【課題】構成の単純化およびモードの多様化に有利な技術を提供する。
【解決手段】走査回路は複数の単位回路を直列に接続して構成されたシフトレジスタと、シフトレジスタを制御する制御部とを備える。各単位回路はパルス信号入力端子と、パルス信号出力端子と、制御端子とを含む。単位回路は複数にグループ分けされている。制御部は、第１モードでは複数のグループの単位回路の制御端子にクロック信号を供給することによりパルス信号をシフトするように動作させ、第２モードでは少なくとも１つのグループの単位回路の制御端子にはバッファとして動作させる論理レベルを供給し、他のグループの単位回路の制御端子にはクロック信号を供給することにより前段の単位回路から出力されるパルス信号をクロック信号に応じて後段の単位回路に転送するように動作させ、１つの期間内に少なくとも１つのグループの単位回路とその前段の単位回路からパルス信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにＳｉＨ_４ガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】撮像素子が実装された後のフレキシブルプリント配線板の厚さが薄く、小型な撮像ユニット及び前記撮像ユニットを備えた内視鏡と前記撮像ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子、及びフレキシブルプリント配線板を含む撮像ユニットにおいて、前記撮像素子は、受光部、前記受光部に電気的に接続された金属配線層、前記金属配線層に形成された金属パッド、及び前記金属パッドを受光側とは反対側に露出させるように設けられた開口部、を含み、前記フレキシブルプリント配線板は、前記開口部内において前記金属パッドと電気的に接続される金属線を含み、かつ前記撮像素子の受光側とは反対側の面上に接着剤によって接着される。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ型の固体撮像装置において、水平方向の読み出しの際の転送動作による発熱を効率良く放熱し、且つ出力信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置２Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、及び、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されており各列から取り出される電荷の大きさに応じた電気信号をそれぞれ出力するＮ個の信号読出回路２０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換してシリアル信号として順次出力するＣ−ＭＯＳ型の半導体素子５０と、主面８１ａ及び裏面８１ｂを有する伝熱部材８０と、裏面８１ｂ上に設けられた冷却ブロック８４とを備え、半導体素子５０と伝熱部材８０の主面８１ａとが互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】分子検出および識別に応用する多接合フォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多接合フォトダイオードは、第１導電型ドーパントを有する基板と、第１導電型ドーパントを有するエピタキシー層と、第２導電型ドーパントを有する深ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第１ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第２ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第３ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第１ドープ領域とを含む半導体装置を提供する。エピタキシー層は、基板の上に配置され、深ウェル領域は、エピタキシー層の中に配置される。第１ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、深ウェル領域の中に配置される。第２ウェル領域は、第１ウェル領域の中に配置される。第３ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、第２ウェル領域の中に配置される。第１ドープ領域は、第３ウェル領域の中に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、再分極を行うことなく、赤外線を検出することができる焦電型赤外線検出素子、焦電型赤外線撮像素子および焦電型赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の焦電型赤外線検出素子Ｄは、一対の下部電極層および上部電極層と前記一対の下部電極層および上部電極層間に配置される強誘電体材料とを備える焦電部１１と、前記一対の下部電極層および上部電極層間に所定の電圧値Ｖｉの電圧を印加するための電圧印加部１２と、電圧印加部１２によって前記一対の下部電極層および上部電極層間に前記所定の電圧値Ｖｉの電圧を印加した電圧印加分極状態から自然分極状態までに焦電部１１で生じた電荷量に関係する所定の物理量を測定する測定部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。
導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】電荷結合デバイス画像センサの構造、作成、使用法を提供する。
【解決手段】チャネルドーピング層８０２と比較して逆導電型にドープされた１つ以上のチャネルストップ層８０４を、チャネルドーピング層８０２から離して配置することにより、電荷増倍ＣＣＤチャネルにおける衝撃イオン化によるスプリアス電荷の生成を大きく低減する。 （もっと読む）

【課題】チップ内の熱勾配を緩和することが可能で、ひいてはダークシェーディングを緩和することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第１チップは画素アレイ部が配置され、第２チップはロジック部およびレギュレータが配置され、レギュレータは、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、複数の出力段トランジスタと、基準電圧と複数の出力段トランジスタの共通化された出力電圧を比較する演算増幅器とを含み、演算増幅器の出力は複数の出力段トランジスタのゲートに接続され、出力段トランジスタの出力経路は一つのノードに接続され、演算増幅器にフィードバックされ、複数の出力トランジスタの電源側端子は外部電源電圧が供給される供給電源端子に接続され、演算増幅器は、基準電圧と複数の出力段トランジスタのノードで共通化された出力電圧を比較して複数の出力段トランジスタのゲート電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁膜２０内に形成された少なくとも１層の金属配線層３２と、画素電極間の間隙Ｇに充填された充填部２１１と、光機能層５０内に突出して形成されてなる突出部２１２とからなる電界調整用絶縁層２１を備えてなり、光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層５２を含む。突出部２１２は、充填部２１１に接している２つの画素電極４０の各端部４０ｔと、該２つの端部間の中央部上方の１つの頂点Ａとをそれぞれ結ぶ下に凸の曲線で囲まれてなる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子１０７は、複数の画素２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ３５０と、分離帯Ｓを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部３０６，３０７，３１０，３１１とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】レンズの無効領域が少ない固体撮像素子を容易に製造することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ２０を構成するレンズ母材層２１を形成する工程と、このレンズ母材層２１上に、レジスト２３よりも熱膨張係数の大きい中間膜２２を形成する工程と、この中間膜２２上に接して、レジスト２３を形成する工程と、その後、熱リフローによりレジスト２３をレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジスト２３のレンズの形状をレンズ母材層２１に転写して、レンズ２０を形成する工程とを有して、受光部の上方にレンズ２０が設けられた固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、ケミカルセンサモジュール、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供すること
【解決手段】本技術のケミカルセンサは、基板と、オンチップレンズと、平坦化層とを具備する。基板は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成されている。オンチップレンズは、上記基板上に設けられた、入射光を上記フォトダイオードに集光する。平坦化層は、オンチップレンズを被覆して平坦化し、プローブ材料を保持するためのプローブ保持面を形成する。 （もっと読む）

【課題】 各画素が複数の光電変換部を有し、各画素からの信号を複数の読み出し系を介して読み出す撮像素子において、画素単位の加算読み出し及び光電変換部毎の独立読み出しを適切に行うこと。
【解決手段】 複数の光電変換部（２０１）と、複数の変換手段（２０２）とをそれぞれ含む単位画素が、行列状に配列された画素領域（２０）と、各列に配列された複数の単位画素それぞれに含まれる複数の変換手段の１つに共通に接続される信号線（ＶＬ、ＶＲ）を複数含み、複数の変換手段から出力された電圧信号を、複数の信号線を介してそれぞれ独立に第１の方向に転送する第１の読み出し手段と、当該電圧信号を、第２の方向に転送する複数の第２の読み出し手段とを有し、複数の信号線を、各列毎に、複数の第２の読み出し手段のいずれか１つに接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域２００と、チップ領域２００を囲んで配置された分割領域３００と、各チップ領域２００に設けられた光電変換部２０と、各チップ領域２００において光電変換部２０に対する受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域２００において表面側に引き出されたデバイス用端子３３と、駆動回路に接続され分割領域３００において受光面Ａ側に露出された検査用端子４００とを備えた固体撮像素子ウエハ１００−１である。 （もっと読む）

【課題】一層のノイズ低減を図ることができることはもとより、低周波ノイズの低減を図ることができる比較器、ＡＤ変換器、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】比較器５００Ａは、第１の入力サンプリング容量Ｃ５１１と、第２の入力サンプリング容量Ｃ５１２と、出力ノードｄと、一方の入力端子に、第１の入力サンプリング容量を介して、信号レベルが傾きをもって変化するスロープ信号を受け、他方の入力端子に、第２の入力サンプリング容量を介して入力信号を受けて、スロープ信号と入力信号との比較動作を行う差動比較部としてのトランスコンダクタンス（Ｇｍ）アンプ５１１と、Ｇｍアンプの出力部ｃと出力ノードｄとの間に配置され、Ｇｍアンプの出力部の電圧を一定に保持するアイソレータ５３０とを有する。 （もっと読む）