【課題】半導体素子・配線回路基板間の熱膨張率差による接続不良を改善するとともに、半導体素子・配線回路基板の端子間での無機質充填剤の噛みこみを、より確実に抑え、接続信頼性を向上させた、封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】配線回路基板と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止用樹脂シート１であって、上記封止用樹脂シート１が、無機質充填剤含有層３と無機質充填剤不含層２との二層構造のエポキシ樹脂組成物シートであり、無機質充填剤含有層３の溶融粘度が１．０×１０²〜２．０×１０⁴Ｐａ・ｓ、無機質充填剤不含層２の溶融粘度が１．０×１０³〜２．０×１０⁵Ｐａ・ｓ、両層の粘度差が１．５×１０⁴Ｐａ・ｓ以上であり、無機質充填剤不含層２の厚みが、半導体素子に設けられた接続用電極部の高さの１／３〜４／５である。 （もっと読む）

【課題】内蔵する電子部品を所定の厚みで埋没できる電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シート、電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シートは、常温以上樹脂粘度上昇開始温度以下の温度範囲内で電子部品の周囲を埋没させ、かつ電子部品内蔵モジュール内の層間絶縁をする工程に使用される樹脂シートであって、樹脂シートは、未硬化の熱硬化性樹脂からなり、常温にて固形で、電子部品を埋没する温度にて粘度が３００Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下、電子部品を埋没する温度から熱硬化性樹脂が粘度上昇を開始する樹脂粘度上昇開始温度までの粘度変化率が２０％以下、である。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、かつ、先供給方式によりフリップチップ接続を行う場合でも充分な接続信頼性を得ることが可能な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤及びフラックス剤を含み、硬化促進剤がイミダゾール類の有機酸付加体である、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。前記有機酸が、イソシアヌル酸、芳香族カルボン酸及びルイス酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機酸である、上記に記載の半導体封止充填用エポキシ樹脂素組成物６である。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性及び絶縁信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、その接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アクリル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】耐圧が数ボルトから数十ボルト程度のショットキダイオード等のガラス封止型のダイオードにおいては、半田の融点よりもずっと高い封止処理温度が適用されるため、通常、バンプ電極材料としては、銀等の比較的融点の高い金属材料が使用される。しかし、バンプ電極の厚さは、パッシベーション膜や表面電極膜の厚さと比較して、著しく厚いので、バンプ電極とチップ上面の連結部外周部、すなわち、バンプ電極内側外壁には、応力が集中しやすく、この応力により、パッシベーション膜にクラックが発生することがある。
【解決手段】本願発明は、ダイオード等のガラス封止型半導体装置の製造方法において、表面メタル電極の外周とバンプ電極の内側外壁の位置を相互に相違した位置に設定するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非常に汎用性が高く、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、ウエハの反り、半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性に優れる繊維含有樹脂基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板であって、
繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであることを特徴とする繊維含有樹脂基板。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置を効率よく製造でき、特にＬＥＤ、ＬＤをはじめとした光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができる光半導体装置用接着剤、光半導体装置用接着剤シート、製造方法及び光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート上からピックアップし、光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、光半導体素子を前記素子取付部に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤であって、フィルム状に成形されており、基材シート上に配置されており、基材シートから剥離できるものであることを特徴とする光半導体装置用接着剤。 （もっと読む）

【課題】熱収縮による応力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】多層基板２と、多層基板２に配置された半導体チップ１と、多層基板２と半導体チップ１を接続する複数の金属バンプ４と、半導体チップ１及び多層基板２の間に設けられ、封止樹脂３によって形成された封止樹脂層１０とを備え、封止樹脂層１０には、複数の柱状の空洞５が形成され、複数の空洞５の体積は、封止樹脂層１０の体積の半分以上である、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを低温で緊密に封止するのに有用なフィルム状封止剤、この封止剤を用いた封止方法を提供する。
【解決手段】デバイスの少なくとも一部を、共重合ポリアミド系樹脂を含むフィルム状封止剤で覆い、封止剤を加熱溶融させて冷却し、デバイスを被覆して封止する。共重合ポリアミド系樹脂の融点又は軟化点は７５〜１６０℃であり、結晶性を有していてもよい。共重合ポリアミド系樹脂は、多元共重合体であってもよく、Ｃ_８−１６アルキレン基を有する長鎖成分（Ｃ_９−１７ラクタム及びアミノＣ_９−１７アルカンカルボン酸など）に由来する単位を含んでいてもよい。フィルム状封止剤は、デバイスの一方の面を被覆してもよい。 （もっと読む）

【課題】高温下での接続信頼性に優れた、すなわち高温下でも充分な接着力、かつ良好な接続状態で半導体を封止充てんすることが可能な半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂、硬化剤、フラックス剤、平均粒径が異なる少なくとも２種類以上の無機フィラを必須成分としており、前記無機フィラは、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機フィラ、及び平均粒径が１００ｎｍより大きい無機フィラを含む半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する保護材料が表面に形成された半導体装置を作製するにあたり、保護材料設置の際や接着処理の際に保護材料に位置ズレが生じても、端子部上に保護材料が接着される部分が発生することがなく、高い歩留まりを維持することが可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１００上に設けられた端子部１０４の長さが５ｍｍ以下である場合において、端子部１０４の長さをＸとすると、素子部上に厚さ０．３８Ｘ以上２ｍｍ以下の段差層を設けることにより、段差層上に素子部を覆う状態に設置された保護材料１１０が端子部１０４上に重畳しても、端子部１０４表面と保護材料１１０の間に空間が設けられる。この状態で、表面硬度５０以上１００以下の弾性材料を備えた貼り合わせ部材１１６を用いて、保護材料１１０と基板１００を貼り合わせればよい。 （もっと読む）

【課題】塗布技術により無機バリア層を無機材料で貼合した有機電子パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１上に少なくとも一層の無機バリア層１２を有するバリア性フィルム２０を用いて有機電子デバイス１０を封止する有機電子パネル３０の製造方法であって、該無機バリア層を無機接着剤層１５を介して貼合し、該無機接着剤層が塗布により形成されたことを特徴とする有機電子パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶融した樹脂組成物の漏れ出しを防ぐ治具を必要とすることなく、簡便にオーバーモールドおよびアンダーフィルが可能な電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シートを提供する。
【解決手段】実装基板上の電子部品搭載エリアに合わせ、上記エリアよりもやや小さいか、若干大きい、成形温度における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓのシートＢを積載し、さらにその上に、上記エリアよりも大きく、上記成形温度における粘度が２０００〜５００００Ｐａ・ｓのシートＡを積載した後、減圧状態のチャンバー内で上記成形温度に加熱し、上記シートＡがシートＢおよび電子部品を被覆した状態となるまで垂れ下がらせ、その後、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートＡの被覆により実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートＢの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う。 （もっと読む）

【課題】防湿性、透明性のバランスに優れるフィルムを提供する。
【解決手段】炭素数１４〜４０の直鎖α−オレフィン存在下、ノルボルネン系単量体を開環重合して得られるノルボルネン系開環共重合体を水素化することにより得られるノルボルネン系開環共重合体水素化物からなるフィルム。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、接合信頼性にも優れた半導体接合用接着剤を提供する。また、該半導体接合用接着剤を用いて製造される半導体接合用接着フィルム、該半導体接合用接着剤を用いた半導体チップの実装方法、及び、該半導体チップの実装方法により製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂と反応する官能基を有する高分子化合物、硬化剤及び応力緩和剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記応力緩和剤は、ゴム成分からなるコア層と、アクリル樹脂からなるシェル層とを有する平均粒子径が０．１〜２μｍのコアシェル粒子であり、前記応力緩和剤の含有量は、１〜２０重量％である半導体接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】良好なダイシング性を発揮しつつ、半導体ウェハのダイシングにより得られる半導体チップへのバリの発生を防止することができ、これにより製造歩留まりを向上させつつ信頼性の高い半導体装置を製造可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】基材及び粘着剤層がこの順で積層されたダイシングテープと、このダイシングテープの粘着剤層上に積層された半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、前記粘着剤層の厚さが２０μｍ以上４０μｍ以下であるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】 フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの裏面を研削した際の反りを低減することが可能な半導体装置の製造方法およびその製造方法で製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 上記課題は、第１の接続電極が設けられた回路面を有する半導体ウエハの回路面にフラックス機能を有する樹脂組成物層およびバックグラインドテープをこの順に形成する第１の工程と、前記半導体ウエハの回路面とは反対側の面を研削する第２の工程と、前記半導体ウエハの回路面とは反対側の面にダイシングテープを積層する第３の工程と、前記バックグラインドテープを剥離する第４の工程と、前記フラックス機能を有する樹脂組成物層および半導体ウエハを個片化することにより前記フラックス機能を有する樹脂組成物層付き半導体チップを得る第５の工程と、さらに２つの工程を有する半導体装置の製造方法とすることにより解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を回路基板に実装する電子装置の製造において環境負荷を軽減するとともに、電子装置の耐衝撃性及び接続信頼性を確保する。
【解決手段】 電子装置の製造方法は、回路基板１１０上に加熱により発泡する第１の樹脂部１４１’を形成する工程と、第１の樹脂部の上方に第２の樹脂部１４２’を形成する工程と、第２の樹脂部の上方に、接合材１３２を備える半導体装置１２０を配置する工程とを有する。この製造方法は更に、接合材１３２と回路基板１１０とを接合し、回路基板１１０と半導体装置１２０とを電気的に接続する端子１３０を形成する工程を有する。端子１３０を形成する工程における加熱により、気泡１４１ｂを内包した第１の樹脂部１４１が形成されるとともに、第１の樹脂部の膨張に伴う第２の樹脂部１４２’の移動により、端子１３０の周囲を覆う第２の樹脂部１４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】樹脂部材がＰＥＣＶＤによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。
【解決手段】一般式（１）の環状シロキサン化合物
【化１】


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、炭素数１〜２０の炭化水素基等、ｍは１〜３の整数、ｎは０〜２の整数、ｍ＋ｎは３以下の整数。ｘは１以上の整数、ｙ及びｚは０以上の整数、ｘ＋ｙ＋ｚは３以上の整数。）を重縮合または重付加してポリ環状シロキサンを製造し、それを封止材としたり、また樹脂部材に塗布して耐プラズマ性を付与し、ＰＥＣＶＤによりガスバリア層を成膜したガスバリア性樹脂部材とする。 （もっと読む）