【課題】光半導体素子の樹脂封止を一括して行うことができる光半導体素子封止用シートを用いて、可視領域の発光量の低下を抑制し、かつ、紫外線による劣化を抑制して耐久性に優れる光半導体装置を簡便に製造する方法、及び該製造方法に用いる光半導体素子封止用シートを提供すること。
【解決手段】樹脂シート１と、該樹脂シート１中に不連続に充填されてなる複数の樹脂層２と、該樹脂層２中に充填されてなる樹脂層３とを含んでなる光半導体素子封止用シートであって、前記樹脂層２が紫外線吸収剤を含有し、前記樹脂層３が蛍光体を含有し、その一端がシート表面に露出してなる光半導体素子封止用シートを用いて、前記樹脂層３と基板５に搭載された複数の光半導体素子４とを対向させて、該素子を前記樹脂層３内に埋設することを特徴とする、光半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】長期高温条件下における接着耐久性、サーマルサイクル性および絶縁信頼性に優れた電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シートを提供すること。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂、（ｃ）硬化剤および（ｄ）オルガノポリシロキサンを含有する電子部品用接着剤組成物であって、硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）が−１０℃〜５０℃であり、かつ１７５℃で１０００時間熱処理した後のＴｇの変化率が１５％以下であることを特徴とする電子部品用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部とを電気的に接続する配線が樹脂で封止されるとともに、半導体チップには当該樹脂より露出している部位が存在する半導体装置において、ボンディングワイヤおよびモールド樹脂を用いることなく、当該配線を樹脂で封止した構成を実現する。
【解決手段】半導体チップ１０の一部を、樹脂基板２０を構成する熱可塑性樹脂に直接接着することで、樹脂基板２０によって被覆するとともに、半導体チップ１０の残部は樹脂基板２０とは離れるようにし、樹脂基板２０における半導体チップ１０との接着面２０ｅに、半導体チップ１０と電気的に接続されたチップ接続端子２２を設け、樹脂基板２０における接着面２０ｅ以外の表面２０ｂに、外部と電気的に接続される外部接続端子２３を設け、チップ接続端子２２と外部接続端子２３とを基板２０内の内部配線２１により導通した。 （もっと読む）

【課題】機械的衝撃に強く、製品特性の安定した電子部品を提供する。
【解決手段】少なくとも、一平面に外部へ電気的に接続するための接続端子を有する電子部品をマトリックス状に設けたウエハ状の集合体１を準備し、前記電子部品の接続端子のある面をダイシング用シート２に対向させて前記集合体１を貼り付け、個々の電子部品３に分割し、個々に分割された前記電子部品３の接続端子を有する面を除く表面を保護材４で被覆した後、前記保護材４を被覆した電子部品３をダイシング用シート２から取り外す電子部品の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子との熱膨張率の差が小さく、ガラス転移点が低く抑えられたガラスによって被覆されたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供する。
【解決手段】ガラス被覆発光素子は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５ ２７〜３５％、ＺｎＯ ２５〜４５％、ＳｎＯ ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】硬化促進剤が均一な溶解性を示し、かつ常温における保存性の良好なエポキシ樹脂組成物およびそれを封止材として用いて得られる電子部品を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物である。そして、このエポキシ樹脂組成物を用いて電子デバイスを封止してなる電子部品である。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）硬化剤。（Ｃ）Ｂ、Ｐ、複数のハロゲン及び４個のフェニル基を有する特定の硬化促進剤。 （もっと読む）

【課題】回路規模またはメモリ容量を確保しつつも、外力、特に押圧に対する信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】有機化合物または無機化合物の繊維体を複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂を含浸した一対の構造体と、該一対の構造体の間に設けられた素子層とを有する。素子層と上記構造体とは、加熱圧着により固着させることができる。または素子層と上記構造体とを固着させるための層を設けても良い。或いは、素子層に繊維体を複数重ねた後、該繊維体に有機樹脂を含浸させることで、素子層に固着した上記構造体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れたシート状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子３に設けられた接続用電極部２と配線回路基板１に設けられた回路電極部４とを対向させた状態で上記配線回路基板１上に半導体素子３が搭載された半導体装置における、上記配線回路基板１と半導体素子３との空隙を樹脂封止するためのシート状エポキシ樹脂組成物６であり、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）シリコーン変性ポリイミド樹脂。 （もっと読む）

【課題】基板上にチップ型デバイスが搭載された中空型デバイスの封止の際に、中空部への封止樹脂の流入を抑制でき、かつチップ型デバイスおよび基板に対する接着性を損なうことなく、簡便で歩留り良く樹脂封止を行なうことのできる熱硬化型接着シートを提供する。
【解決手段】配線回路基板２上に搭載された接続用電極部（バンプ）３付チップ型デバイス１を封止するために用いられる２層構造からなる熱硬化型接着シートである。そして、上記熱硬化型接着シートとしては、配線回路基板２およびチップ型デバイス１と直接接触する層が下記の特性（Ｘ）を備えている。
（Ｘ）熱硬化前の６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率が１×１０⁵ 〜１×１０⁷ Ｐａの範囲内である。 （もっと読む）

デバイスを密封封止するのにかかる時間を低減する封止方法、及び得られた密閉封止されたデバイス（例えば、密閉封止されたＯＬＥＤデバイス）が本明細書に開示されている。封止方法は、(1)未封止のデバイスを冷却するステップと、(2)前記冷却されたデバイスの少なくとも一部に封止材料を堆積させて、封止されたデバイスを形成するステップと、（３）前記封止されたデバイスに熱処理を施して、密閉封止デバイスを形成するステップと、を含む。１実施例においては、前記封止材料は、低液相線温度（ＬＬＴ：ｌｏｗ ｌｉｑｕｉｄｕｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）無機物質であり、低液相線温度無機物質は、例えば、例えば、スズ‐フルオロリン酸塩ガラスや、タングステンドープのスズ‐フルオロリン酸塩ガラスや、カルコゲナイドガラスや、テルライトガラスや、ホウ酸塩ガラスやリン酸塩ガラスである。別の実施例では、前記封止材料は、例えば、ＳｎＯ、ＳｎＯ＋Ｐ_２Ｏ_５，ＳｎＯ＋ＢＰＯ_４等のＳｎ^２＋含有無機酸化物質である。
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【課題】中空型デバイスの封止を簡便かつ歩留り良く行なうことのできる封止用熱硬化型接着シートを提供する。
【解決手段】配線回路基板２上に搭載された接続用電極部（バンプ）３付チップ型デバイス１を封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物製の封止用熱硬化型接着シートである。そして、上記封止用熱硬化型接着シートとしては、熱硬化前の８０〜１２０℃の温度範囲での粘度が５×１０⁴ 〜５×１０⁶ Ｐａ・ｓの範囲内となる物性を備えている。 （もっと読む）

【課題】保護機能と充てん性を有し、半導体チップの保護及び充てんに用いられ、充てん時の流動性を制御することによってより充てん性に優れる封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分を含む樹脂、（Ｂ）平均粒子径が１〜３０μｍのフィラー及び（Ｃ）着色剤とを含有する樹脂層を備える封止用フィルムであって、そのＢステージ状態のフィルムの熱硬化粘弾性測定における５０℃〜１００℃の粘度が１００００〜１０００００Ｐａ．ｓである封止用フィルム。 （もっと読む）

【課題】絶縁層間の密着性と配線層間の接続信頼性に優れた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は少なくとも、半導体構成体Ｈの側面を封止する側方絶縁層２２中に、積層プレスの際に流れ出た樹脂からなる樹脂領域部２３ａを有している。本半導体装置の製造においては少なくとも、積層プレスの際に流れ出る樹脂の逃がし空域部２３を設けた半硬化状態の絶縁材をベースプレート８上に配置して積層する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装タイプの半導体装置において、良好な接続信頼性を保ちつつ、ソルダーレジストのクラック故障のない半導体装置を提供する。
【解決手段】封止樹脂５の端面の配線基板１側の端部５ａ〜５ｄと第１の樹脂層（ソルダーレジスト）６との間に、第１の樹脂層６よりも柔らかい材質の第２の樹脂層７を介在させる。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程により、配線基板に弾性表面波素子等の電子素子の電子機能部を阻害することなく、必要部分には十分に樹脂を充填させ、電子素子を封止することができる粘土状の熱硬化型樹脂シート、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板４１に固定された弾性表面波素子４２等の電子素子の上に、外力により塑性変形可能な粘土状の封止用熱硬化型樹脂シート４５を積層し、この樹脂シートを加熱硬化させることで、電子素子の電子機能部を樹脂で阻害することなく気密空間４６を形成して封止する電子部品装置４７及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性及び耐久性が改善され、かつカード品質や印画品質が改良された非接触ＩＣカードとその製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の硬化性樹脂Ｂ１およびＢ２により少なくとも二重に封止されたＩＣチップＢ３を含む非接触ＩＣカードにおいて、ＩＣチップＢ３の回路面に隣接する第一の硬化性樹脂Ｂ１と、第一の硬化性樹脂Ｂ１に隣接する第二の硬化性樹脂Ｂ２を含有し、第二の硬化性樹脂Ｂ２は、第一の硬化性樹脂Ｂ１により硬化が促進された樹脂であることを特徴とする非接触ＩＣカード。 （もっと読む）

【課題】 レーザーマーキングが可能で薄型の弾性表面波装置およびその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電基板11の下面にＩＤＴ電極とパッド電極と環状電極とが形成されるとともに上面の全体が樹脂膜31で被覆された弾性表面波素子が、絶縁基板41の上面に端子電極および環状導体が形成されるとともに下面に外部電極が形成された実装用基板の上面に、パッド電極と端子電極とを接続するとともに環状電極と環状導体とを接合しＩＤＴ電極を気密封止して実装され、かつ樹脂膜31の周囲から圧電基板11の側面を経て実装用基板の上面にかけて弾性表面波素子を被覆する保護樹脂32が樹脂膜31の上面を露出させて形成された弾性表面波装置である。圧電基板11の上面が樹脂膜31のみで被覆されているので、レーザーマーキングが可能で薄型の弾性表面波装置である。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ電極面と基板表面とが封止材で汚染されることがなく、信頼性に優れたＳＡＷデバイスを簡便に得ることを可能とする封止フィルムを提供すること。
【解決手段】Ａ層及びＢ層を備え、Ａ層の８０℃以上１５０℃以下の温度範囲における最低ずり粘度が１，０００Ｐａ・ｓ以上５０，０００Ｐａ・ｓ未満であり、Ｂ層の８０℃以上１５０℃以下の温度範囲における最低ずり粘度が５０，０００Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする封止フィルム。 （もっと読む）

【課題】低温で封止することができ、高い透過率と優れた耐候性を有し、しかも、半導体と反応し難い非鉛系ガラスからなる半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ１ｍｍ、波長５８８ｎｍにおける内部透過率が８０％以上であり、且つ、４００℃以下の軟化点を有するＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスからなることを特徴とする。また、本発明の半導体素子は、上記封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハなどのワークに形成された保護膜にマーキングを行うプロセスに好適に用いられる保護膜形成用シートを提供すること。
【解決手段】本発明に係るチップ用保護膜形成用シートは、剥離シートと、剥離シートの剥離面上に設けられた保護膜形成層とからなり、該保護膜形成層が、エポキシ樹脂１００重量部、バインダーポリマー５０〜２００重量部およびフィラー１００〜２０００重量部を含み、該エポキシ樹脂の全量１００重量％中３０重量％以上が下記式（Ｉ）および（II）式で示されるエポキシ樹脂から選択されたものである。




式中、Ｘは、−Ｏ−、−ＯＣＨ（ＣＨ₃）Ｏ−等であり、Ｒは、ポリエーテル骨格等で
あり、ｎは、１〜１０の範囲にある。 （もっと読む）