【課題】半導体基板の、光電変換素子が形成された一方の面とは反対側の他方の面から入射した光を一方の面に形成した反射膜により効率よく反射させることができ、これにより感度向上した固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２で生成された信号電荷を転送する転送トランジスタＴｔ１およびＴｔ２とを備え、該転送トランジスタのゲート電極１０７を、該光電変換素子を構成する電荷蓄積領域１０２の第１主面側の表面を覆うよう形成し、該転送ゲート電極１０７をポリシリコン層１０７ａとその表面を覆う高融点金属シリサイド層からなる反射膜１０７ｂにより構成した。 （もっと読む）

【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素１１と、列ごとに形成された垂直信号線１４１と、垂直信号線と接続された負荷部２３とを備えている。画素１１は、増幅トランジスタ１１３、アドレストランジスタ１１５、リセットトランジスタ１１７及び光電変換部１１１を有している。光電変換部１１１は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ１１７は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ１１３のドレインと共に電源線と接続され、負荷部２３は、負性抵抗２３Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズを、隣接するマイクロレンズとのギャップを狭くして高い集光性能を与えるとともに、各マイクロレンズの形状が均一になるように形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子１０におけるマイクロレンズ７の製造方法であって、マイクロレンズを構成する第一の層８１を設けた後に、マイクロレンズを構成する第二の層８５を、第一の層とは異なる形状で第一の層に積層して設け、その後両層を熱処理して一体化することにより、所望の形状のマイクロレンズを形成する工程を含み、第一の層の形状が、各画素の中央から画素境界に向かう放射状パターンを含み、第二の層の形状が、多角形状の各画素の形状に近く、画素境界を越えない凸図形パターンである。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させ、出力画像に混色が発生することを抑制することができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置１２は、複数のフォトダイオード１９、カラーフィルタ層２１、複数のマイクロレンズ１６、および補助レンズ１７を具備する。複数のフォトダイオード１９は、半導体基板１８に形成される。カラーフィルタ層２１は、複数のフォトダイオード１９が形成された半導体基板１８上に形成される。複数のマイクロレンズ１６は、カラーフィルタ層２１上に形成される。補助レンズ１７は、カラーフィルタ層２１上に、複数のマイクロレンズ１６より低い屈折率を有する材料によって、複数のマイクロレンズ１６を覆うように形成される。補助レンズ１７は表面に湾曲部１７ａを有し、湾曲部１７ａに入射された光を、実質的に垂直な方向から複数のマイクロレンズ１６に入射させる方向に屈折させる。 （もっと読む）

【課題】ノイズや残像をより抑制した高画質な画像を得られる固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１、ＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を光電変換素子の外部に転送する転送トランジスタＴｘ１、Ｔｘ２とを備え、該光電変換素子は、該第１主面とは反対側の該半導体基板の第２主面から取り込んだ入射光を光電変換する第１導電型の光電変換領域１０１と、該光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を、該半導体基板の第１主面側で蓄積する第２導電型の電荷蓄積領域１０２とを有し、該転送ゲートトランジスタのゲート電極１０７を該電荷蓄積領域１０２の第１主面側の面の上方を覆うよう形成している。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つの
カラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもｐチャネル型ＭＯＳトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準ＣＤＳ信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、ｋＴＣ
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な３Ｔピクセルレイアウトによって可能になる。 （もっと読む）

【課題】 薄くて、耐熱性および分光特性に優れた近赤外線カットフィルターを提供する。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムと誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を有し、かつ、前記ポリイミド樹脂フィルムの厚みが、８０μｍ以下である、近赤外線カットフィルター。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング特性の向上が可能は固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体表面に形成されているフォトダイオード１４と、平面型及び縦型のゲート電極１６とフローティングディフュージョン１８を備える固体撮像素子３０を構成する。そして、縦型ゲート電極１６Ｂは、電荷蓄積時にゲート電極１６に電圧を印加した際に、実効ゲート幅Ｗ_ｅｆｆ方向で縦型ゲート電極１６Ｂを挟んだ両側の平面ゲート電極１６Ａ下の領域で、ポテンシャルの高さに差が発生する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】読み出し部の構造の複雑化を抑制しながら、読み出し電圧の低減や読み出し時間の短縮を実現する撮像素子を提供する。
【解決手段】アレイ状に配置される各受光センサ部１０１が、読み出し用電極１０３側が長く、対向する側が短い非対称形状を有し、前記アレイ状の配置において、各行は、互いに同一の方向を向く前記受光センサ部１０１により構成され、前記受光センサ部１０１の向きが互いに逆の２種類の行が垂直方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】フレームレートに応じた出力ビット数でAD変換を行う。
【解決手段】物理量を検知する画素が行列状に２次元に配置されてなる画素アレイ部と、画素アレイ部から読み出したアナログの画素信号に対してAD（Analog to Digital）変換を行うAD変換部と、レジスタに記憶されているレジスタ値に基づいて、AD変換部を制御する制御部とを備える固体撮像装置において、制御部は、画素信号を処理するためのクロック周波数に応じて、レジスタ値のうちの、AD変換の出力ビット数を設定するための出力ビット情報を設定する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現する。
【解決手段】撮像装置１には、撮像部２における複数の画素１０からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部１０と、撮像部２の各画素３から電荷を順次転送する電荷転送部２０とが設けられており、更に、電荷転送部２０によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部３０が設けられている。また、撮像部２の各画素の出力として、電荷読み出し部１０によって読み出される電荷、又は電荷転送部２０によって転送され且つ電荷増倍部２０によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣとＮとを含む混合ガスをプラズマ化してＣＮ活性種を生成し、生成したＣＮ活性種により半導体基体１１の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体１１の表面の半導体層を前記ＣＮ活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】 複数の画素の電荷を同時にリセットする構成の撮像装置においても、固定パターンノイズを除去するための補正用信号の精度を保ちつつ、レリーズタイムラグを短縮する。
【解決手段】 撮像素子１４の開口画素部２２０を含む領域の複数の画素２０３に蓄積されている電荷を一括してリセットする処理を行う（複数画素同時リセット状態５０２）。これが終了してから、遮光されている画素２０３の画像信号の読み出し（補正用データ読み出し状態５０３）と、当該画素２０３以外の画素２０３に対する電荷の蓄積（蓄積状態５０４）とを同時に開始し、これらを並行して行う。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、ＩＣチップ２００と、パッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、赤外線センサチップ１００が一面側に実装されＩＣチップ２００が他面側に実装されるベース基板部３０１と、ベース基板部３０１の上記一面側でベース基板部３０１から突設され赤外線センサチップ１００を囲む第１壁部３０２と、ベース基板部３０１の上記他面側でベース基板部３０１から突設されＩＣチップ２００を囲む第２壁部３０３とを備える。赤外線センサは、赤外線センサチップ１００とＩＣチップ２００とが、ベース基板部３０１を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部２０が配列形成された画素領域４を有するセンサ基板２と、センサ基板２の受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板２における受光面Ａ上に設けられ、画素領域４の膜厚が周辺領域７の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層１４と、受光面Ａ側における周辺領域７に設けられた配線８と、絶縁層１４上に光電変換部２０に対応して設けられたオンチップレンズ１９とを備えた固体撮像装置１-1である。 （もっと読む）