説明

Fターム[4M109EB12]の内容

Fターム[4M109EB12]の下位に属するFターム

シリカ (498)

Fターム[4M109EB12]に分類される特許

141 - 160 / 988


【課題】安価でありながら成形加工性が良好であり、光線反射率が高く、耐熱耐光性が良好な硬化物を与える硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するポリオルガノシロキサン、(C)ヒドロシリル化触媒、(D)白色顔料、(E)無機充填材、を必須成分として含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物であって、(D)成分と(E)成分の合計の含有量が70〜95重量%であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】機械的特性、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性などの特性に優れることに加えて、電気絶縁性を確保しつつ、封止成形物の表面抵抗率を半導電性領域に厳密に制御することができる封止用樹脂組成物、及び該封止用樹脂組成物により半導体素子が樹脂封止された半導体装置を提供すること。
【解決手段】合成樹脂100重量部、体積抵抗率が10〜1010Ω・cmの炭素前駆体10〜500重量部、体積抵抗率が10Ω・cm未満の導電性充填剤0重量部、及びその他の無機充填剤100〜1500重量部を含有する封止用樹脂組成物、並びに半導体素子が該封止用樹脂組成物により樹脂封止された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】簡易な構造で放熱性に優れた配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、第1主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板であって、前記電子部品搭載領域に搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板と、前記放熱板の第1の面を前記第1主面の前記電子部品搭載領域に露出するように、前記放熱板を被覆する封止樹脂と、前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子と、配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に、外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子と、を有し、前記封止樹脂は、前記配線の少なくとも前記第1主面側及びその反対面である第2主面側、前記端子面を除く前記内部接続端子、及び前記端子面を除く前記外部接続端子、を被覆し、前記放熱板の前記第1の面、前記内部接続端子の前記端子面、及び前記外部接続端子の前記端子面は、前記第1主面側の同一平面上に露出している。 (もっと読む)


【課題】流動性、耐熱性、高温保管特性、耐燃性、連続成形性及び耐半田性のバランスに優れた封止用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂(A)と、フェノール樹脂系硬化剤(B)と、無機充填材(C)とを含む封止用樹脂組成物であって、エポキシ樹脂(A)がフェノール骨格(構造単位A)及びナフトール骨格(構造単位B)をジメチルナフタレン構造(構造単位C)で連結した構造を含む1以上の重合体成分を含むエポキシ樹脂(A−1)を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 (もっと読む)


【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
(A)過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が10質量ppm以下であるエポキシ化合物、(B)硬化剤および(C)充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる2つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 (もっと読む)


【解決手段】エポキシ基を有し、下記式(1)に示す繰り返し構造単位を有するポリシロキサン(A)を40〜95質量%含有することを特徴とする光半導体封止用組成物。


(式(1)中、Arはアリール基を示す。)
【効果】本発明の光半導体封止用組成物を硬化して得られる封止材は、耐熱性等に優れるとともに、耐透湿性に優れる。このため、本発明の光半導体封止用組成物により光半導体を封止して得られる発光素子は、封止材を透過した水蒸気により光半導体が劣化することがなく、長期にわたり安定的に使用することができる。 (もっと読む)


【課題】印刷グレードのグラブトップ材として用いられる、難燃性に優れた液状封止材、および、該液状封止材を用いて封止部位を封止してなる半導体装置の提供。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)難燃剤、および、(D)フィラーを含む液状封止材であって、前記(C)難燃剤として、(HCA)若しくはその誘導体、または、(HCA−HQ)若しくはその誘導体を反応成分の一つとする有機リン系難燃剤を含有し、平均粒径が0.4〜5.0μmのフィラー(D1)、および、平均粒径が7.0〜25.0μmのフィラー(D2)を含むことを特徴とする液状封止材。 (もっと読む)


【課題】高温下での接続信頼性に優れた、すなわち高温下でも充分な接着力、かつ良好な接続状態で半導体を封止充てんすることが可能な半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂、硬化剤、フラックス剤、平均粒径が異なる少なくとも2種類以上の無機フィラを必須成分としており、前記無機フィラは、平均粒径が100nm以下の無機フィラ、及び平均粒径が100nmより大きい無機フィラを含む半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】成型性良好で、強靭性値が高く、半導体素子及び基板の表面との密着性に優れ、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与える液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物の硬化物で半導体素子を封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)下記(D)成分以外のエポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填剤、(D)特定の構造式で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂、及び(E)特定の範囲の重合度を有するジメチルシリコーン、を含む液状エポキシ樹脂組成物;上記液状エポキシ樹脂組成物の硬化物と、該硬化物で封止された半導体素子とを有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】大面積の薄膜を安定して形成でき、アンダーフィル剤として良好で耐久性のある半田接続性を与える、アンダーフィル剤組成物、及び該組成物を用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、
(D)揮発性有機溶剤、及び
(E)細孔容積が0.3〜0.7cm/gである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく、従来よりも高いレベルで、流動性、耐燃性、耐半田性、低反り性、耐熱性、高温保管特性及び連続成形性のバランスに優れた電子部品封止用樹脂組成物及びそれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決手段】ナフトール構造単位とフェノール構造単位とをビフェニレン基を含む構造単位で連結した構造の重合体成分(A−1)、及びナフトール構造単位同士をビフェニレン基を含む構造単位で連結した構造の重合体成分(A−2)を有するフェノール樹脂(A)と、エポキシ樹脂(B)と、無機充填剤(C)とを含むことを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物、ならびに、その電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子を封止して得られることを特徴とする電子部品装置。 (もっと読む)


【課題】硬化条件における温度、時間を最適化することにより、透明性に優れ、例えば、光半導体装置の封止材として用いた場合に、耐光性、ヒートサイクル試験における耐クラック性に優れた硬化物を形成することができる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明では、硬化性成分として脂環式エポキシ化合物(A)と、硬化剤(B)と、硬化促進剤(C)とを含み、該脂環式エポキシ化合物(A)の含有量が硬化性成分全量に対して60重量%以上である硬化性エポキシ樹脂組成物を、温度95℃以上135℃以下かつ4.5時間以上の硬化条件で硬化することを特徴とする硬化物の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】低温短時間で硬化し、充填性に優れ、強靭性及び熱伝導性に優れた硬化物を与え、さらにリペア・リワーク性に優れるオーバーコート材及び該それにより封止したパッケージを備えた半導体装置を提供。
【解決手段】(A)液状エポキシ樹脂100質量部、(B)フェノール系硬化剤5〜95質量部、(C)硬化促進剤10〜150質量部、(D)重量平均粒子径15μm以上30μm未満の粒子を50〜75質量%、5μm以上15μm未満の粒子を15〜25質量%、及び2μm以下の粒子を10〜25質量%含む熱伝導性充填材(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1000質量部、及び、(E)1分子中に1つのエポキシ基を有する希釈剤50〜200質量部を含有し、(A)成分及び(E)成分中のエポキシ基/(B)成分中のフェノール性水酸基が1.3〜3.0(モル当量比)であるオーバーコート材、及び半導体装置。 (もっと読む)


【課題】室温での長期保存性に優れ、硬化性や流動性が良好な樹脂成形体(特に封止用樹脂タブレット)及びその製造方法、樹脂組成物及びその製造方法、ならびに、それを用いた電子部品装置を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機質充填材を含む樹脂組成物から構成される樹脂成形体の製造方法であって、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填材を含み、かつ前記硬化促進剤を含まない第1組成分を混合、加熱溶融、混練、破砕して第1粉体を得る混練・破砕工程と、硬化促進剤を含む第2組成分を粉砕して第2粉体を得る粉砕工程と、第1粉体と第2粉体とを分散混合して樹脂組成物を得る混合工程と、前記樹脂組成物を加圧して樹脂成形体を成形する成形工程とを有する樹脂成形体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】BGA等のエリア実装型半導体装置において、薄型化と高い信頼性の両立できる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板1と半導体素子4と接続部材とを封止する封止樹脂硬化体6とを備え、下記1)〜3)及びa)、b)の要件を満たす半導体装置の製造方法である。1)半導体装置のサイズが20mm×20mm以下2)基板の厚みが300μm以下3)基板の半導体素子搭載面からの封止樹脂硬化体の最大厚みが600μm以下a)封止樹脂組成物が無機充填材を含むものであり、前記組成物中における無機充填材含有量が74質量%以上、86質量%以下b)封止樹脂組成物における無機充填材含有量をx(質量%)とし、封止樹脂組成物を175℃、90秒で成形した後、175℃、4時間後硬化した際の成形収縮率をy(%)としたとき、0.032x+y−2.965の値が0.000〜0.300 (もっと読む)


【課題】片面封止型パッケージにおいて、リフロー時の温度領域における反りの変化量を低減することができ、かつ、常温での凸反りを抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】特定のジヒドロアントラセン骨格含有エポキシ樹脂を30〜100質量%含有するエポキシ樹脂、フェノール硬化剤、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して85〜95質量%の無機充填剤、および半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して0.5〜2.0質量%のステアリン酸ワックスを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】速硬化性で、ハロゲン系難燃剤を使用しなくても得られる硬化物の難燃性に優れ、かつ耐熱性が良好であるエポキシ樹脂組成物、その硬化物、該エポキシ樹脂組成物が硬化剤として含有する新規多価ヒドロキシ化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】一般式(1)


〔式中、Arは芳香族炭化水素基で、Xはメチレン基で、mは1又は2である。〕で表わされる構造単位と、下記一般式(2)


〔式中、Arは芳香族炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜4のアルキル基であり、Xはメチレン基であり、nは1又は2である。〕で表される構造単位を有するエポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)とを含有する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)重量平均分子量10000以下で常温(25℃)において固形樹脂と、(b)絶縁性球状無機フィラーと、(c)エポキシ樹脂と、(d)マイクロカプセル型硬化剤を含む硬化剤を含有し、(a)の配合量が(a)成分、(b)成分及び前記(c)成分の総量100重量部に対して5〜50重量部、前記(b)の配合量が25〜80重量%、、(c)の配合量が10〜70重量、(d)の配合量が(c)100重量部に対し0.1〜40重量部で、150℃の溶融粘度が200Pa・sより高く、100℃で加熱・加圧した場合の平行板間にはさんだフィルム状接着剤の初期面積と加熱・加圧後の面積との比である流れ量が1.5以上、かつ、硬化物の20〜300℃の平均線膨張係数が200×10−6/℃以下であるフィルム状接着剤。 (もっと読む)


【課題】良好なレーザーマーキング性を有し、半導体装置の種別や製造者等の容易かつ明確な識別を可能とするマーキングに供するための半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】光を吸収して発光する成形体とする半導体封止用樹脂組成物であって、少なくともエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化触媒及び蓄光蛍光体が配合されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)無機充填材と、(D)テトラ置換ホスホニウム塩(d1)、ホスホベタイン化合物(d2)、及びホスフィン化合物とキノン化合物との付加物(d3)から選ばれる1種、又は2種以上のテトラ置換有機リン化合物と、(E)水と、を用いることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は上記に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。 (もっと読む)


141 - 160 / 988