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Fターム[4M109CA21]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | 射出、トランスファ成形 (1,568)

Fターム[4M109CA21]に分類される特許

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【課題】反りを低減することができ、耐リフロー性、ワイヤースイープ性にも優れたエリアアレイ型の半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置の提供。
【解決手段】特定式で表されるグリシジルエーテル基を4つ以上有する多官能エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤(II)、シランカップリング剤(III)を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置。


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【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース20は、第一の露出部21a及び第二の露出部21bと、中間窓穴22aに隣接した隣接平坦部22bを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品31は、中間窓穴22aに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品32は、隣接平坦部22bに配置されている。背高の第一の回路部品31の高さ寸法は、ベース板20の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板30の面積を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】その硬化物において低誘電率、低誘電正接でありながら、優れた耐熱性を兼備させた熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、これらの性能を発現する半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂用硬化剤とを必須成分とすることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂用硬化剤として、脂肪族環状炭化水素基を介してフェノール類が結節された分子構造を有するフェノール樹脂(a−1)、芳香族ジカルボン酸又はそのハライド(a−2)、及び、芳香族モノヒドロキシ化合物(a-3)を反応させて得られる構造を有する活性エステル樹脂(A1)と、不飽和脂環式化合物とフェノール化合物とが重付加反応した構造を有する多官能フェノール化合物(A2)とを併用する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で半導体素子の内部圧力の上昇を抑えることができる安価なモジュール電源を提供する。
【解決手段】実装部品2が実装されていない空き領域に穴が設けられたプリント基板3と、プリント基板に設けられた穴を覆って空間を形成するコーティング樹脂4と、実装部品、プリント基板およびコーティング樹脂を覆って封止するモールド樹脂1を備えている。 (もっと読む)


【課題】 低反り性、耐半田性、流動性、耐燃性及び保存安定性に優れた封止用樹脂組成物ならびに、その硬化物により素子が封止されており、耐湿信頼性及び高温保管性に優れた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で表される構造を有し、d=0である重合体と、d≧1である重合体とを含むエポキシ樹脂(A)と、フェノール樹脂系硬化剤(B)と、無機充填剤(C)と、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、封止用樹脂組成物を硬化させた硬化物で素子が封止されているものであることを特徴とする、電子部品装置。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ20と、一面10aを有すると共に一面10aに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ20が導電性部材30を介して搭載される搭載部材10と、搭載部材10の少なくとも一部および半導体チップ20を封止するモールド樹脂40と、を有し、搭載部材10の一面10aのうちモールド樹脂40と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材10のうちモールド樹脂40と接する部位の表面に水酸化物13を形成する。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂とニッケルメッキリードフレームとの密着性に優れ、吸湿半田特性の向上を図ることができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、および次式(I)を含むニッケルメッキリードフレームに搭載された半導体を封止するための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。


(式中、R1、R2、R3のうち少なくとも1つは−CH2CH2COOHを示す。) (もっと読む)


【課題】モールド樹脂のクラックの発生および剥離を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント基板11と、プリント基板に搭載された磁性体12と、磁性体の側面周囲からプリント基板の表面に至る部分に形成された応力緩和樹脂層14と、プリント基板、磁性体および応力緩和樹脂層の上に接着された樹脂強化層31と、樹脂強化層を覆うように形成された樹脂封止体15を備えている。 (もっと読む)


【課題】良好な光透過性はもちろん、耐光性に優れた光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂(A)、酸無水物系硬化剤(B)、硬化促進剤(C)とともに、下記の(D)および多価アルコール(E)を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物である。(D)シリコーン樹脂を構成するシロキサン単位が下記の一般式(1)で表され、一分子中に少なくとも一個のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を有し、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基(R)中、10モル%以上が置換または未置換の芳香族炭化水素基であるシリコーン樹脂。
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【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物110であって、成型温度100℃〜200℃、成型圧力20MPa以下、成型時間60〜120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ熱硬化後の、波長350nm〜800nmにおける光反射率が80%以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物110を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】電子構造体の一部を被覆しない状態でモールド樹脂による被覆を行い、モールド樹脂より露出する露出部の一部をさらに封止材で封止してなるモールドパッケージにおいて、モールド樹脂のうち封止材に接触する壁面に溝を設けるとともに、封止材が溝を越えて這い上がるのを適切に防止する。
【解決手段】モールド樹脂2の壁面6a〜6cには、壁面6a〜6cのうち封止材50と接触する部位よりもへこんだ溝70が設けられることにより、壁面6a〜6cを伝って溝70よりも上方に封止材50が這い上がるのを防止するようになっており、溝70における封止材50側の縁に位置する角部71は、内角θが鋭角とされている。 (もっと読む)


【課題】応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】リードフレーム1と、リードフレーム1のダイパッド部1B上に実装された半導体素子3と、半導体素子3の少なくとも一部を被覆する保護膜5と、半導体素子3及び保護膜5を封止している封止樹脂6とを備え、保護膜5と封止樹脂6との間に、保護膜5と封止樹脂6が密着していない空隙層7が少なくとも1箇所存在する、半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】製造時の工数がかからず、電子基板およびこれに搭載される各種の電子素子、発光ダイオード等の周囲を該電子基板を含めて直接熱可塑性樹脂で成形、封止するようにした電子部品実装基板の樹脂封止方法および樹脂封止基板を有する電子機器並びに照明機器の提供。
【解決手段】ファインセラミック基板5に電子部品を実装した後、射出成形用金型1内に設置し、このファインセラミック基板5を包囲するように熱可塑性樹脂材で射出成形する。また、電子部品が実装されたファインセラミック基板と、電子部品を囲包するようにファインセラミック基板の外側に射出成形された熱可塑性樹脂部とを有する電子機器、および発光ダイオード素子61,62が実装されたファインセラミック基板1および発光ダイオード素子を囲包するようにファインセラミック基板の外側に射出成形する。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージを傷つけることなく安定した状態で確実に持ち上げて搬送でき、また、半導体パッケージを搬送する搬送装置の製造コストや維持費も低く抑えることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ4を含む板状のパッケージ本体2を備え、当該パッケージ本体2の側部に、パッケージ本体2の板厚方向に段差が形成されることで、搬送用の治具100をパッケージ本体2の板厚方向の一方側から当接させる支持用段差部8が画成され、この支持用段差部8が、少なくとも平面視したパッケージ本体2を側部から挟み込むような位置に形成された半導体パッケージ1を提供する。 (もっと読む)


【課題】誤った方向でコネクタと嵌合することを確実に防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板1と、回路基板1上に設けられる光半導体素子3と、回路基板1上に形成され、光半導体素子3を被覆する直方体または立方体状の被覆樹脂7と、を備え、被覆樹脂7の外面に、少なくとも1つの切り欠き部10が形成されており、切り欠き部10が1つ形成される場合、切り欠き部10は被覆樹脂7の上面の中心を除く位置に形成され、切り欠き部10が複数形成される場合、切り欠き部10は被覆樹脂7の上面の中心に対して、非点対称である位置に形成される。 (もっと読む)


【課題】配線基板上に電子部品を搭載し、その上に電子部品の放熱および電極の用をなすクリップを設け、クリップを配線基板にはんだ付けしてなる電子装置において、簡易な構成にて、配線基板の一面上におけるクリップの高さ位置ずれを抑制する。
【解決手段】配線基板10の一面11上にて電子部品20を介して搭載されたクリップ30は、端子部32にてはんだ50を介して接続されるとともに、板部31と一体に形成され板部31の外郭から配線基板10の一面11側に延びる脚部32を備えており、この脚部32は、配線基板10に対して接合することなく非導通状態で直接接触しており、クリップ30は脚部32にて配線基板10に支持されることにより、配線基板10の一面11上におけるクリップ30の高さが規定されている。 (もっと読む)


【課題】 耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性、低反り性、連続成形性および保存安定性に優れた封止用樹脂組成物、ならびに、その硬化物により素子が封止されている信頼性に優れた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で表される構造を有し、d=0である重合体と、d≧1である重合体とを含むエポキシ樹脂(A)と、フェノール樹脂系硬化剤(B)と、無機充填剤(C)と、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、封止用樹脂組成物を硬化させた硬化物で素子が封止されているものであることを特徴とする、電子部品装置。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージの製造歩留まりを向上する。
【解決手段】トランスファモールドによるレンズ86を含むワークWから、ワークWで接続された成形品ランナ91などの不要樹脂を分離するディゲート方法であって、(a)成形品ランナ91などの不要樹脂が接続されている箇所を除いてワークWを上下からクランプして、成形品ランナ91などの不要樹脂を浮かせた状態とする工程と、(b)上下方向の一方から他方へ浮いた状態の成形品ランナ91などの不要樹脂を押し続けて、ワークWから成形品ランナ91などの不要樹脂を引き千切る工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、硬化物が200℃以上の大気雰囲気下において劣化がほとんど観測されず、かつ粘度が低い熱硬化性樹脂組成物を提供する事を目的とする。
【解決手段】(A)一分子中に平均して2個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物100重量部、(B)フェノール化合物1〜500重量部、(C)トリアリルイソシアヌレート1〜500重量部、(D)無機充填剤1〜800重量部を含有し、さらに(A)成分と(B)成分と(C)成分の合計量100重量部に対して(E)エポキシ樹脂0〜20重量部を含有し、20〜80℃における最低粘度が5Pa・s以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物により達成できる。 (もっと読む)


【課題】車載用等の高い信頼性を要求されるQFN型パッケージは、リードの側面が、ほとんどリード間レジン突出部によって覆われているので、リフロー実装時に、半田フィレットが上手く形成されない。そこで、このリード間レジン突出部をパンチング金型によって機械的に除去しようとすると、パッケージ本体のクラックや端子変形を誘発する可能性が高い。これを回避するために、パンチング金型とパッケージ本体との間隔を取ると、今度は、樹脂残りが発生して、このリード間レジン突出部を完全に取り除くことができない。
【解決手段】本願発明は、複数のリードの外端部を束ねるタイ・バーを有する多連リードフレームを用いたQFN型パッケージの半導体集積回路装置の製造方法において、モールド・キャビティ外周とタイ・バー間に充填された封止レジンをレーザにより除去した後、半田メッキ等の表面処理を実行するものである。 (もっと読む)


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