬化されることにより封止される工程以降の工程における処理温度より高い。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂組成物にした際に溶解性が良好であり、かつ、エポキシ樹脂硬化物に高い耐熱性を付与できるエポキシ樹脂用硬化剤として用いることができる、新規なカリックスアレーン系化合物を提供する。
【解決手段】下記式(I−1)で示される特定構造を有するカリックスアレーン系化合物。
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【課題】低粘度で取り扱いが容易であり、かつ硬化物が良好な長期耐熱性及び機械特性を有する樹脂組成物及びその半導体封止材料への利用方法を提供する。
【解決手段】(A)2以上12以下の−OCN基を有するシアン酸エステル化合物100重量部、(B)1以上11以下のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物1〜200重量部、(C)無機充填剤1〜1000重量部を含有し、かつ無機充填剤を除いた樹脂成分にたいして(D)有機金属化合物の含有量が100ppm以下である、熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】金型でのクランプによる半導体素子のバリ発生や破断を防止した製造方法を用いて、半導体素子の一部と電気制御回路の表面を樹脂で封止する流量センサの構造を提供する。
【解決手段】空気流量検出部とダイヤフラムとを形成した半導体素子と、前記半導体素子を制御するための電気制御回路部を配置した基板またはリードフレームを備え、前記空気流量検出部を露出させた状態で、前記半導体素子の一部表面を含み、前記電気制御回路部の表面が樹脂で覆われている空気流量センサの構造を用いる。樹脂モールド、基板、予めモールドしたプリモールド部品などの面が、半導体素子の空気流量検出部分の設置面と直交する3面と連続して接触しない状態で、半導体素子を囲んだ流量センサの構造や、バネの変形や弾性体フィルムの肉厚方向の変形により半導体素子の寸法バラツキを吸収できる製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】硬化性に優れており、かつ硬化物の黄変が生じ難い半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含む。上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方の成分は、該成分5gを純水100mLに加えた液を加熱し、5分間沸騰させた後、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を100mLとした液のpHを測定したときに、pHが7を超え、11以下の値を示す成分を含有する。 (もっと読む)


【課題】作業性が良好であり、また、ハロゲンフリーでありながら、高いガラス転移温度と高い難燃性とを兼ね備えている硬化物をもたらすことができるエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂の製造方法、前記エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物、前記エポキシ樹脂組成物からなる半導体封止剤、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物、及び前記硬化物を含む半導体装置に関する。 (もっと読む)


【課題】 トランスファー成形時の離型性が十分に高く連続成形性に優れ、光半導体素子搭載用基板に必要とされる光学特性に優れる硬化物を形成可能である光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたリフレクターの製造方法を提供すること。
【解決手段】 光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形により成形して、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクターを形成する工程を備え、熱硬化性樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒及び(D)白色顔料を含有し、(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤の少なくとも一方が、オルガノシロキサン骨格を有する化合物を含む、リフレクターの製造方法。 (もっと読む)


【課題】製造歩留りや信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ガラス支持基板46の一方の主面の親水部48上に形成された粘着層54上に電子部品16a,16bを配する工程と、支持基板上に電子部品を覆うようにシリコーン被覆層14を形成する工程と、被覆層上に樹脂層10を形成し、電子部品を樹脂層により埋め込む工程と、支持基板の背面から紫外線を照射し粘着層の粘着力を低下させ支持基板を除去する工程とを有している。 (もっと読む)


【課題】電子部品を封止する樹脂層の表面にシールド層が設けられる半導体装置の、当該樹脂層からの脱湿性を高める。
【解決手段】半導体装置100cは、基板110と、その基板110上に実装された電子部品120を含む。基板110上の電子部品120は、樹脂層130によって封止され、その樹脂層130の上面及び側面に、電磁波をシールドするシールド層140が設けられる。樹脂層130及びシールド層140には、連通する穴131,141が設けられ、そこにピン180が挿入される。加熱によりピン180が熱膨張すると隙間200ができ、樹脂層130に含まれる水分は、穴131,141及び隙間200を通って外部へと除去される。 (もっと読む)


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