【課題】感度差の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の画素ユニットを有する固体撮像装置において、各画素ユニットは、複数の画素と、前記複数の画素によって共用される電荷電圧変換部とを含み、各画素は、半導体基板に形成された光電変換素子を含む。前記固体撮像装置は、複数の配線層と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する材料を前記層間絶縁膜における各光電変換素子の上方に埋め込んで構成された光導波路とを含む構造部を前記半導体基板の上に有し、各画素ユニットの前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、前記第１画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造と前記第２画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造との相違による前記第１画素の感度と前記第２画素の感度との差を低減するようにダミーパターンが前記構造部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】センス回路の高速化や消費電力の増加を伴うことなく、低照度時と高照度時においてノイズの少ない高精度な撮像が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光電変換素子と蓄積部と、蓄積電荷を電気信号として出力するアンプ素子とを有し、光子入射に応じて電気信号を出力信号線に出力する画素が、複数アレイ状に配置された画素アレイ部と、画素からの電気信号を受けて、所定期間における画素への光子入射の有無を判定するセンス回路を含むセンス回路部と、を有し、センス回路は、出力信号線に接続されたＡＤ変換装置を含み、ＡＤ変換装置は、少なくともバイナリ判定である１ビット出力と多ビット解像度による階調出力の２モードで動作可能であり、少なくとも１ビット出力モードの選択時は、画素ごとに複数回の露光における出力結果が集積されて、各画素に入射した光の強度が算出される。 （もっと読む）

【課題】隣接ビアを伝送される信号間の干渉を低減でき、ひいてはビア数の増大を抑止でき、センサを搭載したチップの面積、実装工程を低減でき、結果的にコスト削減を図ることができる半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第１チップ１１０と、第２チップ１２０と、を有し、第１チップ１１０と第２チップ１２０は貼り合わされた積層構造を有し、第１チップと第２チップ間の配線は、ビア１１４を通して接続され、第１チップ１１０は、各センサ１１１で発生したアナログ信号を時間離散化した信号が、対応するビアを介して第２チップに伝送され、第２チップ１２０は、ビアを介した第１チップから伝送された信号を第１チップでサンプリングしたタイミングとは異なるタイミングでサンプリングする機能と、量子化してデジタル信号を得る機能と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となる領域の厚さＸを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さＸに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満となる領域の厚さが６μｍ以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】画素信号のダイナミックレンジが変わった場合でも、AD変換部に入力される画素信号に対する、AD変換部から出力されるデジタル信号の特性をより高精度に補正することができる固体撮像装置および内視鏡装置を提供する。
【解決手段】補正部106は、AD変換部103に入力される画素信号に対する、AD変換部103から出力されるデジタル信号の特性を補正するための、AD変換部103から出力されるデジタル信号を変数とした補正関数に基づいて、AD変換部103から出力されるデジタル信号を補正する。補正方法切り替え部108は、画素信号のダイナミックレンジの変化に応じて、補正関数における変数の次数を1次と1次以外の間で切り替える。 （もっと読む）

【課題】オーバーサンプリング数を増やすことなく、低照度における低ノイズ化を図れる高画質化を実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光信号を電気信号に変換するフォトダイオードを含む画素が配列された画素アレイ部と、画素からのアナログ画像信号を信号線に読み出し、読み出したアナログ画素信号をカラム単位で処理する読み出し部と、を有し、読み出し部は、アナログ画素信号をデジタル信号に変換する機能を有するΔΣ変調器と、ΔΣ変調器の入力側に配置され、信号線に読み出されたアナログ画素信号を設定されるゲインをもって増幅して上記ΔΣ変調器に入力する増幅器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に２次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】撮像素子に入射する光の偏光状態及び入射角に依存して撮像素子から出力される信号の強度の変化が生じ、また、肉眼によって検知される明るさよりも撮像装置によって検知される明るさが低いといった問題を解決し得る撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置１０は、複数の撮像素子４１，４２，４３が２次元マトリクス状に配列されて成る撮像部３０を有し、撮像部３０は、周辺領域３２、及び、周辺領域３２に囲まれた中央領域３１に区画され、周辺領域３２における撮像素子４２，４３には偏光手段が備えられており、中央領域３１における撮像素子４１には偏光手段が備えられていない。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板上に形成され、光電変換部（PD）と複数の画素内トランジスタとからなる画素が２次元配列された画素アレイを備え、複数の画素内トランジスタのうちの所定の画素内トランジスタの電極、具体的には、増幅トランジスタのゲート電極のみに接続されるコンタクトの基板に平行な面の形状は、略長方形または略楕円形に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】レンズの無効領域が少ない固体撮像素子を容易に製造することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ２０を構成するレンズ母材層２１を形成する工程と、このレンズ母材層２１上に、レジスト２３よりも熱膨張係数の大きい中間膜２２を形成する工程と、この中間膜２２上に接して、レジスト２３を形成する工程と、その後、熱リフローによりレジスト２３をレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジスト２３のレンズの形状をレンズ母材層２１に転写して、レンズ２０を形成する工程とを有して、受光部の上方にレンズ２０が設けられた固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 各画素が複数の光電変換部を有し、各画素からの信号を複数の読み出し系を介して読み出す撮像素子において、画素単位の加算読み出し及び光電変換部毎の独立読み出しを適切に行うこと。
【解決手段】 複数の光電変換部（２０１）と、複数の変換手段（２０２）とをそれぞれ含む単位画素が、行列状に配列された画素領域（２０）と、各列に配列された複数の単位画素それぞれに含まれる複数の変換手段の１つに共通に接続される信号線（ＶＬ、ＶＲ）を複数含み、複数の変換手段から出力された電圧信号を、複数の信号線を介してそれぞれ独立に第１の方向に転送する第１の読み出し手段と、当該電圧信号を、第２の方向に転送する複数の第２の読み出し手段とを有し、複数の信号線を、各列毎に、複数の第２の読み出し手段のいずれか１つに接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、ケミカルセンサモジュール、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供すること
【解決手段】本技術のケミカルセンサは、基板と、オンチップレンズと、平坦化層とを具備する。基板は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成されている。オンチップレンズは、上記基板上に設けられた、入射光を上記フォトダイオードに集光する。平坦化層は、オンチップレンズを被覆して平坦化し、プローブ材料を保持するためのプローブ保持面を形成する。 （もっと読む）

【課題】一層のノイズ低減を図ることができることはもとより、低周波ノイズの低減を図ることができる比較器、ＡＤ変換器、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】比較器５００Ａは、第１の入力サンプリング容量Ｃ５１１と、第２の入力サンプリング容量Ｃ５１２と、出力ノードｄと、一方の入力端子に、第１の入力サンプリング容量を介して、信号レベルが傾きをもって変化するスロープ信号を受け、他方の入力端子に、第２の入力サンプリング容量を介して入力信号を受けて、スロープ信号と入力信号との比較動作を行う差動比較部としてのトランスコンダクタンス（Ｇｍ）アンプ５１１と、Ｇｍアンプの出力部ｃと出力ノードｄとの間に配置され、Ｇｍアンプの出力部の電圧を一定に保持するアイソレータ５３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域２００と、チップ領域２００を囲んで配置された分割領域３００と、各チップ領域２００に設けられた光電変換部２０と、各チップ領域２００において光電変換部２０に対する受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域２００において表面側に引き出されたデバイス用端子３３と、駆動回路に接続され分割領域３００において受光面Ａ側に露出された検査用端子４００とを備えた固体撮像素子ウエハ１００−１である。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子において、チップ面積に対して画素領域の占める面積比率をより高めることができる。
【解決手段】第１の基板１０から第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板が接続部を介して電気的に接続され、かつ段積みされた固体撮像装置であって、第ｍ（ｍは１以上ｎ以下の整数)の基板は、光電変換素子を含む画素を有する画素領域５０を備え、第ｍの基板以外の他の基板は、画素の駆動の用に供する回路要素を有する第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１とを備え、他の基板の領域のうち、画素領域と垂直方向に重なる重複領域５１内に、第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１との少なくとも一部分が配置されている。 （もっと読む）

【課題】低周波ノイズ除去に伴う消費電力の増加を最小限に抑えることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素部100は、入射した光の大きさに応じた画素信号を出力する画素101と、補正用基準電圧に応じた補正用画素信号を出力する補正用画素102とを有する。AD変換回路105は、複数の遅延素子が接続された遅延回路を有し、画素信号または補正用画素信号のレベルに対応する数の遅延素子をパルス信号が通過すると、パルス信号が通過した遅延素子の数に応じたデジタル信号を出力する。制御部111は、1フレーム内でｍ（mは2以上の自然数）行の画素信号のAD変換に対応して1行の補正用画素信号のAD変換を行うように垂直走査部103およびAD変換部105を制御する。ノイズ除去部109は、補正用画素信号のAD変換結果を用いて画素信号のAD変換結果からノイズを除去する。 （もっと読む）

【課題】駆動信号数を増加させずに、水平間引きと垂直間引きの両方を容易に実現することができるようにする。
【解決手段】撮像部には、光電変換素子が行列状に配列される。垂直電荷転送部は、撮像部に蓄積された電荷を垂直方向に転送する。水平電荷転送部は、垂直電荷転送部により転送された電荷を水平方向に転送する。ＨＯＤ部は、垂直電荷転送部から水平電荷転送部への電荷の転送を制御するＶＯＧ電極と同一の電圧が印加されるＶＯＧ電極を介して、水平電荷転送部の不要な電荷を掃き捨てる。本技術は、例えば、イメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の縦筋状のムラの補正処理では、補正と同時にランダムノイズを画像信号に足してしまい、ランダムノイズの増加の弊害を招く。
【解決手段】撮像装置は、縦筋状のムラの補正処理に用いる遮光状態での光電変換動作で生じた信号の読み出し動作において、少なくとも撮像素子の画素信号の転送手段の信号転送速度と画素信号処理の信号処理ゲインを変更するランダムノイズが低減するように変更する。 （もっと読む）

【課題】各撮像素子で特性が異なることを抑制することができると共に、ノイズが導入されることを抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０と、当該単結晶基板１０に形成された回路部２０と、回路部２０の一部と直接接触する状態で単結晶基板１０の一面に配置された単結晶第１導電型層３１と、単結晶第１導電型層３１上に配置された単結晶第２導電型層３３とを有するフォトダイオード３０と、単結晶第２導電型層３３と電気的に接続される電極３５と、を備える。これによれば、単結晶基板１０上に単結晶材料を用いて構成されたフォトダイオード３０が形成されているため、撮像素子毎に特性が異なることを抑制することができる。 また、フォトダイオード３０における単結晶第１導電型層３１と回路部２０の一部とを配線を介さずに直接電気的に接続しているため、ノイズが導入されることを抑制することができる。 （もっと読む）