【課題】パッケージの反りを低減しつつ、半導体チップを安定して封止できるようにする。
【解決手段】半導体チップ５の内側のキャリア基板１上に第１の樹脂８を配置し、半導体チップ５をキャリア基板１上にフェースダウン実装することにより、第１の樹脂８にて半導体チップ５をキャリア基板１上に固着し、フェースダウン実装された半導体チップ５下の第１の樹脂８の周囲に第２の樹脂９を注入することにより、半導体チップ５下の第１の樹脂８の周囲に第２の樹脂９を充填する。 （もっと読む）

【課題】外力から半導体部品を保護し且つ気密性の保持を行うことが可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電気的絶縁性及び柔軟性のあるベースフィルム２０上に半導体部品３０が固定され、少なくともこの半導体部品３０上が電気的絶縁性及び柔軟性のあるカバーフィルム３４によって覆われ、ベースフィルム２０とカバーフィルム３４との間に配置される導体層２６に半導体部品３０が電気的に接続されている。半導体部品３０は、ベースフィルム２０とカバーフィルム３４によって形成される中空空間に実装される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の集積回路１２が形成されてなる第１の面１５と、第１の面１５とは反対側を向く第２の面１６とを有する半導体基板１０を用意する工程と、第１及び第２の層２１，２２を含む複数の層からなる保持部材２０を用意する工程と、半導体基板１０に、保持部材２０を、第１の層２１における第２の層２２と対向する面とは反対側の面が半導体基板１０の第２の面１６と対向するように貼り付ける工程と、保持部材２０の第２の層２２を切断しないように、半導体基板１０を複数の半導体チップ３０に分割し、かつ、第１の層２１を複数の保護膜３２に分割する工程と、保護膜３２を、半導体チップ３０とともに、第２の層２２から剥離する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 集積回路においてソフト・エラー率を低下させるための改良された方法および構造体を提供する。
【解決手段】 集積回路においてソフト・エラー率を低下させるための構造体および方法。この構造体は、半導体基板と、最下部の配線レベルから最上部の配線レベルまで積層された１つ以上の配線レベル積層であって、最下部の配線レベルが最上部の配線レベルよりも半導体基板に近い、配線レベル積層と、１つ以上の配線レベルの最上部の配線レベルの上面上のアルファ粒子ブロック層と、を含む。ブロック層は金属配線および誘電材料を含む。ブロック層は、このブロック層に当たる選択されたエネルギ以下のアルファ粒子の所定の割合が１つ以上の配線レベル積層内または基板内に侵入することを阻止するのに充分な前記ブロック層の厚さおよび前記ブロック層内の金属配線の体積百分率の組み合わせを有する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を備える半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置１０は、電極パッド１１ａに電気的に接続された突起電極１４を備える半導体ベアチップ１１と、フレキシブル配線基板からなる配線基板１２と、配線基板１２上に形成されたリード１３と、樹脂シート１５と、を備える。
樹脂シート１５は、半導体ベアチップ１１とリード１３とを一括して覆う。樹脂シート１５によって、リード１３と突起電極１４が剥離することを防止することができ、またリード１３、突起電極１４等が埃、水分等で汚染されるのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスの作製を簡略化する方法を提供する。
【解決手段】 熱界面材料であると同時にアンダーフィル材料として機能する材料（２６）を備えた電子デバイスの形成方法を開示する。熱伝導性材料（２６）が熱界面材料であると同時にアンダーフィル材料として機能することを特徴とする、熱放散エレメント（２４）、半導体チップ（１４）、基板（１２）および前記熱伝導性材料を備える電子アッセンブリ（１０、２２）についても開示する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層に亀裂が生じても機能が損なわれない、または、機能が損なわれることを小さく抑える半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板（１）と上記半導体基板（１）の上側に配置されるとともに、側面に沿ってお互い隣接する複数の金属領域（８_１，８_２，８_３）と絶縁体領域（１０）とを有し、上記金属領域（８_１，８_２，８_３）が、上記半導体本体（１）に電流を供給する役目を果たしている金属／絶縁体構造（２）とを備えている。上記金属／絶縁体構造は、半導体基板（１）の上側に配置されており、複数の金属領域（８_１，８_２，８_３）と側面に沿って相互に隣接する絶縁体領域（１０）とを有している。さらに、半導体素子は、金属／絶縁体構造（２）上に配置されたパッシベーション層（３）を備えている。パッシベーション層（３）は、金属または金属を含む化合物からなっている。 （もっと読む）

チップおよびパッケージ型式基板を有する集積回路チップ構造の種々の特性を助長する。種々の実施例において、カーボンナノチューブ充填材料（１１０）を、集積回路チップ（２２０，３４０）とパッケージ型基板（２１０，３５０）と間の構成に使用する。カーボンナノチューブ充填材料は、パッケージの封入（モールド化合物（３３０）として）、ダイ接着（３７４）、フリップチップのアンダーフィル（２４０）など多様な用途に使用される。カーボンナノチューブは、強度、熱伝導性、導電性、耐久性、流動性など、多様な特性を助長する。
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【課題】高耐電圧の半導体チップを基板やパッケージに搭載し樹脂で封止すると、高い逆電圧を印加した時におけるリーク電流が大きくかつ不安定であり設計値どおりの絶縁耐電力が得られない場合がある。
【解決手段】パッケージもしくは基板に搭載された高耐電圧半導体チップに封止用樹脂を塗布し、硬化させる際に、チップの電極もしくはチップからワイヤ等の配線によって接続された電極端子の少なくとも１つと、この電極端子との間で絶縁耐電圧を必要とする他の電極との間に高電圧を印加しながら樹脂を硬化させる。封止用樹脂は、シロキサンによる橋かけ構造を有する有機珪素ポリマーＡと、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体）による線状連結構造を有する有機珪素ポリマーＢとを交互にシロキサン結合により線状に連結させて有機珪素ポリマーＣを構成し、共有結合で三次元的に連結させた合成高分子化合物を用いる。 （もっと読む）

まず真空下で、対象となる基材（１４）上にバリア（３０、３２）を蒸着し、それから大気圧で、望ましくは熱可塑性層（３４）として追加バリアを蒸着させることによって、複合多層バリアを生成する。それから、生じた多層バリアを、積層工程において対象品（４０）を被覆するために使用する。この場合、熱可塑性層（３４）は、それ自体が対象品の表面上へ融着する。真空蒸着バリアは、第一のレベリングポリマー層（４６）、それに続く、レベリング層上にスパッタした無機バリア材（３０）、および真空下でフラッシュ蒸着させ、硬化させた追加ポリマー層（３２）からなる。それから大気圧で、押出加工、引き抜き加工またはロールコーティングによって、熱可塑性ポリマー層（３４）を蒸着させる。生じた多層バリアは、熱可塑性層を結合剤として使用して積み重ねることができる。熱可塑性層内にナノ粒子（３６）を含ませて、構造のバリア特性を改善してもよい。また、乾燥剤物質は、含ませてもよいし、あるいは別の層（６２）として追加してもよい。 （もっと読む）

図４（ａ）〜図４（ｅ）に示す如く、基材１４０に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定し、導電性膜１２０および絶縁樹脂膜１２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込み、真空下または減圧下で加熱して圧着する。その後、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離し、ビア１２１の形成、導電性膜１２０のパターニングを行う。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４をそれぞれ一方の面で絶縁樹脂膜１２２により封止し、他方の面で露出させた構造体１２５を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＡＢ実装工程においてボンディングツ−ルの熱及びＩＣステ−ジの熱のどちらか、或いは両方を利用することで、従来のモ−ルド工程をインナ−リ−ドボンディングと同時に行い、工程の短縮をするものである。
【解決手段】ＴＡＢテ−プの接着材として、厚くした熱可塑性樹脂を使うか或いは、モ−ルドチップをＩＣ上に搭載したものを使用し、ボンディング時のツ−ル熱、或いはボンディング時の熱とＩＣステ−ジの熱の両方を使いそれぞれの樹脂を軟化させ、ボンディング後のインナ−リ−ド部及びＩＣチップ側面を被覆させてモ−ルドすることで、従来のようなモ−ルド工程を無くすことを可能にした。 （もっと読む）