【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】分割画素を有する撮像素子において、画素分離領域の影響による撮像信号の感度低下や入射角特性の劣化等を発生させない構造を実現する。
【解決手段】マイクロレンズを共有する複数に分割された光電変換部を有する撮像素子において、それぞれの光電変換部の光入射側に、前記マイクロレンズに入射した光を前記それぞれの光電変換部に導くための光学手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタのサイズを変えることなく、ノイズの低減が図られた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、そのＭＯＳトランジスタを備えることにより、ノイズの低減が図られた固体撮像装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】埋め込みチャネル型のＭＯＳトランジスタにおいて、素子分離部２４側に接する領域に、斜め方向からのイオン注入により形成した第１の不純物拡散領域１４ａと、ゲート電極２６下の領域全面に形成した第２の不純物拡散領域１４ｂとによりチャネル領域１４を構成する。第１の不純物拡散領域１４ａの形成により、チャネル領域１４の素子分離部２４側で発生する不純物濃度の低下分を補填でき、実効ゲート幅の拡大が可能となる。 （もっと読む）

【課題】色ムラが抑制され、パターンエッジ形状に優れた着色パターンを、残渣の発生を抑制しながら作製できるカラーフィルタ用着色組成物を製造できるカラーフィルタ用着色組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】濁度が３０ｐｐｍ以下であり色素を含む重合溶液を用いて色素多量体を作製する色素多量体作製工程と、少なくとも、前記色素多量体と、重合性化合物と、溶剤と、を混合する混合工程と、を有するカラーフィルタ用着色組成物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる感知装置と感知方法とを提供する。
【解決手段】第１および第２走査線と読み出し線と第１および第２感知ユニットを含む感知装置が提供される。第１感知ユニットが第１走査線と第２走査線と読み出し線とに連結されるとともに、第１エネルギーを感知するよう配置される。第１感知ユニットが第１走査線上で第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２感知ユニットが第２走査線と読み出し線と連結されるとともに、第２エネルギーを感知するよう配置される。第２感知ユニットが第２走査線上で第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して働き、第１感知ユニットをリセットする。 （もっと読む）

【課題】最適な分光特性を創出できる撮像素子、撮像装置、または生体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、フォトダイオード１１１と、フォトダイオード１１１の上方であって相異なる平面位置にそれぞれ配置される、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬ及び第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲと、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬの上方に配置される第１のオンチップレンズ１１３−ＵＬと、第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲの上方に配置される第２のオンチップレンズ１１３−ＵＲとを含む画素単位を備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に付着したゴミを容易かつ確実に除去する。
【解決手段】少なくとも固体撮像素子の上面に粘着性シート形成用溶液を塗布する塗布工程１と、塗布工程１にて形成された粘着性シートに対して引き剥がす方向の力を加えて、粘着性シートを剥離する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズの低減が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を備えることにより、画質の向上が図られた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】増幅トランジスタＴｒａのドレイン側では、高濃度不純物領域２８のみでドレイン領域３８を構成し、ソース側では、増幅ゲート電極２２側に形成され、ドレイン領域３８を構成する高濃度不純物領域２８よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域２９からなるソース領域３２を構成する。ドレイン領域３８において、低濃度不純物領域を形成しないことで、実効ゲート長Ｌｅｆｆを長くできる。また、増幅ゲート電極２２のソース側では、増幅ゲート電極２２側に低濃度不純物領域２９が形成されるため、基板表面のポテンシャル変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】光の検出範囲が狭くなることを抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じて値が設定される第１の光データ信号及び第２の光データ信号を出力する光検出回路と、第１の光データ信号及び第２の光データ信号が入力され、第１の光データ信号及び第２の光データ信号を用いて演算処理を行うアナログ演算回路と、アナログ演算回路における演算処理として、第１の光データ信号及び第２の光データ信号の加算処理を行うか、第１の光データ信号及び第２の光データ信号の減算処理を行うかを切り替える切替回路と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高輝度被写体の撮像時に、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが損傷せず、かつ、黒焼付き現象が発生しない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、複数存在し、各々が単位画素を構成する第１電極と複数の第１電極上に形成された光電変換膜と光電変換膜上に形成された第２電極とを有する光電変換部と、複数の第１電極と電気的に接続され、半導体基板上に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域をドレイン領域とする、若しくは、電荷蓄積領域をドレイン領域と電気的に接続したリセットトランジスタとを備え、リセットトランジスタのソース領域６０６及びドレイン領域６０７の少なくともいずれかは、リセットトランジスタのゲート酸化膜６０５の下方に伸長しかつゲート酸化膜６０５に接しないパンチスルーパス６０８ａ、６０８ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子に対するマイクロレンズの位置が高精度に制御された光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０００の活性領域１１０を画定する分離領域１２０を形成する工程（Ｓ１）と、分離領域１２０によって画定された活性領域１２０に光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）と、光電変換素子１３０の上にマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）と、を有し、光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）におけるアライメント（Ａ４）およびマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）におけるアライメント（Ａ１６）を、分離領域１１０を形成する工程（Ｓ１）で形成されたアライメントマーク（ＡＭ１）を基準にして行う。 （もっと読む）

【課題】１画素内において、複数の光電変換部それぞれで発生する電荷の移動を制御できるように、光電変換部間を分離する分離領域のポテンシャル障壁の高さを変えられるようにした撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素を有する撮像素子であって、各画素が、前記撮像素子より被写体よりに配置された光学系２０２の異なる射出瞳領域を通過した複数の光束をそれぞれ受光して電荷を蓄積する複数の光電変換部２０３、２０４と、前記複数の光電変換部の間を分離する分離領域３０７と、前記分離領域の電位を、複数の電位のいずれかに選択的に設定する設定手段３０６とを有し、前記複数の光電変換部から、蓄積された電荷に応じた信号を独立に読み出すことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体５１の表面５１Ａ側に形成された第１フォトダイオードＰＤ１と、裏面５１Ｂ側に形成された第２フォトダイオードＰＤ２を備える。そして、第２フォトダイオードＰＤ２を構成する第１導電型半導体領域５９と第２導電型半導体領域５８との接続面の不純物濃度が、第２導電型半導体領域５８の第１導電型半導体領域５９と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素列の信号電荷を容易に混合することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の光電変換部３と、光電変換部３の第１列に対応して設けられた第１垂直転送部５ａと、第１列と隣り合って位置する光電変換部３の第２列に対応して設けられた第２垂直転送部５ｂと、第１垂直転送部５ａ及び第２垂直転送部５ｂによって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部７と、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第１垂直転送部５ａとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第１垂直転送部５ａに信号電荷を読み出す読み出し電極４ａと、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第２垂直転送部５ｂとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第２垂直転送部５ｂに信号電荷を読み出す読み出し電極４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】反りを抑制でき、しかもフレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】受光部を含む光学センサと、光学センサの受光部側を保護するためのシール材と、少なくとも受光部とシール材のこの受光部との対向面である第１面間に形成された中間層と、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、制御膜は、シール材の受光部との対向面である第１面に形成された第１の制御膜と、シール材の第１面と反対側の第２面に形成された第２の制御膜と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＰＤの飽和電荷数を増加させ、より画質の向上を図ることが出来るＣＭＯＳ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素は、半導体基板６１に形成された光電変換部３１と、光電変換部３１の側面に形成された側面ピンニング層８２と、光電変換部３１の表面側に形成された表面ピンニング層８１とを備えている。画素の製造工程では、光電変換部３１が形成される領域の側面部分に画素分離部を埋め込むためのトレンチ６２’を形成し、そのトレンチ６２’が開口している状態でイオン注入を行うことにより側面ピンニング層８２および表面ピンニング層８１が同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】モジュールの大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、ＥＭＣやＥＭＩ効果を十分に発現させることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】基板１１１の第１面１１１ａ側に受光するための光学素子エリア１１２が形成され、基板の第１面１１１ａと反対側の第２面１１１ｂ側に外部接続端子１７０が形成された光学デバイス１１０と、基板１１１の第１面１１１ａと対向するように形成された透明導電性膜１３０と、基板１１１の第１面１１１ａに形成されて固定電位に接続するための電極パッド１４０と、電極パッド１４０に接続されて、基板の第１面１１１ａと第２面１１１ｂを貫通するように形成された貫通電極１６０と、を有し、透明導電性膜１３０が電極パッド１４０に接続され、貫通電極１６０が基板の第２面１１１ｂ側で外部接続端子１７０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射（BSI）型イメージセンサチップのパッド構造を提供する。
【解決手段】前面及び背面を含む半導体基板、前記半導体基板の前記前面に配置される低k誘電体層、前記低k誘電体層に配置される非低k誘電体層、前記非低k誘電体層に配置される金属パッド、前記半導体基板の背面から延伸し、前記半導体基板、前記低k誘電体層、及び低k誘電体層を貫通し、前記金属パッドの表面を露出する開口、及び前記開口の側壁及び底部上に形成され、前記開口の底部は、前記金属パッドの前記露出された表面を部分的に覆う保護層を含む集積回路構造。 （もっと読む）