【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２の配線とメモリセルとを精度良く位置決めする。
【解決手段】第１の配線材料を形成し、第１の配線材料の上にメモリセルを構成するメモリセル材料を積層する。積層された第１の配線材料及びメモリセル及びメモリセル材料に第１方向に延びる複数の平行な第１の溝を形成して第１方向に延びる第１の配線２７及びこの第１の配線２７に自己整合された第１の溝で分離されたメモリセル材料を形成する。次に、第１の溝に層間絶縁膜を埋め込んでブロック体を形成する。ブロック体の上に第２の配線材料を積層し、第２の配線材料が積層されたブロック体に、第１方向と交差する第２方向に延び、深さが第１の配線２７に達する複数の平行な第２の溝を形成して前記第２方向に延びる第２の配線３６及びこの第２の配線３６に自己整合された、第１及び第２の溝で分離されたメモリセル２８〜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】記録層の幅を狭くする場合であっても磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成しうる磁気メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
所定のピッチで並行するように形成された複数の線状の導電パターン１３と、複数の導電パターンの直上に絶縁膜１４を介して形成され、複数の導電パターンに交差する線状の記録層２２とを有する磁気メモリであって、記録層は、導電パターンに起因して形成された段差が磁壁３０の移動を規制する規制領域３２となり、規制領域間の領域が記録ビット３４となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＴ- ＭＲＡＭ用のＭＴＪ素子の製造プロセスにおいて、２つの方向のサイズを精度よくコントロールしつつ、ポストパターンを転写できるようにする。
【解決手段】 ＭＴＪ素子上に、ハードマスクスペーサ層およびハードマスク層を形成し、ハードマスク層上に第１サイズの幅の第１平行ラインパターン（第１フォトレジスト膜）を形成する。これをマスクとしてハードマスク層に転写し、平行ハードマスクラインを形成する（第１エッチング）。平行ハードマスクラインおよびハードマスクスペーサ層上に、平行ハードマスクラインと交差し、かつ第２サイズの幅を有する第２平行ラインパターン（第２フォトレジスト膜）を形成し、これをハードマスク層に転写する（第２エッチング）。これによりサイズコントロールのなされたポスト領域が形成される。このポスト領域をマスクスペーサ層から下の各層に転写して複数のＭＴＪ素子を形成する（第３エッチング）。 （もっと読む）

【課題】磁気情報の記録される強磁性半導体層（magnetic Semiconductors、MS）自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果（Planar Hall Effect）または磁気抵抗（Magnetoresistance）を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】基板１１０と、前記基板１１０上に形成され、多重ドメイン状態を用いて多重の状態を平面ホール効果または磁気抵抗値を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層１２０と、前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜１３０と、前記絶縁膜上に形成された第１電流ライン１４０と、前記第１電流ライン上に形成された絶縁膜１５０と、前記絶縁膜上に形成された第２電流ライン１６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子の書き込み電流のばらつきを低減でき、信頼性が高く、かつ小型化が可能な磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】ＴＭＲ素子を含む磁気記憶装置の製造方法が、下層配線層を形成する工程と、下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、層間絶縁層に下層配線層が露出するように開口部を形成する工程と、層間絶縁層および開口部の内面を覆うようにバリアメタル層を形成する工程と、開口部を埋め込むようにバリアメタル層上に金属層を形成する工程と、バリアメタル層をストッパに用いてバリアメタル層上の金属層を研磨除去し、開口部に埋め込まれた金属層とバリアメタル層とを含む配線層を形成する研磨工程と、配線層上にＴＭＲ素子を作製する素子作製工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスで使用するためにサブリソグラフィ・データ・トラックを形成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】メモリ・デバイスの一実施形態は、第１の誘電材料で形成される第１の誘電材料スタックと、第１の誘電材料スタックを取り囲み、少なくとも第２の誘電材料で形成される、第２の誘電材料スタックと、第１の誘電材料スタックと第２の誘電材料スタックとの間に位置する、情報を格納するための少なくとも１つのデータ・トラックであって、高いアスペクト比およびほぼ矩形の断面を有するデータ・トラックと、を含む。 （もっと読む）

【課題】積層されたＮＡＮＤ型抵抗性メモリセルストリングを含む不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＮＡＮＤ型抵抗性メモリセルストリングＳＴＲ１，ＳＴＲ２は、ビットラインＢＬ及びビットラインＢＬに直列接続された複数個の抵抗性メモリセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３を含み、複数個の抵抗性メモリセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のそれぞれは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に接続されたヒータＨ１、Ｈ２、Ｈ３、第２ノードＮ２と第３ノードＮ３との間に接続された可変抵抗体Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、第１ノードＮ１に接続された第１端子及び第３ノードＮ３に接続された第２端子を有するスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極率に優れた磁気トンネル接合素子を備えたＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子１０は、ＭｎＩｒからなるピンニング層２と、ＳｙＡＦピンド層３４５と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のトンネルバリア層６と、フリー層７とを有する。ＳｙＡＦピンド層３４５は、ピンニング層２の側から順に、Ｃｏ₇₅ Ｆｅ₂₅ からなる第２強磁性層３と、ルテニウムからなる非磁性スペーサ層４と、Ｃｏ₆₀ Ｆｅ₂₀ Ｂ₂₀ 層とＣｏ₇₅ Ｆｅ₂₅ 層との複合層である第１強磁性層５とが積層されたものである。第１強磁性層５の上面は、プラズマ処理によって形成された平滑面である。フリー層７は、鉄からなる一対の結晶質層の間にＣｏ₆₀ Ｆｅ₂₀ Ｂ₂₀ からなる非晶質層が挿入された３層構造である。これにより、ギルバート減衰定数が極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子における出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。アモルファス強磁性合金は、例えば蒸着法或いはスパッタリング法を用いて形成可能である。得られた特性等は第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、第１磁性金属からなる第１膜及び該第１磁性金属以外の金属からなる第２膜を同一の第１チャンバ１７Ａで成膜する工程を用いて、第１多層金属膜を設ける第１工程、該第１工程後の基板の上に、金属酸化物からなる第３膜を、第２チャンバ１７Ｂで設ける第２工程、並びに、該第２工程後の基板の上に、第２磁性金属からなる第４膜及び該第２磁性金属以外の金属からなる第５膜を同一の第３チャンバ１７Ｃで成膜する工程を用いて、第２多層金属膜を設ける第３工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、集積回路、および、集積回路形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１内に形成されたゲート溝２７内にゲート誘電体２４を介してゲート電極２３が配置された構成を有する。該ゲート電極２３は、導電性炭素材を有している。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または単体で強磁性を有する金属を含む合金からなり、前記非磁性層がバンドギャップ３ｅＶから８ｅＶの絶縁物からなる。 （もっと読む）

【課題】
抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さいトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上に白金族元素からなる第１保護層およびＴｉからなる第２保護層が形成される。これにより、保護層をＴａで形成した従来のトンネル型磁気検出素子に比べて、高い抵抗変化率が得られ、かつフリー磁性層の磁歪が低減できる。 （もっと読む）

【課題】光リソグラフィー技術を使って、素子サイズバラツキを抑制した微細ドット素子形状の磁気記憶素子の形成を可能にする。
【解決手段】磁気記憶素子３０とそれに電気的に接続された引き出し電極３７との製造工程は、書き込みワード線１２を被覆する第３層間絶縁膜４３上に、引き出し電極形成層、反強磁性体層３２、磁化固定層３３、トンネル絶縁層３４、記録層３５、キャップ層３６を順に積層する工程と、キャップ層３６と記録層３５とを、これから形成しようとする引き出し電極３７をその短手方向にまたぐラインパターンに形成する工程と、ラインパターンと、トンネル絶縁層３４から引き出し電極形成層８１までを引き出し電極３７のパターン形状に形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリングにより、（００１）面が配向した酸化マグネシウム層を前記バリア層として成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 （もっと読む）