【課題】幅方向に複数のレーンを成すように配列した基材または幅広の基材に対しても、膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することが可能であり、また、良好な生産性で厚い膜の成膜が可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】レーザー光Ｌによってターゲット６から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を帯状の基材３４の表面上に堆積させ、基材３４の表面上に薄膜を形成するにあたり、基材３４の移動方向を転向させる転向部材１１を囲んで加熱ボックス２０を設けるとともに、転向部材１１に接した状態にある基材３４の表面に対向するようにターゲット６を配し、転向部材１１に基材３４の裏面が接しつつ、基材３４を長手方向に移動させた状態で、加熱ボックス２０の中を均等加熱するヒーター２５により、基材３４を加熱し、ターゲット６にレーザー光Ｌを照射する位置を、基材３４の幅方向と同じ方向に振幅させる。 （もっと読む）

希土類金属Ba2Cu3O7膜を生成する組成物及び方法が記載される。組成物は、バリウム(Ba)金属有機化合物、１又はそれより多い希土類金属有機化合物を含み、組成物は、ハロゲンも含む。例えば、組成物は、ハロゲン化された有機溶媒を含む。組成物はまたほぼ２３０℃よりも大きい沸点を有する溶媒を含む。前駆体溶液は、また、水を生成するために、ハロゲン化された溶媒と反応しない低粘度溶媒を含む。高粘度化合物は、より厚い膜の形成を可能とするために含まれることもある。得られた前駆体溶液は、基板上に堆積され、５０℃／分よりも大きい加熱速度で熱分解され、滑らかな、剪断膜を生成するために結晶化される。１００ｎｍよりも大きい厚さの膜は、４×１０^６A／ｃｍ^２の輸送J_c値を用いて、７７°Kでさまざまな基板上で生成される。 （もっと読む）

【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射状況を限定せず、つまり重ね塗りでの厚膜化の場合においても、また基板の両面に製膜する場合においても、背面照射と同じ効果を適用することを可能にする超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し、乾燥させる工程（1）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（2）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（3）を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程（1）と工程（2）の間でレーザ光を照射する際に、超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を塗布した面の直前に散乱機構を設置し、レーザ光をいったん散乱光にしたのちに有機化合物溶液に照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超電導機器に電力を供給することができる低熱伝導性でコンパクトな単一の電流リードを提供する。
【解決手段】基板上に中間層を介して積層された超電導層及び安定化層を備えたテープ状のＲｅＢａ_ｘＣｕ_３Ｏ_ｙ系酸化物超電導線材Ａ及びＢを電気的絶縁テープを介して、その基板面を外側にして電流リード支持体１０の外周に同方向に無誘導巻きされるように巻回し、超電導線材Ａの両端末を電流端子１１ａ及び１１ｂの半円板状の部分に半田接続し、同様に超電導線材Ｂの両端末を電流端子１１ｃ及び１１ｄの半円板状の部分に半田接続して酸化物超電導電流リード２０を形成することにより、単一の電流リードで電力を供給することができ、熱伝導量を低減させることができる上、コンパクトで、自己磁界による超電導特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】中心周波数と帯域幅を独立して制御可能な超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】高周波電気信号に対するフィルタ特性を有する超伝導フィルタ装置（１０）は、第１の主面と第２の主面を有する誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板の前記第１の主面に形成され、超伝導体材料を含む共振器パターン（１２）と、前記誘電体基板の前記第２の主面に形成され、開口（１４ａ）を有するグランド層（１４）と、前記第１の主面側で、前記共振器パターンから離間して配置され、前記フィルタ特性を調整する第１の調整部材（２０，２３）と、前記第２の主面側で、前記グランド層の開口位置に設けられ、前記フィルタ特性を調整する第２の調整部材（２５，２６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、その使用限界時間を改善し、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、ターゲットの固定プレート上に、Ａｇろう層が接合され、該Ａｇろう層上に酸化物・Ａｇ混合層が接合され、該酸化物・Ａｇ混合層上に酸化物層が接合されてなることを特徴とするレーザー蒸着用酸化物ターゲット。 （もっと読む）

【課題】フィルタの使用中に、中心周波数と帯域幅を独立して制御可能なチューナブルフィルタ装置を提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ装置（１）は、誘電体基板（１１）上に共振器パターン（１２）が形成されたフィルタ（１０）と、前記共振器パターンの上方に位置し、前記共振器パターンの伝送特性を調整する調整ロッド（２５）と、前記フィルタ及び前記調整ロッドを収容するとともに、貫通穴（３２Ａ）が設けられた容器（３２）と、前記調整ロッドを前記共振器パターンに対して垂直方向に移動させる位置調整手段（２０）と、を備え、前記調整ロッドと前記位置調整手段の間がワイヤ（２３）で接続され、前記ワイヤが前記貫通穴を通過する。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉素子１０は、リング部１２Ａを有する超伝導体層１２と、この超伝導体層１２のリング部１２Ａの一部を跨いで配設された強磁性層１３，１３と、を有する。２つの強磁性層１３、１３がリング部１２Ａに跨いで被覆している。超伝導体層１２のリング部１２Ａのうち強磁性層１３，１３で被覆した領域１２Ｂ，１２Ｂが、強磁性層１３により超伝導体（Ｓ）から絶縁体（Ｉ）へ転移し、障壁となる。この構造により所謂ＳＩＳ型のジョセフソン接合が２箇所で形成されるため、所謂ＤＣ−ＳＱＵＩＤを構成する。 （もっと読む）

【課題】高い臨界面電流を実現できる超伝導酸化物薄膜、および大きな耐電力性を持った超伝導部材の提供。
【解決手段】サファイアＲ面基板上に形成された、酸化物からなるバッファ層と、さらにその上に形成された超電導超伝導層とを具備してなる超電導超伝導部材であって、前記酸化物の酸素原子同士の最近接酸素間の距離と、酸化物の粒塊の粒径が特定された超電導超伝導部材とその製造方法。この超伝導部材は超伝導フィルターの部材として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】並進運動時に損失の少ない超伝導部材及び磁気浮上装置を提供する。
【解決手段】複数の超伝導体からなる超伝導部材であって、該超伝導部材の超伝導体同士を超伝導電流が流れない物理的に結合した接合面の少なくとも一部が、該超伝導体の接合面に接する面の何れかの面と、直交しないことを特徴とする超伝導部材、及びこれを用いた超伝導磁気浮上装置。 （もっと読む）

【課題】超伝導フィルタデバイスにおいて、伝送特性を劣化させることなく、超伝導フィルタデバイスの電極と金属パッケージの同軸コネクタの中心導体とを良好にはんだ接合できるようにする。
【解決手段】超伝導フィルタデバイス１を、基板３上に形成された超伝導配線４と、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部に形成された電極６Ａと、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部近傍の表面及び側面が覆われるように形成された保護膜９とを備えるものとし、超伝導配線４を、インピーダンス整合を取るために保護膜９に覆われた部分に幅が異なる部分４Ｘを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで、周波数特性の調整が容易で、高い耐電力特性を有する超電導フィルタを提供する。
【解決手段】給電部を有する誘電体材料からなる誘電体基板２と、誘電体基板２内に配置されたバルク状の超電導体１と、誘電体材料からなる誘電体ロッド４と、超電導体１と誘電体ロッド４との間の相対的位置を変化させるロッド上下用トリマー５とを有する超電導フィルタである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ膜を効率良く成膜して収率を向上させることができるランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置は、基板３上にサーマルＣＶＤ法により成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１と、前記チャンバー１の外側に配置され、前記チャンバー１を透過したランプ光が前記基板３に照射されるランプヒーター４，６と、前記チャンバー１に接続され、前記チャンバー１内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構と、前記チャンバー１に設けられ、前記チャンバー１内を排気する排気口２１と、前記排気口２１に接続された排気機構と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長尺で高性能な酸化物超電導導体通電素子を提供できるようにする。
【解決手段】２つ以上の酸化物超電導体を電気的に接合した酸化物超電導導体と、前記酸化物超電導導体の両端に電気的に接合した電極端子と、前記酸化物超電導導体を構成する酸化物超電導体間の接合部に接続した伝熱体とからなることを特徴とする酸化物超電導導体通電素子である。 （もっと読む）

【課題】超伝導ディスク型共振器において、誘電率または磁化率が異方性の基板を用いた場合に共振カーブに発生するノッチを解消し、良好な共振特性を維持する。
【解決手段】超伝導ディスク共振器は、誘電率異方性の誘電体ベース基板（２１）と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成されるディスク型の共振器パターン（１２）と、前記誘電体ベース基板上で、前記ディスク型共振器パターンの近傍まで直線上に延びる一対の信号入出力ライン（１３）とを備え、前記信号入出力ラインに対する前記誘電体ベース基板の誘電率異方性の方向は、±９０°の向きにある。 （もっと読む）

【課題】大幅な小型化を実現することができる超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金製のパッケージ台座１の壁部に貫通孔が形成されており、この貫通孔をセミリジッド同軸ケーブル３が貫通している。そして、セミリジッド同軸ケーブル３の中心導体３１がはんだ材１５によって電極１４に接合されている。また、セミリジッド同軸ケーブル３には、中心導体３が貫通する絶縁材３２が設けられており、その周囲に外部導体３３が設けられている。中心導体３１及び外部導体３３は、例えばステンレスからなり、絶縁材３２は、例えばフッ素樹脂からなる。更に、貫通孔の内部において、パッケージ台座１の壁部と外部導体３３とは、円筒状のフッ素樹脂材２２に形成された孔内のステンレス材２３を介して互いに電気的に接続されている。そして、導電性のねじ１３によって、セミリジッド同軸ケーブル３等が壁部に固定されている。 （もっと読む）

【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba₂Cu₃O₇ (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、１％以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba₂Cu₃O₇の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】残留フッ素量が低く、膜厚が厚く、しかも高い超電導特性を示す酸化物超電導体を提供する。
【解決手段】基板上に、イットリウムおよびランタノイド族（ただしセリウム、プラセオジウム、プロメシウム、ルテニウムを除く）からなる群より選択される少なくとも１種の金属Ｍと、バリウムと、銅とを含む酸化物の膜として形成され、平均膜厚が３５０ｎｍ以上、平均残留炭素量が３×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上、残留フッ素量が５×１０¹⁷〜１×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｃであり、前記膜を膜表面または基板との界面から厚さ１０ｎｍ毎に複数の領域に区分して分析したとき、互いに隣接する２つの領域における銅、フッ素、酸素または炭素の原子比が１／５倍から５倍の範囲内である酸化物超電導体。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）