【課題】記憶部で発生するリーク電流の量を抑制した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】前記固体撮像装置は、半導体基板７０に配置される複数の画素部と、複数の記憶部と、垂直走査回路６とを備える。前記半導体基板７０内には、第一導電型のウエル６１が形成される。前記複数の記憶部の各々は、ウエル６１に形成される書き込みトランジスタ３１を有する。ウエル６１と、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレインである第二導電型の前記拡散領域７２とは接合される。垂直走査回路６は、前記記憶部に画素信号を記憶させるための記憶期間中に、ウエル６１と前記拡散領域７２との接合部の電界強度を低減させる所定電圧を、ウエル６１に印加する。 （もっと読む）

【課題】小型画素及び高性能ＣＭＯＳイメージセンサアレイで使用することができる実質
的な画素設計を提供すること。
【解決手段】本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域
と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散
領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電
位井戸とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素を含み、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、半導体層に形成された第１光電変換部と、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部に向けて反射する第１反射領域とを含み、前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第２光電変換部と、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２光電変換部に向けて反射する第２反射領域とを含み、前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図る裏面照射型のＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、半導体基板３１に対して光が入射する側に積層される有機光電変換層３３を備えており、有機光電変換層３３に有機光電変換膜４３が配置され、半導体基板３１に２つのＰＤ４１、４２が配置されている。そして、有機光電変換層３３では、有機光電変換膜４３を挟み込むように１対の透明電極５４−１，５４−２が設けられており、半導体基板３１側の透明電極５４−１が、光が入射する側に突出する曲面を有して形成され、有機光電変換膜４３が、この透明電極５４−１が有する曲面に倣って曲面形状を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高速シャッタ撮影を低消費電力で実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素部の一つの画素が、光感度または電荷の蓄積量の異なる領域に分割された複数の分割画素を含み、画素信号読み出し部は、画素の各分割画素の分割画素信号を読み出す読み出しモードとして、行ごとに順次に読み出す通常読み出しモードと、複数行で同時並列的に読み出す複数読み出しモードと、を含み、複数読み出しモードでは、同時並列的に読み出す画素数倍に相当する速度あって、この通常読み出しモードのフレームの複数分の一のフレームの期間に読み出しを行う読み出しを行い、ＡＤ変換部は、読み出しモードに応じて、上記読み出した各分割画素信号をＡＤ変換しかつ加算して一つの画素の画素信号を得る。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】より良好な画質を得る。
【解決手段】シリコン基板の内部に形成されるＮ型領域を有する第１のＰＤと、第１のＰＤよりもシリコン基板の深部に形成されるＮ型領域を有する第２のＰＤと、シリコン基板に対して積層され、第１のＰＤおよび第２のＰＤにより光電変換された電荷に応じた信号を読み出す電荷転送時に、所定の電圧が印加されるゲート電極と、電荷転送時に、第１のＰＤおよび第２のＰＤに蓄積されている電荷が転送されるＦＤと、転送ゲートと平面的に見て重なり合うように、シリコン基板の深さ的にＮ型領域とＮ型領域との間に配置されるＮ型領域とを備える。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】カメラモジュールのさらなる低背化を可能にする技術を提供する。
【解決手段】半導体素子１２０が搭載された第１の素子搭載用基板１１０にはんだボール２７０を介してレンズ２９０およびチップ部品２２０が搭載された第２の素子搭載用基板２１０が積層されている。第２の素子搭載用基板２１０に、半導体素子１２０の設置領域に対応して開口部３００が設けられている。開口部３００に透明部材３１０が嵌め込まれており、透明部材３１０の外周は、開口部３００に露出する第２の素子搭載用基板２１０の内壁に接着剤３２０により固着されている。 （もっと読む）

【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子において、画素部１０１のうち、転送スイッチ２０３およびＦＤ２０４およびリセットスイッチ２０７および増幅ＭＯＳアンプ２０５が第１半導体基板に形成され、列読み出し回路１０３または出力回路１０７または駆動回路の少なくとも一部が第１半導体基板以外の第２半導体基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素密度が低くコストが低い撮像素子を用い、解像度の高い画像を得る撮像装置を提供する。
【解決手段】被写体５を撮像する撮像素子２１と、撮像素子２１の受光面に形成される遮光膜２６と、撮像素子２１を１画素より小さい単位ずつをずらした複数の撮像位置に段階的に移動させる駆動部３と、撮像素子２１の撮像によって得られる撮像情報を取得する記憶部７と、撮像位置ごとに算出した撮像情報の違いに基づき、被写体５の画素情報を１画素より小さい単位で算出する制御部４と、算出された画素情報を被写体の位置と対応付けて画像情報として記憶する記憶部７と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を形成した後、マイクロ波アニールを実施する。このマイクロ波アニールによれば、シリコン結晶に共鳴吸収される周波数（５．８ＧＨｚ）のマイクロ波を使用することにより、シリコン結晶の格子振動を直接誘起するため、例えば、４００℃以下という低温においても、半導体基板の内部に形成されている結晶欠陥を回復させることができる。 （もっと読む）

【課題】より適切にクランプ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の信号処理装置は、撮像素子の有効画素領域外に設けられたOPB領域の、互いに異なる位置の画素値を用いて、前記有効画素領域の画素値の黒レベルを補正するOPBレベルの候補を複数決定する決定部と、前記決定部により決定された複数の前記候補の比較を行う比較部と、前記比較部による複数の前記候補の比較結果に基づいて、前記候補のいずれかを前記OPBレベルとして選択する選択部とを備える。本開示は信号処理装置および方法、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターの低下なしで、ピクセル縮小が可能なイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサのピクセルは、ピクセル内に互いに電気的に接続が必要なポリシリコン４０２と活性領域４０１を有するイメージセンサにおいて、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域の上部に一部が重なるように拡張され、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域と埋没コンタクト４０３されるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型の撮像素子において、画素の受光面積を確保しつつ、画質の低下を抑制する。
【解決手段】光を電荷に変換する光電変換部と、変換された電荷をフローティングディフュージョン部に転送するための転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部の電位に基づく信号を信号線に出力するためのソースフォロワアンプと、フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのリセットトランジスタとをひとつの単位構造とし、複数の単位構造が行方向と列方向の２次元状に配置された撮像素子であって、複数の単位構造を複数の組に分け、分けられた組ごとに転送トランジスタを制御する制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】 内部電界が弱い領域では、ホトダイオードＰＤより深い領域で発生した光電荷は横方向に拡散してしまい、隣接画素等への光電子流入（クロストーク）により感度低下が生じていた。
【解決手段】 クロスストーク防止層ＤＮＷ９をホトダイオードＰＤ形成部及び、画素−周辺回路間に設ける。
【効果】 画素−画素間または画素領域−周辺回路領域間のクロストークを低減し、光感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】偽色の発生の抑圧及び高解像度化が可能な単板式のカラー撮像素子を提供する。
【解決手段】水平及び垂直方向に配列された光電変換素子からなる複数の画素上に、所定のカラーフィルタ配列のカラーフィルタが配設されてなる単板式のカラー撮像素子である。このカラー撮像素子のカラーフィルタ配列は、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての色のフィルタが、水平及び垂直方向の全ラインに配列された所定の基本配列パターンＰを含み、この基本配列パターンＰが水平方向及び垂直方向に繰り返して配置されている。特にＧフィルタは、基本配列パターン内において、水平、垂直、及び斜め（ＮＥ，ＮＷ）方向の各方向（４方向）にそれぞれ２以上隣接する部分が含まれるように配置されており、これらの隣接するＧフィルタに対応するＧ画素の画素値により、４方向の輝度の相関度を最小画素間隔で判断することができる。 （もっと読む）

【課題】色バランスと色再現性とがよく、薄い撮像素子を提供すること。
【解決手段】色成分を抽出するフィルタは、透明フィルタと、黄フィルタと、赤フィルタと、可視光波長域において透過抑制特性を有し、可視光波長域より長波長側において透過特性を有する補正フィルタとを含み、補正フィルタは、波長４００ｎｍ〜５５０ｎｍの光に対する透過率が５％以下、分光透過率特性における５０％透過率の波長範囲が６２０ｎｍ〜６９０ｎｍ、波長７００ｎｍの光に対する透過率が７０％以上。補正フィルタが、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９の各顔料を含む着色樹脂組成物で形成されたこと。 （もっと読む）