【課題】光センサーの光学系において光源光の使用波長が変動しても、１／４波長板が確実に直線偏光を円偏光に変換して、良好なセンサー感度を確保維持する。
【解決手段】振動検出用光センサー１は光源２、偏光ビームスプリッター３、対物レンズ４、波長板ユニット５及び１個の受光素子６を備える。波長板ユニットは、構造性複屈折を利用した１／４波長板７と、反射面を有する振動板８との一体構造である。受光素子はその光軸ｘ2を反射光の光軸ｘ1と平行かつ僅かにずらして配置され、入射するビームスポット形状がその中心ｃを受光面６ａの中心Ｏから僅かにずらした位置に投影されるので、検出される光量が振動板の変位に対応して増減する。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁溝と絶縁部材とで構成された絶縁部を有する半導体基板において、反りの発生を抑制する。
【解決手段】ミラーアレイデバイス１は、電極基板４を備えている。電極基板４は、その厚み方向に導通し且つ絶縁部５で囲まれることによって周辺の部分から絶縁された駆動電極４１を有している。絶縁部５は、電極基板４の表面４ａから形成された絶縁溝５１と、電極基板の裏面４ｂから埋め込まれて絶縁溝５１内に突出する絶縁部材５２とで構成されている。電極基板４には、電極基板４の応力を緩和するための応力緩和溝６が絶縁部材５２が埋め込まれた裏面４ｂ側から形成されている。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の結晶欠陥に起因する貫通孔を抑制した積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】性能が改善された面内微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）加速度計デバイスを提供する。
【解決手段】一実施例のＭＥＭＳデバイスは、主要面に対して垂直な磁束場を生成するための１つまたは複数の構成要素を含む。このデバイスは、また、基板と、プルーフマス（４４）と、プルーフマスを基板に曲げやすく結合する蝶番要素（４８−１、４８−２）であって、主要面がプルーフマスの主要面に一致する蝶番要素と、磁束場に近接したプルーフマス上の位置に配置された複数の導電性リード（４６−１、４６−２、４６−３）と、それぞれが、対応する１つの導電性リードに電気的に接続された複数の導電性ばね（５０−１、５０−２、５０−３）と、基板および導電性ばねのうちの１つに接続された複数のアンカーパッド（６０−１、６０−２、６０−３）とを備える。分離トレンチは、他のリードに隣接したリードの外端またはプルーフマス材料に直接結合される。リードおよびばねは複数の溝（８６、９０）を含む。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】核磁気共鳴（ＮＭＲ）ジャイロスコープシステムを提供する。
【解決手段】核磁気共鳴（ＮＭＲ）ジャイロスコープシステム１０であって、アルカリ金属蒸気１４と、第１の磁気回転同位体１６と、第２の磁気回転同位体１８と、第３の磁気回転同位体２０とを封入するようにシールされたジャイロセル１２と、該ジャイロセルを介して提供され、該第１の磁気回転同位体と該第２の磁気回転同位体と該第３の磁気回転同位体とを歳差運動させる実質的に均一な磁界を生成するように構成されている磁界生成器２２と、該第１の磁気回転同位体と該第２の磁気回転同位体と該第３の磁気回転同位体との測定された歳差運動角に基づいて、該ＮＭＲジャイロスコープシステムの受感軸に対する回転角を測定するように構成されている角回転センサ２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、極めて小さな表面積を占める、例えばオシレータ型の共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、可動素子（３）と固定素子（４）とを備えるナノメータサイズ又はマイクロメータサイズの電気機械共振器（１）を備える。検出手段は、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに、固定素子（４）に対する可動素子（３）の動きを表す検出信号を供給する。共振器（１）は、検出手段及びフィードバックループと同じ基板上に形成される。フィードバックループは、多くとも、基準電圧（ＧＮＤ）と励振入力（Ｅ）との間に直列に接続される第１トランジスタ（６）及び第２トランジスタ（７）を備える。容量性負荷（５）は、励振入力（Ｅ）と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。検出信号は、第１トランジスタ（６）の導電率を制御する。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供すること。
【解決手段】導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを共に用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことにより、スキャロッピングなどの凹凸のない平滑な接点を形成する。 （もっと読む）

例示的な音響変換器を提供する。モノリシック半導体層は、プレート、２以上の可撓性伸長部、及び支持構造の少なくとも一部を規定する。プレートに伝達される音圧により、可撓性伸長部に引っ張り歪みが発生する。可撓性伸長部は、引っ張り歪みに応じて変化する電気特性を示す。音圧に対応する電気信号は、変化する電気特性から導出することができ、さらなる目的のために処理される。 （もっと読む）

【課題】フィルムの均一性に優れ、高電圧での電荷注入が可能である多孔性樹脂フィルムよりなり、長期に渡り高い電荷状態を安定し、電気・電子入出力装置材料として優れた性能を持つエレクトレット化フィルムを提供する。
【解決手段】空孔を有する２軸延伸樹脂フィルムからなるコア層（Ａ）の少なくとも片面に１軸延伸樹脂フィルムからなる表面層（Ｂ）を備えた樹脂フィルム（ｉ）を、加圧条件下で非反応性ガスを浸透させ、次いで非加圧条件下で加熱処理を施した多孔性樹脂フィルム（ｉｉ）２１に、直流高電圧放電処理２２を施してエレクトレット化したことを特徴とするエレクトレット化フィルム（ｉｉｉ）。 （もっと読む）

【課題】動的な動作条件下で、バイアス誤差を加速度測定から連続的に除去する自己較正レーザ加速度計システムを提供すること。
【解決手段】動的な動作条件下で、バイアス誤差を加速度測定から連続的に除去する自己較正レーザ加速度計システムは、フレームと、そのフレーム内で位置決めされた、１対の本質的に同一の質量変調加速度計とを有する。各加速度計は、フレクシャ懸架によって検知要素フレームに取り付けられたプルーフ・マスを含む。プルーフ・マスは、入力軸に沿った検知要素フレームの加速度に応答して、出力軸の周りで回転するように構成される。第１のプルーフマスは、第１のプルーフ・マスの質量変調をもたらすように、また入力軸に対する選択的に可逆の極性をもたらすように、またバイアスの自己較正をもたらすように、出力軸の第１の側の第１の安定位置と、出力軸の第２の側の第２の安定位置との間で移動可能である二次質量を含む。 （もっと読む）

【課題】小型でＳｏＣ構造化への要請に応じることができ、単結晶Ｓｉを材料とすることに限定されず材料の選択が可能であり、複雑なプロセスを経ることなく従来の加工技術をＭＥＭＳ構造体の製造へ援用できる光ＭＥＭＳ加速度センサを提供する。
【解決手段】光ＭＥＭＳにより形成されたファブリ・ペロ型光共振器１６と、その下部に設けられた錘８および光取り出し開口部１９とを備えている。ファブリ・ペロ型光共振器１６は、光取り出し開口部１９側と光導入側Ａとに各々設けられた基本膜厚が１μｍ以下の複数種類の薄膜１４（高屈折率の誘電体薄膜）および１５（低屈折率の誘電体薄膜）を交互に積層した多層膜構造体１３と１１とにより空気層１２を挟んだ構造を有している。重力加速度を受けた時、錘１８が取り付けられた多層膜構造体１３と１１とではその撓み量が異なるため、重力加速度が反映された分光波形が光取り出し開口部１９から取り出される。 （もっと読む）

【課題】ヨーク底面高さの高精度な位置決めと、温度や圧力などの外乱によるギャップ距離変化を低減し、出力変動が小さく、長期安定性を高め、ボンドの使用を廃止することで、コストダウンをはかった高精度な振動形圧力測定装置を提供する。
【解決手段】振動形圧力測定装置において、
ヨークのスリットが形成された面をモールドからなる板状部材の一方の面から埋め込んで他方の面に貫通させ、スリットが形成された面を板状部材の他方の面と面一にするとともに、ヨークの開口部とヨークホルダの底部は所定の距離を隔てて配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度なモーションセンサーとして三軸検知可能であり、また磁界センサーとして使用可能で、簡便な構成で、小型で、かつ低消費電力の複合センサーを提供すること。
【解決手段】傾斜面を有する基板の前記傾斜面に設けられた磁気検知素子と、前記基板上に梁により支持され３軸方向の自由度を有する錘を有する磁界発生部とを備えた複合センサーであって、
前記磁気検知素子により第１の物理量の外部磁界を検知可能であると共に、
前記錘を有する磁界発生部の位置変動による前記磁気検知素子の出力の差に基づいて第２の物理量を検知することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、可動部分がないため高い歩留まりで製造できる、高信頼性及び低故障率の角速度センサとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】流体が循環するための閉流路１０２が基板に１０１形成され、流体を循環させる駆動部１０４が閉流路１０２に設けられる角速度センサにおいて、流体を加熱する熱源１０４と、流体の温度を検知する温度検知手段１０５と、を備えることを特徴とする。また、温度検知手段１０５は、少なくとも二つ備わっている。また、温度検知手段１０５は、閉流路１０２の対称の位置に配置される。 （もっと読む）

マイクロマシニング型の構成エレメントであって、第１の電極と第２の電極とが設けられており、第１の電極が、第２の電極に対して主運動方向に可動であり、主運動方向に対して平行な第１の電極の運動が、それぞれ主延在方向に対して垂直で、かつそれぞれ主延在平面内での第１の電極の投影図と第２の電極の投影図とのオーバラップ領域における、平均的な間隔の変化を生ぜしめるように、第１の電極および／または第２の電極が形成されて設けられているマイクロマシニング型の構成エレメントが提案される。
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【課題】ＦｅＲＡＭと特定のセンサとが混載された新規な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置１０００は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０に形成されたトランジスタ１４と、前記トランジスタ１４を覆う層間絶縁層１６と、前記層間絶縁層１６の上方に形成された強誘電体キャパシタ３０であって、第１電極３４と、強誘電体層３６と、第２電極３８とを有する強誘電体キャパシタ３０と、前記強誘電体キャパシタ３０を覆う、前記層間絶縁層１６とは別の層間絶縁層４０と、前記半導体基板１０の上方に形成されたセンサであって、圧力センサ、焦電センサまたは磁気センサのいずれかであるセンサ１００と、を含む。 （もっと読む）

【課題】力学量センサの製造効率を高める。
【解決手段】 シリコン基板１を基板面からエッチングすることにより、支持部２、梁部３、可動部４およびマイクロレンズ５を形成するための基となる形成体２ａ、３ａ、４ａ、５ａを形成する。続いて熱酸化を行い、光学素子形成体５ａの各構造体間の間隙をシリコン酸化物で隙間なく埋め込み、マイクロレンズ５を形成する。続いてエッチングを行い、可動部形成体４ａおよび梁部形成体３ａと基板面とが接する部分を削除する。支持部形成体２ａおよび光学素子形成体５ａの各幅は、可動部形成体４ａおよび梁部形成体３ａの各幅よりもそれぞれ広く形成されているため、周囲のみが削除され、中央部は基部２ｂ、５ｆとして残る。 （もっと読む）