【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】色分離が良好であり、かつ、高い感度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面側が回路形成面とされた半導体層１１と、半導体層１１内に積層されて形成された２層以上の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２と、ゲート電極２１が半導体層１１の表面１５から内部に埋め込まれて形成された、縦型トランジスタＴｒ１とを含み、２層以上のうちの１層の光電変換部ＰＤ１は、縦型トランジスタＴｒ１のゲート電極２１の半導体層１１に埋め込まれた部分２１Ａにまでわたって形成され、縦型トランジスタＴｒ１によって形成されるチャネルに接続されている固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１を半導体基板１に対するマスクとして半導体基板１へイオン注入を行うことにより、第２トランジスタのドレイン１７５を形成するとともに、第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１へイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、デジタル回路間の電圧変動により生じるノイズを低減する。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、画素駆動部と、所定の信号処理を行うデジタル回路を有する信号処理部と、が同一半導体基板に配された光電変換装置であって、前記画素駆動部のデジタル回路には第１電圧と前記第１電圧と値の異なる第２電圧とが供給され、前記信号処理部のデジタル回路には第３電圧と前記第３電圧と値の異なる第４電圧とが供給され、前記画素駆動部のデジタル回路に第１電圧を供給する第１導電体の主たる部分と前記信号処理部のデジタル回路に第３電圧を供給する第２導電体の主たる部分とが分離されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各撮像素子で特性が異なることを抑制することができると共に、ノイズが導入されることを抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０と、当該単結晶基板１０に形成された回路部２０と、回路部２０の一部と直接接触する状態で単結晶基板１０の一面に配置された単結晶第１導電型層３１と、単結晶第１導電型層３１上に配置された単結晶第２導電型層３３とを有するフォトダイオード３０と、単結晶第２導電型層３３と電気的に接続される電極３５と、を備える。これによれば、単結晶基板１０上に単結晶材料を用いて構成されたフォトダイオード３０が形成されているため、撮像素子毎に特性が異なることを抑制することができる。 また、フォトダイオード３０における単結晶第１導電型層３１と回路部２０の一部とを配線を介さずに直接電気的に接続しているため、ノイズが導入されることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】時間変化、環境温度変化によって赤外線検出素子及び信号処理で発生するドリフトを除去し、安定したデジタルデータを出力し、特殊なノウハウを必要とせず、簡単に使用できる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】並列で処理を行う信号処理系の温度ドリフトにより発生するノイズを内臓ＣＰＵ１０１が感度を持たない素子１０２，１０４からの出力を読み込み、演算処理、補正データを求め、赤外線検出素子からの出力に対し補正を行うことでノイズを除去したデジタル出力を出すことができ、特別なノウハウを必要とせず簡単に使用できるようになる。 （もっと読む）

【課題】 撮像性能の向上に適した撮像素子の新たな構造を提供する。
【解決手段】 撮像素子は、第１チップ、および第２チップを備える。この第１チップには、受光画素、および貫通配線とが形成される。複数の受光画素は、受光面に配列され、入射光に応じた電気信号を生成する。貫通配線は、受光画素の電気信号を受光面の反対面へ伝達する。一方、第２チップには、読み出し回路が形成される。読み出し回路は、貫通配線を介して電気信号を読み出して画像信号として出力する。この撮像素子は、上記の第１チップの反対面と、上記の第２チップの読み出し回路とが対向する向きに配置され、貫通配線と読み出し回路との端子間が電気的に接合される。 （もっと読む）

【課題】高いスループットで製造するために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域１０１および第２領域１０２を有する半導体基板において、第１絶縁膜１１２、第２絶縁膜１１３および第３絶縁膜１２２を貫通する第１コンタクトホール形成工程と、第４絶縁膜１２０、第５絶縁膜１２１および第６絶縁膜１２２を貫通する第２コンタクトホール形成工程とを含み、前記第１，３，４，６絶縁膜は第１組成を有し、前記第２，４絶縁膜は前記第１組成とは異なる第２組成を有し、開口工程では、前記第２絶縁膜をエッチングストッパとして前記第３絶縁膜をエッチング後に、前記第２絶縁膜および前記第１絶縁膜を互いに異なるエッチング条件で第１コンタクトホールを形成し、前記第５絶縁膜をエッチングストッパとして前記第６絶縁膜をエッチング後に、前記第５，４絶縁膜を同一のエッチング条件で連続的にエッチングして、前記第２コンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】高画質化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、複数の画素が形成された上面が窪むように湾曲したセンサ基板と、前記上面側に設けられた結像レンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、複数の画素３１が配置される半導体基板５１と、複数本の配線が配設された複数層の導体層５８が絶縁膜５７に埋め込まれて構成される配線層５５とが積層されて構成される。そして、配線層５５では、画素３１により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、２層の導体層５８で形成される。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】ランプ信号の生成に容量帰還型アンプを用いても、良好なＡＤ変換精度でＡＤ変換を行うことができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素と、列毎に配置され画素からの信号を増幅する増幅回路と、ランプ信号を生成する参照信号発生回路と、ランプ信号及び増幅回路からの出力を用いて、画素からの信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路とを備え、増幅回路が有する容量帰還型アンプ及び参照信号発生回路が有する容量帰還型アンプにて同じ構造の帰還容量を用い、かつ帰還容量と増幅器との接続関係を同じにするようにして、増幅回路及び参照信号発生回路のそれぞれの帰還容量のキャパシタンスの電圧依存性を等しくし、ＡＤ変換精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】擬色および混色の発生を抑えて高画質のカラー画像を取得することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、複数の画素を含み、撮像データを取得するイメージセンサと、イメージセンサの受光面上に設けられ、選択的な波長を透過させる可変フィルタと、可変フィルタを駆動して、その透過波長を設定するフィルタ駆動部（波長選択回路およびシステム制御部）とを備える。可変フィルタにおける透過波長を時分割的に切り替えつつ、撮像データを取得することにより、可変フィルタにおける透過波長に対応する画素データを時間的に連続して取得する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術を提供する。
【解決手段】形成工程で形成されるレジストパターンＲＰは、半導体基板１０１を第１方向から見た場合に、隣接する蓄積領域の間に位置する分離領域を開口から露出し、半導体基板を第１方向とは異なる方向から見た場合に、１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域を開口から露出するとともに、分離領域を遮蔽部ＳＤにより遮る。注入工程では、第１方向に沿って照射されたイオンが分離領域に注入され、異なる方向に沿って照射されたイオンが１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域に注入される。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、耐冷熱衝撃性およびガスバリア性に優れ、低弾性率化したオルガノポリシロキサン系組成物を接着剤として用いることで、生産性に優れ、耐久性に優れたイメージセンサーを提供する。
【解決手段】（Ａ）および（Ｂ）および（Ｃ）からなるオルガノポリシロキサン系組成物の硬化物を接着剤として用いてなるイメージセンサー。
（Ａ）アルケニル基含有多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）に対して、ヒドロシリル基を有する化合物（ｂ）を反応させて得られた多面体構造ポリシロキサン変性体、
（Ｂ）１分子中にアルケニル基を２個以上有するオルガノポリシロキサン、
（Ｃ）１分子中にアルケニル基またはヒドロシリル基を１個有する有機ケイ素化合物。 （もっと読む）

【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードＰＤの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチＳＷ_１としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパＣＳが連続して形成されている。任意の互いに隣接する２個の画素部により挟まれる領域において、チャネルストッパＣＳにより囲まれてダミー用フォトダイオードＰＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）