【課題】本発明は、ジョセフソン接合素子、その形成方法、および超電導接合回路に関し、ＩｃＲｎ積を向上することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン接合素子は、基板１１上に形成された下部電極層１２と、絶縁膜１３と、下部電極層１２の一端に形成された斜面を覆うバリア層１４と、バリア層１４を覆う上部電極層１５を有し、超電導接合部１６が形成される。下部電極層１２及び上部電極層１５は、（ＲＥ）₁（ＡＥ）₂Ｃｕ₃Ｏ_yを主成分とする酸化物超電導材料からなり、元素ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕからなる群のうち少なくとも１種、元素ＡＥがＢａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群のうち少なくとも１種である。バリア層１４は、元素ＲＥ、元素ＡＥ、Ｃｕ、及び酸素を含む材料からなり、この材料中のカチオンのうち、Ｃｕ含有量が３５〜５５原子％、かつ元素ＲＥ含有量が１２〜３０原子％の範囲に設定され、かつ下部電極層１２及び上部電極層１５の組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】超伝導接合の製造方法において、高温超伝導薄膜を、希土類常伝導相を含む三層構造薄膜にする。そして、三層構造薄膜を部分溶融することより相分離させ、超伝導薄膜に常伝導層を形成し接合を作製する。
【解決手段】常伝導/超伝導/常伝導の三層構造薄膜を堆積する。エッチング等により傾斜を持つようにパターニングする。超伝導薄膜を部分溶融し、常伝導層を形成する。エッチングにより常伝導層の厚さを制御する。超伝導薄膜を堆積し上部電極とする。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生及び結晶粒界の電気的結合性の低下の原因を抑制し、高いJc及びIc値を有するテープ状超電導体を得る。
【解決手段】MOD法により基板上にRe系（１２３）超電導体を製造する際に、Re、Ba及びCuのモル比をRe：Ba：Cu＝１：X：３としたときにX＜２の範囲内のBaモル比（好ましくは１．０≦X≦１．８、より好ましくは１．３≦X≦１．７）の原料溶液を用いることにより、Jc＝３．２０MA／cm^２、Ic＝５２５A／cm（X＝１．５）の超電導特性を有する厚膜のテープ状超電導体の製造が可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＳＦＱ論理回路との間での接続・集積化が容易な光インターフェイスを実現することが可能な光入力素子を提供する。
【解決手段】高温超伝導体により構成される制御電流線１００と、制御電流線１００を流れるパルス電流により発生する磁束が侵入し、かつパルス光が照射されるジョセフソン接合１２０を有し、高温超伝導体により構成されるバイアス電流線１１０と、ジョセフソン接合１２０に開口部２００ａを有し、バイアス電流線１１０を覆う第１遮光膜２００と、制御電流線１００を覆う第２遮光膜２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】クラスタービーム自体を補助的に噴射／成長させる方法で超伝導膜内にナノ粒子を形成させることにより、磁束線のピン止め力を向上させて超伝導体の臨界電流密度を増大させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜の製造方法、製造装置、及びその方法によって製造される高温超伝導膜の提供。
【解決手段】真空チャンバー内で蒸発法によって高温超伝導膜を形成させる高温超伝導膜製造方法において、高温超伝導体材料物質を蒸発させて高温超伝導体物質を蒸気状態にして基板に蒸着させると同時に、ハウジングの内部に充填されたクラスタービーム材料物質を加熱して気体原子に形成させ、形成された気体原子をハウジングの入り口のノズルを通過させた後、クラスタービームの形で基板側に噴射／成長させることにより、高温超伝導膜の内部にピン止め点を形成させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板２と、基板２の上に形成された第１超電導体パターン３ａと、第１超電導体パターン３ａ上に形成された絶縁パターン５ａと、下面若しくは膜中にジョセフソン接合のバリア層８ｂが形成されたと共に、絶縁パターン５ａ上において回路要素を構成し、且つ多層の超電導体パターンの中で最上層に形成された第２超電導体パターン８ａとを有する超電導素子による。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体層又はフィルムの製造において、実用のための充分に高い電流容量を達成すること。
【解決手段】本発明は、基板、高温超伝導体層及び少なくとも１つのバッファー層を含む被覆された伝導体であって、前記バッファー層の少なくとも１つが高温超伝導体層を二軸配向するためのテンプレートであり、このテンプレートは公称化学式Ａ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＴｉから選択される少なくとも１種であり；ＡはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種であり；ｘは０以外である）を有する不定比材料から成る多結晶質フィルムから構成され、前記基板が組織化されている、前記の被覆された伝導体に関する。 （もっと読む）

【課題】超伝導薄膜の製造方法のひとつである塗布熱分解法において、結晶化の工程である本焼成に長時間を要するという問題を解決する。
【解決手段】塗布熱分解法において、基材１の上層に超伝導体の構成元素を含む塗布膜３を設ける。さらに塗布膜３表面側に表面側シード材層４を設け、仮焼成、本焼成を行う。本焼成時には、基材１側で表面に向けて結晶化が行われるとともに、前記表面側シード材層４からも基材側に向けて結晶化が行われる。この結果、両方向からの結晶化がなされることで結晶化に必要な時間が短縮される。また、基材１と塗布膜３との間にはバッファ層２を設けるのが望ましい。バッファ層２は、基材１と塗布膜３との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件の変化に依存せずに、配向性に優れるYBCO系高温超電導体膜を成膜することができる、配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材を提供するとともに、優れた配向性を有するYBCO系高温超電導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶方位の揃った基材表面にZrまたはZr酸化物が部分的に存在することを特徴とする配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材、および、該YBＣO系高温超電導体成膜用複合基材を用いて超電導体膜を作製することを特徴とする配向性に優れたYBCO系高温超電導体膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】量子ビット間における量子もつれ状態を、高速に、かつ、簡単に信頼性よく生成することができる超伝導量子マルチビット素子及びそれを用いた集積回路を提供する。
【解決手段】複数の超伝導量子ビット素子１，２〜Ｎと、各超伝導量子ビット素子のインダクタンスに電磁結合する共振器１１と、を備え、各超伝導量子ビット素子は３つのジョセフソン接合１ｄ，１ｅ，１ｆを有する超伝導量子干渉素子からなり、各超伝導量子ビット素子１，２〜Ｎは互いに電磁結合しないように配置されており、各超伝導量子ビット素子１，２〜Ｎへの高周波パルスの印加により各超伝導量子ビット素子間１，２〜Ｎに量子もつれ状態を生成する。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導デバイスの製造方法に関し、高温超伝導膜と電極とを接続した場合、室温及び低温の環境下で接続が剥離しないように、また、電極の半田食われが発生しないようにして、高温超伝導デバイスの信頼性を向上しようとする。
【解決手段】基板１１上に高温超伝導膜１２Ａを形成する工程と、高温超伝導膜１２Ａのライン・パターンを形成する工程と、該ライン・パターンの端部に電極１３を積層形成する工程と、電極１３上に第１の温度で熱処理することにより半田を形成する工程と、基板１１をパッケージ１５内に収容後、パッケージ１５を貫通する同軸コネクタと該電極１３とを接続するために該半田を該第１の温度よりも高い第２の温度で加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の電解研磨時間を短縮することで生産性を向上させることができ、さらには、単位面積当たりのクラックの発生を低減させ、且つ水平度に優れている超伝導ケーブル用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による超伝導ケーブル用基板の製造方法は、ハステロイ（登録商標）（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）Ｃ−２７６またはステンレス鋼を、表面粗さがＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）値にて１０ｎｍ以下の圧延ロールで圧延し基板を形成するステップと、圧延された基板を電解研磨液に浸漬して電解研磨するステップと、電解研磨された基板上に超伝導層を蒸着するステップとを含むことを技術的特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基盤上の表面平滑性に優れた第１中間層の上に第２中間層及び特性の優れたＹＢＣＯ超電導層を形成する。
【解決手段】２軸配向させたＮｉ―Ｗ合金テープ状基板１の表面に、ＭＯＤ法により複数回の塗布および仮焼を繰り返して成膜した5ｎｍ以下の表面平滑性を有するＡ_２Ｚｒ_２Ｏ_７からなる第１中間層２、パルス蒸着法により成膜したＣｅＯ_２膜からなる第２中間層３、ＭＯＤ法により形成されたＹＢＣＯ超電導層４およびこのＹＢＣＯ超電導層の上にＡｇ安定化層５を成膜して１ＭＡ／ｃｍ^２以上の臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＹＢＣＯ超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇やＬａＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などの薄膜が、ＭｇＯ基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板１０１を用意する。ＭｇＯ基板１０１は、主表面が（１００）面とされたものであり、また、一辺が２０ｍｍ程度の矩形の基板である。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板１０１が６００℃〜６４０℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム（Ｎｄ），バリウム（Ｂａ），及び銅（Ｃｕ）を蒸発源（蒸着源）とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の主表面にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導体薄膜１０２が膜厚５００ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分断した個々のフィラメント導体どうしの絶縁性を高めることができ、低交流損失の酸化物超電導体を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基体１上に酸化物超電導層６が設けられてなる低交流損失超電導導体Ａにおいて、前記酸化物超電導層６が、前記基体１の長さ方向に沿って前記基体の幅方向に複数形成された細線化溝３により複数のフィラメント導体２に分離されてなり、前記細線化溝３に高抵抗酸化物８が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＤ法により、長尺の金属基材上に、バッファ層を介し、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層を形成した臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材上に、バッファ層を介して、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層が形成されたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体であって、該ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物のＢａ組成が化学量論組成より小さいことを特徴とする臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体。ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅrのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度さらには臨界電流を高精度で制御可能な超電導接合素子および超電導接合回路を提供する。
【解決手段】超電導接合回路１０は、上部電極１８が形成するインダクタを直列に接続した複数の超電導接合素子２０₁〜２０₅からなり、超電導接合素子２０₁〜２０₅は、上部電極１８と下部電極１４とこれらに挟まれた障壁層１７からなる超電導接合部１６₁〜１６₅のゼロ電圧状態と有限電圧状態とのスイッチングにより磁束量子を伝搬する。超電導接合素子２０₁〜２０₅は、下部電極１４の面積に基づいて臨界電流密度が制御される。超電導接合素子２０₁〜２０₅の各々の下部電極１４の面積を略同等に設定することで、超電導接合素子２０₁〜２０₅間の臨界電流密度のばらつきを抑制する。さらには、下部電極１４と超電導磁気遮蔽膜とを接続する接続窓１４ａの面積を所定の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】この発明は，超伝導体を磁化するための方法と装置に関する，特にフラックス・ポンプと新しい型の磁化された超伝導体に関する。
【解決手段】
超伝導体の磁化を変化させる方法であり，その方法は，前記超伝導体の表面の上を移動する変動磁束の波を発生させるための磁界を自動制御することを含む。 （もっと読む）