【課題】擬色および混色の発生を抑えて高画質のカラー画像を取得することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、複数の画素を含み、撮像データを取得するイメージセンサと、イメージセンサの受光面上に設けられ、選択的な波長を透過させる可変フィルタと、可変フィルタを駆動して、その透過波長を設定するフィルタ駆動部（波長選択回路およびシステム制御部）とを備える。可変フィルタにおける透過波長を時分割的に切り替えつつ、撮像データを取得することにより、可変フィルタにおける透過波長に対応する画素データを時間的に連続して取得する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から２００μｍ以下の領域である。 （もっと読む）

【課題】二次元画素アレイを備えるイメージ・センサーを利用した電子式キャプチャ・デバイスのために光感度を向上させる。
【解決手段】カラー画像を捕獲するため、第1の画素群と第2の画素群を有する二次元アレイを備えていて、第1の画素群からの画素は、第2の画素群からの画素よりも分光光応答が狭く、第1の画素群の個々の画素は、少なくとも2つの色のセットに対応する分光光応答を持つイメージ・センサーが開示されている。さらに、第1の画素群と第2の画素群の配置が、少なくとも12個の画素を含む最小繰り返し単位を持つあるパターンを規定している。この最小繰り返し単位は複数のセルを含んでおり、各セルは、第1の画素群の中から選択した特定の1つの色を表わす少なくとも2つの画素と、第2の画素群の中から選択した複数の画素とを持ち、それらの画素が、捕獲したカラー画像を異なる照明条件下で再現できるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数方向の被写体を撮像することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、光電変換素子が形成されるシリコン基板と、前記シリコン基板の表面側に形成される配線層とを備え、前記光電変換素子が、前記表面側から前記配線層を介して入射される光を光電変換するとともに、前記シリコン基板の裏面側から前記配線層を介さずに入射される光を光電変換する。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、製造方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓ／Ｎ比の向上ならびにダイナミックレンジを拡大することのできる撮像システムを提供することを目的とする。さらに、これに適した撮像システムの駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 行列状に配列された複数の画素と、複数の画素の各列に設けられた列増幅部と、列増幅部で増幅されたことに基づく画像信号を出力する出力部と、を有する固体撮像素子と、画像信号を受ける信号処理部と、を備える撮像システムにおいて、列増幅部は、画素から出力される一の信号を１よりも大きいｑ倍のゲインで増幅し、信号処理部はｑ倍のゲインで増幅されたことに基づく画像信号に対して、１を下回る倍率をかける。 （もっと読む）

【課題】 光硬化樹脂４３および光硬化樹脂４３に分散した無機粒子４４を有する接着部材４に生じ得る点剥がれを抑制する。
【解決手段】 無機粒子４４の体積基準の粒子径分布において、分布累積値が５０％となる粒子径をＤ_５０、分布累積値が９０％となる粒子径をＤ_９０、接着部材４の厚みをＴとして、Ｄ_５０≧０．５μｍ、Ｄ_９０≦５．０μｍ、Ｄ_９０／Ｔ≦０．４および５μｍ≦Ｔ≦４０μｍを満たす。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化されても、転送トランジスタのトランジスタ特性を維持し、かつ光電変換素子の受光面積を十分に確保できる固体撮像装置及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換素子ＰＤと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、光電変換素子ＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域側で広くして成る。そして、転送ゲートは、ＦＤ領域と転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線よりも、ＦＤ領域側に少なくともその一部が形成されている。さらに、ＦＤ領域は、直線と平行な方向において、転送ゲートと接する位置以外のＦＤ領域の端部間の長さが、両端部間を結ぶ直線からＦＤ領域側に向けて広がる部分を有する。 （もっと読む）

【課題】メタルストラップ型ＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、（ＶＣＣＤを通る光電荷の流れを制御するゲート導電体の上に配置された）水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとの両方の使用によってＣＣＤ画像センサにおける内部抵抗を減少させ、これら水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとは両方とも、電気的制御信号を伝えるバスラインに選択的に接続されている。選択的な電気的接続は、特定のバイアスグループに対する総抵抗が、画像センサ画素アレイのサイズから実質的に独立することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】画像センサにおける複数ゲイン電荷感知を提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、
入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、
該ＰＳＲのうちの少なくとも１つと関連付けられている出力チャネルと
を備えており、該出力チャネルは、
光電荷を電圧に変換するための感知ノードと、
該感知ノードに接続されているキャパシタンス制御ユニットと、
該感知ノードに接続されており、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、
該キャパシタンス制御ユニットに接続されており、該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路と
を備えている、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる固体撮像装置及び情報端末装置を提供する。
【解決手段】入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する複数の画素が２次元的に配置され、前記複数の画素の前記第１面によって上面１１が形成され、前記複数の画素の前記第２面によって裏面１２が形成された撮像基板１０と、前記撮像基板１０の前記上面１１側に設けられた遮光部材１３と、を備える。前記複数の画素は、前記遮光部材１３の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材１３によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第２面に形成されたＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】形成する着色パターンの色抜けを抑制し、現像性及び耐熱性に優れる着色パターンを形成しうる着色組成物を提供する。形成する着色パターンの色抜けを抑制し、現像性及び耐熱性に優れる着色パターンを形成しうる着色硬化膜、該着色パターンを備えたカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。耐色抜け性及び耐熱性に優れる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】色素構造を有する樹脂（Ａ）を含有する着色組成物であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される前記樹脂（Ａ）における分子量２０００以下の成分の占めるピーク面積が、前記樹脂（Ａ）の分子量分布全体のピーク面積に対して１０％未満である着色組成物。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】回路基板への撮像素子の実装面積を低減して小型化を図るとともに、低背化しても撮像素子の外力に対する強度を確保できる。また、発熱による影響を受けにくく、ノイズに強い固体撮像装置及びカメラモジュールを提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、受光領域１１の外側に外部接続用のパッドが配置されたボンディングパッド領域１３を有する撮像素子１５と、少なくとも撮像素子１５の受光領域１１とボンディングパッド領域１３との間に配置され、ボンディングパッド領域１３に対応するパッドが配置された第１のパッド領域１７を有する配線部材と、を備える。撮像素子１５のボンディングパッド領域１３と配線部材１９の第１のパッド領域における対応するパッド同士をワイヤーボンディング接続した。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化を達成しつつ、２次元撮像及び３次元撮像の同時撮像を可能にした半導体装置の駆動方法を提供する。また、高精度な移動体の位置検出を可能にした半導体装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】同一の照射時間の第１の照射及び第２の照射を行い、第１の照射及び第２の照射に対応させて、第１の撮像及び第２の撮像を行い、第１の撮像及び第２の撮像において、光の到着時間の時間差に依存した第１の検出信号及び第２の検出信号を取得することで、光源から被検出物までの距離を測定する。また、可視光を吸収し、赤外光を透過する第１のフォトセンサ、及び赤外光を吸収する第２のフォトセンサを重畳することで２次元撮像及び３次元撮像の同時撮像を可能にする。また、隣接するフォトセンサで被検出物のほぼ同一点からの反射光を検出する事で、高速で移動する被検出物においても位置検出精度の低下を防げる。 （もっと読む）

【課題】画素セルが３つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル１１に対して、リセットトランジスタ１１７をＯＮ状態とすることで、増幅トランジスタ１１３のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル１１に対して、選択トランジスタ１１５及びリセットトランジスタ１１７を同時にＯＮ状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ１１３のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル１１から列信号線１４１に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ１１７がＯＮ状態とされている時に選択トランジスタ１１５がＯＮ状態とされる。 （もっと読む）

【課題】クロストークによる画質劣化を防止することができるＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型の固体撮像素子１００は、半導体基板内に二次元状に配置形成されたＮ型不純物層からなる複数のフォトダイオード（ＰＤ）１０と、各ＰＤ１０で発生した電荷に応じた信号を読み出す半導体基板に形成された信号読み出し回路Ｃとを有する。ＰＤ１０の行と行の間の境界領域、及び、ＰＤ１０の列と列の間の境界領域の一方において、当該一方の境界領域の伸びる方向に信号読出し回路Ｃを構成するＭＯＳトランジスタが配列され、２つの境界領域の他方におけるＰＤ１０同士の間の領域の半導体基板には、入射した光に応じて電荷を発生して当該電荷を蓄積するＮ型不純物層からなる電荷蓄積部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】黒レベルの基準値の検出をより正確に行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、有効画素領域の画素値の黒レベルの基準値を検出するための領域であり、半導体基板外部からの光が遮光膜により遮光されるオプティカルブラック画素領域に、前記オプティカルブラック画素領域の前記半導体基板内部に存在する電荷を、前記オプティカルブラック画素領域の外部に伝送する伝送路領域を備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】より汎用性のあるピクセルアクセス性能を有するイメージングデバイスを提供する。
【解決手段】イメージセンサは、構成可能な相互接続回路を介してアナログ回路へと結合されたイメージセンサピクセルを含む。アナログ回路は、多数のアナログ回路ブロックを含み、関連付けられたイメージセンサピクセルを制御し、そこからの信号を読み出す。構成可能な相互接続回路は、アナログ回路ブロックと、イメージセンサピクセルのうちの特定のグループとの間の接続を再度確立するために制御される。デジタル回路は、アナログ回路へと結合される。デジタル回路は少数のアナログ回路ブロックによって制御される有意に多くのイメージピクセルが存在し、同様に、少数のアナログ回路ブロックは、さらに少数のデジタル回路ブロックによって制御される。イメージセンサピクセルアレイ、構成可能な相互接続回路、アナログ回路およびデジタル回路は、垂直に積層される。 （もっと読む）