【課題】 本発明は、急冷処理により表面形状をコントロールした高流動性の球状アルミナ粉末、その製造方法、及びそれを用いた樹脂組成物を提供するものである。
【解決手段】 Ｘ線回折において２θ＝４５．６°に検出されるδ相ピーク強度と２θ＝４４．８°に検出されるθ相ピーク強度の比、（δ相ピーク強度／θ相ピーク強度）が１．０以上である、平均球形度が０．９０以上、平均粒子径１００μｍ以下の球状アルミナ粉末。アルミナ原料を溶融後、ドライアイスで急冷処理することを特徴とする球状アルミナ粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶表示保護コーティング、ＬＥＤ封止及びダイボンド剤用に透明性と共に耐熱性に優れた硬化物の提供。
【解決手段】（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機系骨格からなる有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、を必須成分としてなる硬化性組成物で上記（Ａ）成分がＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機系骨格からなる有機化合物（Ａ１）と１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物（Ａ２）との反応物であり、前記（Ａ１）成分が、イソシアヌレート環を有するものであり、前記（Ａ２）成分が、一分子中にＳｉＨ基を少なくとも２つ有する直鎖状、分岐鎖状、および三次元架橋構造を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】 高寿命で量産性に優れた表面実装型発光装置及びその表面実装型発光装置に用いる成形体を提供すること。
【解決手段】 青色に発光するＧａＮ系の発光素子１０と、発光素子１０を載置するための第１のリード２０と発光素子１０と電気的に接続される第２のリード３０とを一体成形してなる第１の樹脂成形体４０と、発光素子１０を被覆するＹＡＧ系蛍光体８０を含有する第２の樹脂成形体５０とを有する。第１の樹脂成形体４０は底面４０ａと側面４０ｂとを持つ凹部４０ｃを形成しており、凹部４０ｃに第２の樹脂成形体５０を配置する。第１の樹脂成形体４０はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂をトランスファ・モールドにより成形しており、第２の樹脂成形体５０はシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いている。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い電子部品用封止剤材料、並びに該電子部品用封止剤材料を用いた電子部品用封止剤及び光半導体装置を提供する。
【解決手段】電子部品用封止剤材料は、環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂を架橋反応により得るための有機珪素化合物と、シリカ粒子とを含む組成物の架橋反応を進行させることにより得られ、環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、該シリコーン樹脂により表面処理されたシリカ粒子とを含む。電子部品用封止剤は、上記電子部品用封止剤材料と、環状エーテル含有基と反応可能な熱硬化剤とを含む。光半導体装置１は、光半導体素子３と、該光半導体素子３を封止するように設けられた光半導体装置用封止剤４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップを被覆する封止樹脂層(透光性樹脂層)と、蛍光体を含有する樹脂層(蛍光体含有樹脂層)とを含むシート状封止材において、ＬＥＤ点灯時に蛍光体含有樹脂層の温度上昇を抑制するシート状光半導体封止材、前記各樹脂層のシート状成形体を含む光半導体封止用キット、ならびに該封止材及びシートで封止している光半導体装置を提供すること。
【解決手段】無機粒子を含有する第一樹脂層と、その上に直接又は間接的に積層されてなる、蛍光体を含有する第二樹脂層を含んでなる、シート状光半導体封止材。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂、（Ｂ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂組成物、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤（但し、白色顔料を除く）、（Ｅ）酸化防止剤を含有し、（Ｅ）成分の酸化防止剤が、一般式（１）
Ｐ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）₂ （１）
（Ｒ¹、Ｒ²は同一又は異種の炭素数６以上の有機基である。）
で表されるホスファイト化合物であり、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との配合比率が質量比で５：９５〜９５：５である光半導体基板形成用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物。
【効果】本発明の白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物は、硬化性に優れ、良好な強度を有すると共に、長期間にわたり耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変の少ない硬化物を与えるものである。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性と高耐電圧性を達成できると共に半導体素子の被覆部と半導体素子の支持体との密着性を向上でき、高温での使用を可能にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎダイオード素子１,２を覆う第１の被覆部１５が、環状シロキサン構造と鎖状シロキサン構造とを有し、分子量が３０００〜１００万である珪素含有重合体を含有し、かつ硬化反応触媒である白金系触媒を配合した第１の珪素含有硬化性組成物で形成されている。また、第２の被覆部１６は第１の被覆部１５の表面１５Ａ全体を被覆すると共に支持体３に接しない珪素含有硬化性組成物で作製されている。第２の被覆部１６は上記第１の珪素含有硬化性組成物に絶縁性セラミックスとして粒径２０μｍのアルミナ微粒子を５０％の体積充填率で配合した第２の珪素含有硬化性組成物で形成されている。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）置換基を有してもよいフェニル基およびエポキシ基を含有するポリシロキサン、および（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤を含み、前記置換基を有してもよいフェニル基の含有量が前記（Ａ）ポリシロキサンに対して８〜３０質量％であることを特徴とする光半導体封止用組成物、およびこれを用いて作製した発光素子。
【効果】本発明に係る光半導体封止用組成物は、耐熱性および耐光性を損なうことなくクラック耐性、密着性、電極の変色に対する耐性を向上させた硬化物を形成できる。 （もっと読む）

【課題】特に耐熱性が高く、成型性に優れるポリシロキサン系組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも以下のＡ成分を１つ以上含みかつＢ成分を１つ以上含む流動性液体または固体のポリシロキサン系組成物であって、
Ｒ^１ＳｉＯ３/２ ［Ａ］
Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ２/２ ［Ｂ］
（ここでＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は炭化水素基または芳香族環を含む炭化水素基でありそれぞれ異なっていても良いし同一でも良い）
該ポリシロキサン系組成物は、加熱により、成型、塗布または前記Ａ、Ｂ以外の固形成分を混合するなどの作業が可能な粘度まで粘性が調整でき、その後高温で熱処理することにより硬化物を得ること。 （もっと読む）

【課題】枠部材内に設けられた封止部材の保持力を向上できるとともに、封止部材が剥離した場合にその封止部材の枠部材からの脱落を抑制できる発光装置を提供する。
【解決手段】モジュール基板３２に発光素子５１を実装するとともに、環形をなして形成された枠部材５６をその内側に発光素子５１を納めてモジュール基板３２に接着する。この枠部材５６の内側に発光素子５１を埋めて透光性の封止部材５８を設ける。枠部材５６の内周面５６ａの少なくとも一部を受面部位５６ｂで形成する。この受面部位５６ｂは、枠部材５６とモジュール基板３２との接着箇所Ｆを起点にモジュール基板３２から枠部材５６の高さ方向に離れるに従いモジュール基板３２に対する離間距離を次第に増加する面である。封止部材５８は先細り状部位５８ａを有し、この部位がモジュール基板３２と受面部位５６ｂとの間に充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
接着が困難であるＬＣＰ（液晶ポリマー）等の熱可塑性プラスチックから成る各種パッケージの材料に対して、十分な接着強度を与え、かつ透明性を有する硬化物を与えるシリコーン組成物、及びこの組成物の硬化物、並びに該硬化物で封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】
（Ａ）１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ｃ）白金族金属系触媒
（Ｄ）アリル基、エポキシ基、オルガノシロキシ基を一分子中に有するイソシアヌル環含有オルガノシロキサン
を含有して成ることを特徴とするシリコーン組成物。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）熱硬化性オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）白色顔料、
（Ｃ）無機充填剤、
（Ｄ）硬化触媒、
（Ｅ）離型材
（Ｆ）シランカップリング剤
を必須成分とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物において、（Ｆ）シランカップリング剤として、一般式（１）
（Ｒ³Ｏ）_dＳｉＲ⁴_e （１）
（Ｒ³は同一又は異種の炭素数１〜４の有機基を示し、ｄは１又は２、ｅは２又は３を表す。Ｒ⁴はアルケニル基を含む炭素数が１〜１０の有機基である。）
で表されるシランカップリング剤が配合され、パラジウムでメッキされたリードフレーム基板への接着力が５ＭＰａ以上であるシリコーン樹脂組成物。
【効果】本発明の白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、光半導体ケース形成用として使用した場合、パラジウムでメッキされたリードフレーム基板に対する接着性に優れる硬化物を与えるものである。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）熱硬化性オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）白色顔料、
（Ｃ）無機充填剤（但し、白色顔料を除く）、
（Ｄ）硬化触媒、
（Ｅ）離型材、
（Ｆ）シランカップリング剤
を必須成分とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物において、（Ｂ）成分の白色顔料がアルミナ又はシリカとアルミナで表面処理されている単位格子がアナタース型構造の二酸化チタンであり、波長３５０〜４００ｎｍで光反射率が８０％以上である光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
【効果】本発明の白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、光半導体ケース形成用として使用した場合、波長３５０〜４００ｎｍにおいて８０％以上と高い光反射率を維持する硬化物を与えるものである。 （もっと読む）

【課題】２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供する。
【解決手段】絶縁封止電子部品１００は、第１の端子リード１１と第２の端子リード１２を有する電子部品１と、電子部品１を収納するケース２と、電子部品１を埋め込む絶縁性の第１の絶縁封止材３と、電子部品１が埋め込まれた第１の絶縁封止材３をケース２と協働して封じ込める絶縁性の第２の絶縁封止材４と、第１の絶縁封止材３に埋め込まれた導電性の第１のシールド材５と、第２の絶縁封止材４に埋め込まれ境界領域３０を挟んで第１のシールド材５と対向して配置された導電性の第２のシールド材６とを備え、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６は電気的に接続され、第１の絶縁封止材３は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、第２の絶縁封止材４は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）

【課題】溶媒への溶解性が高く、かつ、樹脂中に分散させた場合には耐光性、光透過性及び耐熱性に優れる樹脂を提供することができる金属酸化物微粒子、該微粒子を反応させて得られるシリコーン樹脂組成物、該シリコーン樹脂組成物を含有する光半導体素子封止材料、ならびに、該樹脂組成物又は光半導体素子封止材料で封止された光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式(I)：


(式中、Ｘはアルコキシ基、アリーロキシ基、シクロアルキロキシ基、ハロゲン原子、又はアセトキシ基であり、ｎは1〜100の整数を示し、但し、全てのＸは同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物を含有する表面処理剤で処理されてなる、金属酸化物微粒子。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと接続端子とをワイヤ等の接続子により電気接続する構成の半導体装置において、電気的な信頼性の向上を図ることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ２と、これを内部に収容する収容ケース４と、当該収容ケース４を構成するモールド樹脂Ｒ１に封止されると共に導電性の接続子６を介して前記半導体チップ２に電気接続される接続端子５と、前記収容ケース４の内部に充填されて前記半導体チップ２及び前記接続子６を埋設する埋設樹脂Ｒ２とを備え、前記接続端子５は、板状に形成されると共に板厚方向の一端面２２ａに前記接続子６が接合される内部端子板部２２を備え、前記モールド樹脂Ｒ１が、前記内部端子板部２２の他端面及び側面全体、並びに、前記一端面２２ａの周縁を一括して覆うことを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

本発明は、接続用支持体（１）と、該接続用支持体（１）の上面（１ｃ）に設けられたオプトエレクトロニクス半導体チップ（８）とを有するオプトエレクトロニクス素子に関する。前記接続用支持体（１）の上面（１ｃ）に電気絶縁膜（３）が設けられており、前記電気絶縁膜（３）に、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）をフレーム状に包囲する陥入部（５）が設けられており、前記オプトエレクトロニクス素子は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）を包囲する注型部材（１０）を備えており、前記陥入部（５）の底面（３２）は少なくとも局所的に、前記電気絶縁膜（３）によって形成されており、前記注型部材（１０）の少なくとも一部の領域は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）に対向する、前記陥入部（５）の外側エッジ（５１）にまで達し、前記陥入部（５）の少なくとも一部の領域には、前記注型部材（１０）が存在しない。
（もっと読む）

【課題】絶縁破壊特性に優れた熱硬化性樹脂組成物の提供。例えば、フライバックトランス、コンデンサー等の成形材料及びこれらのポッテイング材として好ましい。
【解決手段】エポキシ樹脂、好ましくは１分子中に少なくとも３個のエポキシ基を有する有機基を有し、アルコキシ基を有しない環状シロキサンであるエポキシシリコーン化合物と、又は１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物と、特定の構造を有するイミダゾールシランと、酸無水物と、シリカとを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】屈折率が高く、透明性、耐熱性が良好な硬化物を得ることができる熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】式（１−ａ）で表される構成単位と、式（１−ｂ）で表される構成単位とからなる液状有機ケイ素化合物による。


上記式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルから選択される基であり、ｎは２〜５０の整数である。 （もっと読む）

【課題】実装リフロー時に、電子部品の下面側だけでなく、電子部品の上面側においても、電極部間が短絡することを防止する電子部品内蔵モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュールは、基板１０と、基板１０に搭載された半導体チップ１９と、基板１０に搭載された電子部品１６と、半導体チップ１９及び電子部品１６を封止する封止樹脂２４とを備えている。基板１０における電子部品１６が搭載された部品搭載面１１には、電子部品１６と電気的に接続される接続電極１２ａ，１２ｂが形成されている。電子部品１６は、はんだ１５ａ，１５ｂにより、各々が接続電極１２ａ，１２ｂに固着された一対の電極部１８ａ，１８ｂと、一対の電極部１８ａ，１８ｂ同士の間に挟み込まれた本体部１７とを有している。部品搭載面１１と本体部１７の上面との距離をａとし、部品搭載面１１と封止樹脂２４の上面との距離をｂとしたときに、ａ≧ｂである。 （もっと読む）