【課題】ヒート・シンクに対する低コストの電気的アースを提供する。
【解決手段】電子デバイスが、基板１６５に取り付けられた集積回路（ＩＣ）パッケージおよびＩＣパッケージ１５０に取り付けられたヒート・シンク１５５を含む。電子デバイスはまた、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびＩＣパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜１６０Ａ、１６０Ｂを含む。電子デバイスを製造する方法は、ＩＣパッケージを基板に接続することと、ヒート・シンクをＩＣパッケージに結合することと、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびＩＣパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性、流動性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤とを含有し、（Ａ）エポキシ樹脂が、（Ａ１）下記一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と、（Ａ２）ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂とを含有し、エポキシ樹脂（Ａ２）の含有量がエポキシ樹脂（Ａ１）とエポキシ樹脂（Ａ２）の総和に対して、１０〜８０質量％である封止用エポキシ樹脂組成物。


（ここで、Ｒ^１〜Ｒ^５は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、互いに同一であっても異なってもよい。ｎは０〜１０の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤及び（Ｄ）特定の環状ホスファゼン化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。


（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、互いに同一であっても異なってもよい。ｎは０〜１０の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】耐半田性、耐燃性及び連続成形性のバランスに優れた封止用樹脂組成物、ならびに、その硬化物により素子を封止してなる信頼性に優れた電子部品装置を提供する。
【解決手段】封止用樹脂組成物は、下記一般式（１）：


で表される構造を有する１以上の重合体からなり、上記一般式（１）において（ｄ−１）／ｃ＝１とは異なる重合体をも含むエポキシ樹脂（Ａ）と、フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が約２００℃以上で、熱膨張率が小さく、放熱性に優れる樹脂複合組成物およびこれを用いた半導体封止材ならびに基板を提供する。
【解決手段】下式


（式中、Xは−CH₂−、−C(CH₃)₂−、又は−SO₂−を表す。）で表されるベンゾオキサジン誘導体とエポキシ樹脂と無機フィラーを有する樹脂複合組成物であって、ベンゾオキサジン環に対する該エポキシ樹脂が有するエポキシ基のモル比が０．２〜０．７であり、無機フィラーが鱗片状の一次粒子が配向せずに集合してなる松ボックリ状の六方晶窒化ホウ素を含み、無機フィラーが樹脂複合組成物全体の３０〜８５体積％である樹脂複合組成物。 （もっと読む）

【課題】高温動作しても信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】半導体素子１が実装された回路面４ｆを有する回路基板４と、半導体素子１に接合された配線部材６または９と、線膨張係数が半導体素子１よりも配線部材の線膨張係数に近い材料（エポキシ樹脂やフィラ等）により構成され、半導体素子１と少なくとも配線部材の一部とを含んで回路面４ｆを封止する封止体１２と、封止体１２を構成する材料の弾性率よりも低い弾性率を有する材料（ポリイミド樹脂等）で構成され、半導体素子１と封止体１２との間で、かつ、半導体素子１の少なくとも配線部材が接合された面１ｆを被覆する被覆膜１３と、被覆膜１３と封止体１２との界面Ｉｆ_Ｒをまたいで被覆膜１３と封止体１２との間に介在するフィラ１４と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性と高耐電圧性を達成できると共に半導体素子の被覆部と半導体素子の支持体との密着性を向上でき、高温での使用を可能にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置では、銅製の支持体３の上面３Ａに載置されたＳｉＣ ＧＴＯサイリスタ素子１の表面を被覆する第１の被覆部１５の表面１５Ａを被覆する第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３の環状の嵌合溝２１に嵌合する。支持体３の嵌合溝２１に嵌合した第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３に対するアンカーとしての役割を果たすので、支持体３との線膨張係数の差がかなりある第２の被覆部１６が高温時(例えば２００℃以上)に支持体３から剥離するのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】中空型デバイスの封止を確実、容易に、歩留まりよく行うことができ、耐吸湿リフロー性、また外観に優れた封止が行える封止用エポキシ樹脂組成物シート及びこれを用いて封止した中空型デバイスを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、無機充填材の配合量が全エポキシ樹脂組成物中の７０〜９０質量％であり、かつ平均粒子径が０．２〜１０μｍである封止用エポキシ樹脂組成物を、半硬化状態のシート状樹脂層（Ａ層）に成形したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が約２００℃以上で、熱膨張率が小さく、放熱性に優れる樹脂複合組成物およびこれを用いた半導体封止材ならびに基板を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーを有する樹脂複合組成物であって、エポキシ樹脂がビフェニル構造或いはアントラセン構造或いはナフタレン構造である多環芳香族型エポキシ樹脂であり、硬化剤が芳香族アミンであり、無機フィラーが鱗片状の一次粒子が配向せずに集合してなる松ボックリ状の六方晶窒化ホウ素を含み、樹脂複合組成物全体の３０〜８５体積％である樹脂複合組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化物における難燃性、耐熱性に優れると共に、極めて低い線膨張係数を達成できる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びこれに用いるリン原子含有フェノール類の製造方法、並びに、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】アルコキシ基を芳香核上の置換基として有する芳香族アルデヒド（ａ１）、及び、Ｐ−Ｈ基又はＰ−ＯＨ基を分子構造中に有する有機リン化合物（ａ２）を反応させ、次いで、得られた反応生成物を、ビス（ヒドロキシフェニレン）スルホン構造を有するフェノール樹脂（ａ３）と反応させて得られるリン原子含有フェノール類（Ａ）、及びエポキシ樹脂（Ｂ）を必須成分とする。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性を発現させるとともに揮発性成分の含有量が極めて少ない硬化性樹脂を提供し、それら樹脂を硬化剤として含むエポキシ樹脂組成物を封止材料として用いて耐熱性等の信頼性に優れた電子部品装置を実現する。
【解決手段】（ａ）下式(I-1)で示されるシラン化合物及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物と、（ｂ）フェノール化合物とを反応させて得られる硬化性樹脂であり、残存揮発性成分の含有量が硬化性樹脂の全重量基準で１０重量％以下である樹脂を硬化剤として用いる。


（式中、ｎは０〜２の数であり、Ｒ^１は水素原子、又は炭素数１〜１８の置換あるいは非置換の炭化水素基であり、Ｒ^２はハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜１８の置換又は非置換のオキシ基、アミノ基、又はカルボニルオキシ基であり、Ｒ^１及びＲ^２の２以上が結合し環状構造を形成してもよい） （もっと読む）

【課題】Ｓｉ半導体素子を搭載し、小型化・大容量化したパワー半導体や、高温動作可能なＳｉＣ半導体素子を搭載したパワー半導体装置等の高温動作対応の半導体素子を用いたパワー半導体装置の厳しいヒートサイクル環境下における熱応力の発生を抑制した構造のパワー半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２が搭載されたリードフレーム３と、リードフレーム３に絶縁シート５を介して配置された金属材料６、９とが、封止樹脂７で封止さる。金属材料６、９は露出しており、半導体素子２に対して金属材料６、９の位置とは反対側である封止樹脂７の面に、樹脂組成物層８が設けられ、樹脂組成物層８の無機充填材の充填率が封止樹脂７の無機充填材の充填率以下である。 （もっと読む）

【課題】
保存安定性に優れ、かつフリップチップ接続をした際にボイドの発生が充分に抑制され、良好な接続信頼性を得ることができる半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤、フラックス剤を必須成分とし、硬化促進剤が４級ホスホニウム塩である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐燃性および流動性に優れた半導体封止用樹脂組成物、およびその硬化物を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、を含み、
エポキシ樹脂（Ａ）が、一般式（１）で表される構造を有する化合物（Ａ１）を含み、
【化１】


上記一般式（１）において、Ａｒ１は炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ２はベンゼン環であり、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は水素原子または炭素数１〜６の炭化水素基であり、Ｒ４は炭素数１〜３の炭化水素基であり、互いに同じでも異なっていてもよい。ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜４の整数であり、ｃは０〜４の整数であり、ｄは１〜１０の整数であり、ｅは１〜１０の整数であり、ｄ×ｅは１〜１０の範囲である、半導体封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】熱処理を施して得られる熱硬化性樹脂としたときのＴｇが高く、なおかつ低弾性であり、強度、たわみに優れた、液状封止樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記成分、（Ａ）一般式（１）で表され、室温での粘度が５０〜１０００００ｃPｓであり、エポキシ当量が１５０〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシリコーン樹脂、（Ｂ）室温で液状であり、かつ分子内に少なくとも１つ以上の酸無水物基またはアミノ基を有する化合物及び樹脂、（Ｃ）硬化促進剤を必須成分として含む半導体用液状封止樹脂組成物。式中、R₁、R₂は炭化水素基を表し、Ｅ₁はイソシアヌル環骨格を含む基を介して結合するエポキシ基を有するエポキシ基含有基であり、Ｚは２価の有機基であり、ｍ及びｎは独立に０〜１００の数を表す。
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【課題】線膨張係数とガラス転移温度の両面から、樹脂封止した電子部品装置の反りを抑制するとともに、耐熱性にも優れた電子部品封止用樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決手段】下記Ａ〜Ｃ成分を含有する電子部品封止用樹脂組成物である。そして、上記電子部品封止用樹脂組成物を用いた電子部品装置である。
Ａ：シアネートエステル樹脂
Ｂ：フェノール樹脂、メラミン化合物およびエポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種
Ｃ：無機質充填剤 （もっと読む）

【課題】吸湿時の硬化性、流動性及び耐リフロークラック性に優れるエポキシ樹脂組成物、並びにこのエポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂及び（Ｃ）リン原子に少なくとも一つのアルキル基が結合したホスフィン化合物とキノン化合物との付加反応物を必須成分とし、成形品のガラス転移温度が１５５℃未満であるエポキシ樹脂組成物、並びにこのエポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部品装置。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性および透明性を維持しつつ、優れた輝度安定性を付与した硬化物を得ることができる光半導体封止用樹脂組成物、その硬化物、ならびにこれを使用して光半導体素子を封止した光半導体装置の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有し、脂環式エポキシ樹脂（Ａ）として、下記式（Ｉ）で表される化合物、脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び脂環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を３以上有する化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を、エポキシ樹脂の全量に対して５５〜１００ｗｔ％含有し、硬化剤が酸無水物系硬化剤であり、且つ硬化促進剤として、ホスホニウムイオンと該ホスホニウムイオンとイオン対を形成しうるハロゲンアニオンとのイオン結合体を含有する光半導体封止用樹脂組成物。
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【課題】電子部品内蔵モジュールを実装する際の加熱により、電子部品内蔵モジュール内のはんだが溶融することに起因して発生するはんだの移動や飛散を抑制すること。
【解決手段】電子部品内蔵モジュール１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、電子部品２及び基板３を覆う第１樹脂１０と、第１樹脂１０の表面を覆う第２樹脂４とを含む。第１樹脂１０は、空隙を有する樹脂で構成される。そして、第１樹脂１０は、基板３の表面の電子部品２が実装されている部分の厚さよりも電子部品２が実装されていない部分の厚さの方が大きくなるように構成される。第２樹脂４は、第１樹脂１０よりも空隙率が低い。 （もっと読む）

【課題】 成形加工性に優れ、硬化させてなる硬化物が耐熱劣化性、熱放散性および可とう性のいずれにも優れる、ウレタン樹脂形成性組成物を提供する。
【解決手段】 数平均分子量１，０００〜１０，０００、および臭素価（ｇ／１００ｇ）２０以下のポリオレフィンポリオール、炭素数６〜２０の分岐炭化水素ポリオール、（芳香）脂肪族もしくは脂環式ポリイソシアネートおよび無機充填剤を含有することを特徴とするウレタン樹脂形成性組成物；該組成物を硬化させてなる電気・電子部品用封止材。 （もっと読む）