【課題】コンタクトホールを、タングステンにより、前記構造の還元を抑制しながら充填する電子装置の製造方法の提供。
【解決手段】上部電極１２Ｃを露出するコンタクトホール１４Ａを形成する工程と、コンタクトホールの底面および側壁面を導電性バリア膜１５で覆う工程と、シランガスを第１のキャリアガスとともに供給し、導電性バリア膜をシランガスに曝露する初期化工程と、タングステンの原料ガスをシランガスおよび第２のキャリアガスとともに供給し、コンタクトホールの底面および側壁面にタングステン膜を堆積させる工程と、タングステンの原料ガスを水素ガスとともに供給し、タングステン膜上にさらにタングステン膜を堆積し、前記コンタクトホールを少なくとも部分的に充填するタングステン充填工程とを含み、第１および第２のキャリアガスの各々は不活性ガスよりなり、水素ガスを含まないか、水素ガスをシランガス流量の二倍以下の流量で含む。 （もっと読む）

本発明の具体例にかかる方法は、磁性層（４１）と、下部導電性電極（４３）と、その反対側で磁性層サブスタックを電気的に接続する上部導電性電極（４４）とを含む磁性層サブスタックを含む磁気スタックを形成する工程と、磁気スタックの上に犠牲柱（４６）を形成する工程であって、犠牲柱（４６）は上に横たわる第２の犠牲材料（４５）に対するアンダーカットと、磁気スタックに向かって断面寸法が大きくなる傾斜フットを有する工程と、犠牲柱を磁気スタックのパターニングのために使用する工程と、犠牲柱（４６）の周囲に絶縁層（７０）を堆積する工程と、犠牲柱を選択的に除去し、これによりパターニングされた磁気スタックに向かってコンタクトホール（８０）を形成する工程と、コンタクトホールを電気的な導電性材料（８１）で埋める工程とを含む。
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マルチフェロイック薄膜材料の製造方法。その方法は、マルチフェロイック前駆体溶液を提供する工程、その前駆体溶液をスピンキャスティングしてスピンキャスト膜を製造する工程、およびそのスピンキャスト膜を加熱する工程を有する。前駆体溶液は、ビスマスフェライト膜を製造するために、エチレングリコール中にＢｉ（ＮＯ３）３ｏ５Ｈ２ＯおよびＦｅ（ＮＯ３）３ｏ９Ｈ２Ｏを含有していてもよい。さらに、薄膜は、情報保存のための記憶デバイスを含む様々な技術分野において利用されうる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの縁部に沿って相対的な電流量を増大させた磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合デバイスは、パターニング配線層４０２の上に、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）積層物を形成する。その上に低伝導率層４１６および導電ハード・マスク４１８を形成する。低伝導率層４１６とは異なる電気伝導率を含むスペーサ材料４２０を堆積する。スペーサ材料４２０をエッチングして、ハード・マスク４１８およびスタッドの側壁上のみにスペーサ材料が残るようにする。エッチング・プロセスを実行して、低伝導率層４１６の周りに、自由磁性層４１２と導電ハード・マスク４１８との間の導電リンクとして、側壁スペーサ材料４１６を残す。スタッドとスペーサ材料４２０との間の電気伝導率の差によって、自由層４１２の縁部に沿った、側壁上に形成されたスペーサ材料４２０を通る電流が増大する。 （もっと読む）

【課題】超高密度の新規な磁気記録装置を提供する。
【解決手段】磁気記録装置は、絶縁体層と強磁性体層との周期構造体からなる薄片をその強磁性体層のエッジ同士が対向するように少なくとも２枚、その間に厚さが０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下のトンネル絶縁体層をはさんで重ねた構造を含む。トンネル絶縁体層としては例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 膜、強磁性体層としては例えばＣｏ膜を用いる。絶縁体層および強磁性体層は、典型的にはストリップ状またはリボン状である。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスおよび製作方法が、開示される。特定の実施形態では、底部キャップ層および垂直軸を有する底部金属充填トレンチを含む構造体上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを形成するステップを含む方法が、開示され、磁気トンネル接合デバイスは、底部電極、磁気トンネル接合層、磁気トンネル接合シール層、上部電極、およびロジックキャップ層を含み、磁気トンネル接合デバイスは、垂直軸からオフセットしているＭＴＪ軸を有する。
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【課題】生産効率や品質管理上の信頼性を向上させることができ、省エネルギー化、小型化や軽量化を図ることができる磁場中熱処理装置、及び、磁場中熱処理方法の提供を目的とする。
【解決手段】磁場中熱処理装置１は、永久磁石２、断熱部３、予備加熱ヒーター４、メインヒーター５、冷却部６、基板搭載部１０を有するコンベア８、及び、磁気シールド１１などを備え、永久磁石２を利用し、半導体基板１０４を永久磁石２の内部で加熱しながら、永久磁石２の中心軸方向（処理方向）へ搬送することによって、半導体基板１０４を一枚ずつ連続的に処理する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置の記憶セル間のショートを抑制し、その特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】基板上に配置させた第１の配線層の上層に、記憶セル層を形成し、記憶セル層を第２の方向に分離すると共に、第１の方向に延在する第１の配線を基板上に形成するために、第１の方向に連通する第１のトレンチを形成し、第１のトレンチ内に第１の素子分離層を埋設し、記憶セル層及び第１の素子分離層の上層に、第２の配線層を形成し、第２の配線層を加工し、第２の方向に延在する第２の配線を形成し、第１の素子分離層をエッチングして、第１の素子分離層の上面を所定の位置まで降下させて、記憶セル層を第１の方向に分離するために、第２の方向に連通する第２のトレンチを形成する。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗素子の特性バラツキを低減することで、動作マージンを大きくすることが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、メモリ領域に配置され、かつ抵抗値の変化に応じてデータを記憶し、かつ第１の配線ＳＬに一端が電気的に接続され、第２の配線に他端が電気的に接続された複数の可変抵抗素子２３と、メモリ領域に配置され、かつ可変抵抗素子２３と同じ材料からなり、かつ電気的に絶縁された複数のダミー素子２８とを含む。ＭＴＪ素子２３及びダミー素子２８を合わせた素子アレイは、格子状の密集パターンを有している。すなわち、ＭＴＪ積層膜を加工する際のレジストパターンを格子状の密集パターンによって形成する。そして、このレジストパターンを用いてＭＴＪ積層膜を加工することで、ＭＴＪ素子２３とダミー素子２８とを合わせた素子アレイを格子状の密集パターンに配置する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化素子を備えたメモリセルに記憶された２値の情報を適切に読み出すことができる半導体記憶装置等を提供する。
【解決手段】記憶用磁気抵抗変化素子を備えた複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ５１と、参照用磁気抵抗変化素子を備えた複数の参照セルを含み、参照電流を出力する参照セルアレイ５３と、前記参照電流から求められる参照抵抗値と前記記憶用磁気抵抗変化素子の抵抗値とを比較して当該メモリセルに記憶されている情報を判定する判定手段５６と、が設けられている。更に、前記参照セルアレイが前記参照電流を出力する際に、前記複数の参照用磁気抵抗変化素子から選択される高抵抗状態の参照用磁気抵抗変化素子及び低抵抗状態の参照用磁気抵抗変化素子を特定する情報並びにこれらの接続関係を示す制御情報を記憶する記憶手段５５と、前記制御情報に基づいて前記参照セルアレイの動作を制御する制御手段５４と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリに関し、より小さいサイズのメモリセル選択トランジスタで効率的な書き込みが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】ビット線２４、接続導体層２５及びＭＴＪ素子３０が形成された層間絶縁膜２２上には、層間絶縁膜２６が形成されている。層間絶縁膜２６には、接続導体層２５に接続されたプラグ２７と、ＭＴＪ素子３０に接続されたプラグ２８とが埋め込まれている。層間絶縁膜２６上には、プラグ２７とプラグ２８とを電気的に接続する局所内部配線２９が形成されている。これにより、ＭＴＪ素子３０のフリー層側は、プラグ２８、局所内部配線２９、プラグ２７、接続導体層２５、プラグ２３、接続導体層２１、及びプラグ１９を介して、ｎ型ドレイン領域１６に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】
磁気抵抗素子は、下層磁性層と、下層磁性層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた上層磁性層とを具備する。ここで、バリア層における下層磁性層の上面と接する第１面、及び、上層磁性層におけるバリア層の上面と接する第２面は、いずれも下層磁性層の上面の面積よりも広い。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型の磁気記憶装置に使用する磁気細線の製造時に、磁気細線のフリー層とバリア層の境界部に発生するラフネスを低減して読出し素子の出力を増大する。
【解決手段】強磁性材料からなるデータ記録用の磁気細線１に、データ読出部と、データ書込部を配置した磁気記憶デバイスを製造する際に、シード層１１、ホウ素を添加したフリー層１２、バリア層１３、及びピンド層１４をこの順に積層し、この状態で熱処理を行ってフリー層１２に添加されたホウ素を拡散除去することによって磁気細線１を形成し、形成した磁気細線１の上にデータ読出部とデータ書込部を形成して磁気記憶デバイスを製造する方法である。このデバイスを複数個並列に接続すれば磁気記憶装置となる。 （もっと読む）

多状態スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴＭＲＡＭ）は、膜上に形成され、第１の固定層と、第１のサブ磁気トンネル接合（サブＭＴＪ）層と、第１の遊離層とを有する第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を含む。第１の固定層および第１の遊離層はそれぞれ、第１の磁気異方性を有する。ＳＴＴＭＲＡＭは、第１のＭＴＪ層の上面に形成される非磁性間隔層と、非磁性間隔層の上面に形成される第２のＭＴＪ層とをさらに含む。第２のＭＴＪ層は、第２の固定層と、第２のサブＭＴＪ層と、第２の遊離層とを有する。第２の固定および第２の遊離層はそれぞれ、第２の磁気異方性を有し、第１または第２の磁気異方性のうちの少なくとも１つは、膜の平面と垂直である。
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【課題】磁気抵抗効果素子の信頼性の向上と素子の微細化を両立する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、下部電極２０上に設けられる第１の強磁性層１１と、強磁性層１１上に設けられるトンネルバリア層１２と、トンネルバリア層１２上に設けられる第２の強磁性層１３と、強磁性層１３上に設けられる上部電極２１と、具備し、上部電極２１は六角形状の断面形状を有し、上部電極２１の最大寸法Ｗａが、トンネルバリア層１２の寸法Ｗｃよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを有する半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１を覆う層間絶縁膜ＩＬと、複数のメモリセルとを有する半導体装置であって、複数のメモリセルは、層間絶縁膜ＩＬ内に配置された記憶素子部ｍｒ１と、記憶素子部ｍｒ１に電気的に接続するようにして配置された下部電極ＢＥおよび上部電極ＴＥとを有する。下部電極ＢＥと上部電極ＴＥとは層間絶縁膜ＩＬ内において互いに交差するようにして配置され、その交差部に挟まれるようにして記憶素子部ｍｒ１が配置されている。記憶素子部ｍｒ１は、磁気抵抗メモリ、相変化メモリ、または、抵抗変化メモリからなる。 （もっと読む）

【課題】コストを抑えた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉ、ビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉと交差するワード線ＷＬ０ｉ、ＷＬ１ｉ、及びビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉ及びワード線ＷＬ０ｉ、ＷＬ１ｉの交差部で両配線間に接続されたメモリセルＭＣ０〜ＭＣ３を有する単位セルアレイＭＡＴ００を備える。さらに、不揮発性半導体記憶装置は、第１位置に設けられたビット線ＢＬ０ｉの側部に接し、第１位置よりも上方の第２位置に設けられたビット線ＢＬ１ｉまで積層方向に延びるコンタクトプラグＣＬ１〜ＣＬ３と、第１位置と第２位置の間の第３位置に設けられたワード線ＷＬ０ｉの側部に接し、第２位置よりも上方の第４位置に設けられたワード線ＷＬ１ｉまで積層方向に延びるコンタクトプラグＣＬ５、ＣＬ６とを備える。 （もっと読む）

スピン移動トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ‐ＭＲＡＭ）ビットセル用の磁気トンネル接合記憶素子は、底部電極層（１５０）と、底部電極層に隣接するピンド層（１６０）と、底部電極層及びピンド層の一部分を封入する誘電体層（７０）であって、ピンド層の一部分に隣接するホールを画定する側壁を含む誘電体層と、ピンド層に隣接するトンネリング障壁（１９０）と、トンネリング障壁に隣接する自由層（２００）と、自由層に隣接する頂部電極（２１０）とを含む。第一の方向における底部電極層及び／又はピンド層の幅は、第一の方向におけるピンド層とトンネリング障壁との間のコンタクト領域の幅よりも大きい。また、ＳＴＴ‐ＭＲＡＭビットセルの製造方法も開示される。
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【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度な測定値の取得が可能な磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果率の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果率の測定方法は、固定磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最大値を得るステップと、自由磁性層の磁化方向に対して１８０°より大きく２７０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して０°より大きく９０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最小値を得るステップと、抵抗最大値と抵抗最小値とから磁気抵抗効果率を算出するステップとを備える。 （もっと読む）