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Fターム[4M113CA34]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | 超電導材料 (429) | 酸化物 (194) | Ln系(ランタニド) (118)

Fターム[4M113CA34]に分類される特許

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本発明の超伝導ワイアは、基板と自動的に配列する超伝導材料の連続層とを含む。本発明のワイアの長さは10メートルを超える。
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【課題】 回転及び並進運動時に損失の少ない超電導部材及び磁気浮上装置を提供する。
【解決手段】 複数の超電導体を接合した超電導体層を積層した超電導部材であって、(a1)超電導体の臨界電流密度が層間で異なり、かつ、(b1)超電導体の接合面が他層の超電導体の接合面の間に位置することを特徴とする捕捉磁場特性に優れた超電導部材、及び、(a2)一方の層の超電導体の全部又は一部が山状に形成され、かつ、(b2)他方の層の超電導体の接合面が上記山状部分の頂部に位置することを特徴とする捕捉磁場特性に優れた超電導部材。 (もっと読む)


【課題】 同軸コネクタに於ける中心導体と信号入出力線の電極とを接合し、その接合箇所が常温と極低温との間を往来しても剥離を生ずることがなく高い信頼性を維持できる超伝導デバイスを実現させようとする。
【解決手段】 超伝導デバイスに於ける信号入出力線13Cに形成した電極13Dとパッケージ11に固着された同軸コネクタ12に於ける中心導体12Aとを結ぶボンディングワイヤ14と、ボンディング箇所に融着されて当該箇所を補強するIn系はんだ15とを備える。 (もっと読む)


【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、誘電体基板(11)と、前記誘電体基板上に超伝導材料で形成された2次元回路パターン(12)とを備え、前記2次元回路パターンは、少なくとも一部に円弧を含むノッチ(20)を有し、ノッチの円弧部分の曲率半径Rは、実効波長λの1/4以下である。 (もっと読む)


【課題】複数のLn系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにc軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式LnBa2Cu37-x(ここで、LnはGd,Tb,Dy,Ho,Er,TmおよびYからなる群より選択される2種以上であり、各々の元素の含有率は10〜90モル%である)で表され、モル比で銅の10-2〜10-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 (もっと読む)


【課題】 単純な構造でかつ被処理膜内のエッチング量の均一性およびエッチングの異方性を向上させたエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液11が満たされたエッチング槽12と、エッチング槽12の底部12aに設けられたホットプレート13と、液面11a付近に設けられた冷却器14と、被処理面15aを下方に向けてエッチング液11に浸漬された基板15を保持する基板保持具16等から構成される。ホットプレートによりエッチング液を第1液温に加熱し、冷却器14により液面11a付近のエッチング液11を第1液温よりも低い第2液温に設定することで、エッチング液11の対流を生ぜしめ、上昇する一様なエッチング液の流れを被処理面15aに接触させる。 (もっと読む)


【課題】 超電導回路装置及びその製造方法に関し、工程を工夫することによって、平均表面粗さを安定した回路動作が可能な程度まで小さくするとともに、高速動作化を可能にする。
【解決手段】 高温超電導体からなるグランドプレーン2上に、第1の絶縁層3を介して高温超電導体からなるジョセフソン素子4を設けるとともに、グランドプレーン2の側端面をジョセフソン素子4のカウンター電極7を覆う第2の絶縁層10と直接接触させる。 (もっと読む)


本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Yb1−xNdBaCu7−yであって、xが0.01〜0.30、yが0.00〜0.20である組成を有し、結晶粒のc軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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【課題】フルオロカルボン酸を用いたMOD法により、Y系超電導体のTcを超える実用的なTcを示すLa、Nd、Sm系超電導体を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ランタン、ネオジウムおよびサマリウムからなる群より選択される金属Mを含む金属酢酸塩を炭素数3以上のフルオロカルボン酸と、酢酸バリウムを炭素数2のフルオロカルボン酸と、酢酸銅を炭素数2以上のフルオロカルボン酸と、それぞれ反応させて精製し、反応生成物を前記金属M、バリウムおよび銅のモル比が1:2:3となるようにメタノール中に溶解してコーティング液を調製し、前記コーティング溶液を基板上に成膜してゲル膜を形成し、仮焼および本焼を行い、酸化物超電導体を得る。 (もっと読む)


【課題】 Caを含まず、極めて欠陥の少ない高品位なR1Ba2Cu37針状結晶と、そのR1Ba2Cu37針状結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式(1)
【化9】


(式中、Rは、Y,La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuのうちのいずれか1種の希土類元素を示し、Xは、Sb,Te,Se,As,S,Pのうちのいずれか1種の元素を示す)で表される原子比組成を有する圧粉成形体からなる前駆体を、5〜100%の酸素雰囲気中、900℃以上前駆体が完全に溶融する温度未満の温度範囲で熱処理することで、R1Ba2Cu37結晶構造を有する酸化物超伝導体針状結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、デバイス基板(11)と、前記デバイス基板上に超伝導材料で形成された超伝導パターン(12)と、前記超伝導パターンを覆って、前記デバイス基板に均一に密着する誘電体粉末固定層(19)とを備える。 (もっと読む)


【課題】 特に、同調可能な又は調整可能な特性を有する薄層型超伝導体,その超伝導体の製造方法及びそのような部品を有するデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 その部品は、交互に積層された電気的絶縁材料の薄層と超伝導材料の薄層とにより成るスタックと、超伝導層の少なくとも二つの間に抵抗接続を構成するための同調手段とを有している。この部品のインダクタンスは、その接続の抵抗を修正することにより調整することができる。 (もっと読む)


薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも1つがフッ化物含有塩である、1種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の1つまたは複数の前駆体成分、または希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある1つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある1つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
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本発明の課題は、マイクロストリップ構造、コプレーナ構造を有しており、超伝導材料を用いたアンテナ素子を利用した、アンテナ装置、信号受信装置、信号送信装置であって、指向性利得の向上、小型化、及び、低消費電力化を実現するアンテナ装置、信号受信装置、及び、信号送信装置を提供することにある。そして、上記の課題を解決する手段は、平面型アンテナ素子と、電波を透過させる電波窓を有し、前記平面型アンテナ素子を収容して外部からの熱を遮断する断熱容器と、前記断熱容器内であって、前記電波窓
と前記平面型アンテナ素子のアンテナパターン形成面の間に配設された導波管と、前記平面型アンテナ素子を冷却する冷却手段を備え、前記導波管が前記平面型アンテナ素子の指向性を強める形状及び寸法であり、平面型アンテナ素子のアンテナパターンに超伝導膜を使用したことを特徴とするアンテナ装置である。
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高温超伝導体フィルムが基板上のCeO層上に堆積された高温超伝導体(HTS)ミニフィルタまたはコイルを製造するための方法が、ミニフィルタまたはコイルのより高い収率をもたらす。

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高温超伝導体RFコイルを使用する核四重極共鳴検出システム。

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【課題】現在の超伝導誘導素子の製造方法よりも簡単で且つコストのかからない製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを含んだ少なくとも一つのラインセグメントの形態の超伝導誘導素子を製造する方法に関する。また、本発明は、上記方法を実施するために用いられるシステムであって、超伝導フィルムを蒸着する手段と、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着するための手段と、蒸着されたフィルムの全てをエッチングするための手段とを有し、誘導素子が植え付けられる位置にスタックだけが残るように前記手段が配置されているシステムに関するものである。 (もっと読む)


コーティングされるべき基板(116)上に照射するイオン源(132)或いは(218)が、MOCVD、PVD或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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