【課題】高い強度、たわみ性を有する熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ａ−２）酸無水物とを、［エポキシ基当量／酸無水物基当量］０．６〜２．０の割合で含む混合物、又は該混合物を反応させて得られるプレポリマー、（Ｂ）（Ｂ−１）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ｂ−２）下記一般式（１）で示されるジカルボン酸とを、［エポキシ基当量／カルボキシル基当量］０．６〜４．０の割合で含む混合物、又は該混合物を反応させて得られるプレポリマー、


（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤、及び（Ｅ）硬化触媒を含有するものであることを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は第１半導体チップ１０ａと、前記第１半導体チップ１０ａの一方の面に設けられた放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａと、第２半導体チップ１０と、前記第２半導体チップ１０ｂの一方の面に設けられた放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極１４を介して、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂが接するように設けられる。半導体装置１の製造方法は、第１半導体チップ１０ａの一方の面に放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａを接合する工程と、第２半導体チップ１０ｂの一方の面に放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程と、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】封止体の剥離を防止し、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子４と、主面１ｆに電力用半導体素子４が接合された回路基板１と、回路基板１の主面１ｆの反対側の面１ｒを除き、少なくとも電力用半導体素子４を含む主面１ｆを封止する封止体７と、を備え、回路基板１の主面１ｆの、少なくとも周縁部よりも電力用半導体素子４が接合された部分に近い領域Ｌ１には、封止体７内に食い込む突起２が電力用半導体素子４を囲むように形成されているとともに、突起２は、主面１ｆから離れるにつれて主面１ｆに平行な断面が広がる拡張部２ｅを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の一面１０ａの一部が露出部１１として樹脂２０より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ１０の一面１０ａ側にて、露出部１１の周囲に位置する樹脂２０は、露出部１１側が広く露出部１１から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴２２とされた錐体形状をなす空間部２１を形成しており、露出部１１は空間部２１に位置し、穴２２を介して樹脂２０の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、４級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において半導体装置の形状や意匠への制限を抑制でき、高生産性、かつ低コストで高品質の半導体装置の製造を可能にする半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】成型部を成型するためのキャビティ凹部を有する上金型と平坦面を有する下金型との間にリードフレームをチップ搭載領域が上側になるようにセットし、キャビティ凹部内で連結部と該連結部に隣接する信号接続端子との一部を押圧ブロックによりクランプしながらキャビティ凹部内に成型材料を充填し、複数のチップ搭載領域のダイパッド部と押圧ブロックによりクランプした信号接続端子の一部とが上面に対して露出し、チップ搭載領域の反対側の信号接続端子が下面に対して露出して上下両面に複数の外部電極が露出するように成型部を成型する工程を含む半導体装置用パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と外部回路とを接続させる際、モールドパッケージの外側において余分なスペースが発生せず、またはんだを用いず当該接続を可能せしめる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１，２および電極端子部３，４，６がモールドパッケージ部９により覆われている。また、モールドパッケージ部９の第一の主面内には、底面から電極端子部３，４，６が露出している第一の開口孔１０，１１が形成されている。そして、第一の開口孔１０，１１の開口部を塞ぐように、第一の主面上に固定される外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと、第一の開口孔１０，１１の内部に配設され、弾性を有し、電極端子部３，４，６と外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃとを電気的に接続する第一のコンタクト部材１６Ａ，１６Ｂ，１９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】電子材料分野や光半導体封止に適したエポキシシリコーン樹脂の提供。
【解決手段】一般式（１）で表され、エポキシ当量が２００〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシシリコーン樹脂。


（式中、Ｅ₁はエポキシ基を有する１価の有機残基であり、Ｚはノルボルネン構造を有する2価の基である。） （もっと読む）

【課題】外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供。
【解決手段】パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能なＬＥＤパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるＬＥＤパッケージ用基板であって、ＬＥＤチップの第１の電極に電気的接続するためのダイパッドおよびＬＥＤチップの第２の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、トランスファ成形によりダイパッドとリードとの間の抜き孔に充填され、かつ、リードフレームの表面上の端部にダム部を成形する樹脂とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い線膨張係数を有し、かつ反射率が高く透過率が低い硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）白色顔料を必須成分とし、４６０ｎｍ及び４８０ｎｍでの分光反射率が９０％以上で、硬化物の厚みが０．２ｍｍ以下のときの分光透過率が０．４％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成形の工程の簡略化を可能にする熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供すること。
【解決手段】底面及び内周側面から構成される凹部を有するとともに該内周側面を形成する樹脂成形品を有し、該底面が光半導体素子搭載領域である光半導体素子搭載用基板であって、前記樹脂成形品は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成することができ、当該熱硬化性樹脂組成物を金型温度１８０℃、硬化時間９０秒の条件でトランスファー成形して得られる硬化物の硬化度が、１５０℃、３時間の加熱によって更にアフターキュアされた後の当該硬化物と実質的に同等である、光半導体素子搭載用基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い線膨張係数を有する硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有する（メタ）アクリル系重合体、（Ｅ）無機充填材、を必須成分とすることを特徴とする。特に金属基材の片面に本発明の硬化性樹脂組成物を成形したときに反りを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】優れる熱的特性を提供すると共に、パワー回路部と制御回路部との間の高い信頼性を具現することができる電力モジュールパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電力モジュールパッケージ１００は、段差部１１１及び非段差部１１２を有する基板１１０と、段差部１１１に設けられた回路配線１１１ａに電気的に接続されるパワー回路部１２０と、非段差部１１２に設けられた回路配線１１２ａに電気的に接続される制御回路部１３０と、非段差部１１２の回路配線１１２ａが露出するように、基板１１０にモールドされてパワー回路部１２０を封止するモールディング部１４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、常温でのハンドリング性と高温での溶融性が両立でき、反射率が高く、耐熱耐光性が良好な硬化物を与える熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）白色顔料、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）ＳｉＨ基もしくはＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｇ）平均粒径１〜１００ｎｍのナノ粒子、を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物であって、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｆ）の少なくとも１成分が２３℃において液体であり、かつ熱硬化性樹脂組成物としては２３℃において固体であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性、成形時の金型への充填性及び連続成形性に優れている半導体装置用白色硬化性材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性材料は、白色の硬化性組成物であるか、又は該白色の硬化性組成物を熱処理した熱処理物である。上記白色の硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性材料では、軟化点が６０℃以上、１２０℃未満であり、１７０℃における粘度が１２０Ｐａ・ｓを超え、３００Ｐａ・ｓ以下であり、１７０℃におけるゲルタイムが３０秒以上、１００秒以下であり、成形温度１７０℃及び成形時間１００秒の条件で金型によりトランスファー成形した後、金型から成形体を取り出したときに、金型から取り出されてから５秒後の成形体の硬さがショアＤで７０以上である。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および２４μｍを超える粒子の含有率が１質量％以下である無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、粉砕後の前記原材料を混練する混練工程とを有し、前記混練工程において、粉砕後の前記原材料１ｋｇあたりに与える混練エネルギーを０．０１〜０．５ｋＷｈ／ｋｇとする。 （もっと読む）