【課題】設計工数をほとんど掛けないで、ＣＭＰ対策及び短時間光アニール対策の両対策に最適化されたダミーパターンを有する半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】基板上に、メモリマクロ領域１０及び機能回路領域２０を有する半導体集積回路装置１において、機能回路領域２０間、及び、メモリマクロ領域１０と機能回路領域２０との間に配置されるとともにダミーパターン４１を含むダミーパターン領域４０を備え、ダミーパターン４１は、前記メモリセルアレイ領域におけるメモリセルパターン１１の拡散層１２、１３及びゲート電極１４と同等のパターンであり、ダミーパターン領域４０におけるダミー拡散層４２、４３及びダミーゲート電極４４の面積率は、メモリセルアレイ領域における拡散層１２、１３及びゲート電極１４の面積率と同等以上である。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】生産コストを抑えながら高いスループットが得られる半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】ヨークカバーとなる積層膜として、バリアメタル層、磁性体層およびバリアメタル層が順次形成される。次に、積層膜ＭＬに、四フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスによる反応性イオンエッチング処理、一酸化炭素（ＣＯ）、アンモニア（ＮＨ₃）ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガスの混合ガスによる反応性イオンエッチング処理、四フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスによる反応性イオンエッチング処理を施すことにより、ヨークカバーＹＣが形成される。 （もっと読む）

【課題】 磁気デバイスにおける垂直磁気異方性と保持力とを向上させる。
【解決手段】 ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。複合シード層２２とＰＭＡ多層膜２３との間の界面、および、ＰＭＡ多層膜２３の積層構造内の各一対の隣接層間における１以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。超高圧アルゴンガスを用いたＰＭＡ多層膜２３の成膜により、各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。保磁力は、１８０〜４００°Ｃ程度の熱処理によっても増加する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＴＪ素子が配置される凹部の平面寸法は微細であるため、下層構造との位置合わせが困難である。
【解決手段】 基板の上に下部導電膜を形成する。下部導電膜の上に第１の絶縁膜を形成する。第１の絶縁膜に、下部導電膜まで達する開口を形成する。開口内の下部導電膜の上、及び第１の絶縁膜の上に、磁化自由層とトンネル絶縁膜と磁化固定層とを有するＭＴＪ積層膜を堆積させる。ＭＴＪ積層膜の上に上部電極を形成する。第１の絶縁膜の上に堆積しているＭＴＪ積層膜を除去することにより、開口内に残ったＭＴＪ積層膜からなるＭＴＪ素子を形成する。第１の絶縁膜の少なくとも一部、及び下部導電膜の一部を除去することにより、ＭＴＪ素子の下に下部導電膜からなる下部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

【課題】上面にストラップ配線が形成された絶縁膜と、この絶縁膜の下面に形成された配線と間で剥離が生じることが抑制された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板ＳＳと、半導体基板ＳＳ上に形成され、周辺配線Ｐ１および配線Ｌ２が形成された配線層ＬＬ１，ＬＬ２と、配線層ＬＬ２に形成され、配線Ｌ３を含む配線層ＬＬ３と、配線層ＬＬ３上に形成され、磁気記憶素子ＭＲを含む配線層ＬＬ４とを備え、配線Ｌ１，Ｌ２上に形成された拡散防止膜ＮＦ１，ＮＦ２は、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＣ膜から形成され、配線Ｌ３上に形成された拡散防止膜ＮＦ３は、ＳｉＮから形成される。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の下にあるコンタクトプラグの上面の平坦性を改善し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数のスイッチングトランジスタと、隣接する２つのスイッチングトランジスタ間に埋め込まれ、該隣接する２つのスイッチングトランジスタの各ゲートから絶縁されかつ該隣接する２つのスイッチングトランジスタのソースまたはドレインに電気的に接続され、上面がスイッチングトランジスタの上面よりも高い位置にあるコンタクトプラグと、コンタクトプラグの上面上に設けられ、データを記憶する記憶素子と、記憶素子上に設けられた配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の下にあるコンタクトプラグの上面の平坦性を改善し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数のスイッチングトランジスタと、隣接する２つのスイッチングトランジスタ間に埋め込まれ、該隣接する２つのスイッチングトランジスタの各ゲートから絶縁されかつ該隣接する２つのスイッチングトランジスタの拡散層に電気的に接続されたコンタクトプラグと、コンタクトプラグ上に形成され、上面がスイッチングトランジスタの上面よりも高い位置にある上部コネクタと、上部コネクタの上面上に設けられ、データを記憶する記憶素子と、記憶素子上に設けられた配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】下層の配線層にＭＴＪ素子を形成しつつ、ＭＴＪ素子に熱が加わることを抑制する。
【解決手段】基板１０上に絶縁層２２０を形成する。次いで絶縁層２２０上にＭＴＪ素子１００を形成する。次いで、ＭＴＪ素子１００上に配線２４２を形成する。次いで配線２４２上に絶縁層２５０を形成する。次いで絶縁層２５０の表層に配線２５２を形成する。そして配線２５２を光照射により熱処理する。そして配線２５２を形成する工程において遮蔽導体２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】書込まれる記憶データのレベルに依存せず磁気特性が対称な磁性体メモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗素子中の自由磁化層においては、静磁性結合に起因する固定磁化層との間の結合磁界ΔＨｐが、磁界容易軸（ＥＡ）に沿った方向に作用している。データ書込磁界Ｈ（ＷＷＬ）は、自由磁化層の磁化困難軸（ＨＡ）と完全に平行に印加されるのではではなく、磁化困難軸ＨＡとの間に所定角度αを成すように印加される。これにより、Ｈ（ＷＷＬ）の磁化容易軸（ＥＡ）方向に沿った成分によって、一様な結合磁界ΔＨｐが相殺される。 （もっと読む）

【課題】多数の種類の材質の膜をエッチングによって加工する際に、膜の種類に応じた複数のハードマスクで加工を行いながら、工程数の増加を抑えることができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の素子となる所定形状の素子形成部Ｃ１〜ＷＬ１間に絶縁膜６０が形成された素子層上に、第２の素子となる素子材料層ＶＲ２〜ＢＬ１と、第２の素子の配線の一部となる配線材料層Ｃ２と、絶縁材料からなるマスク層と、を積層させ、所定形状に加工したマスク層を用いて配線材料層Ｃ２と素子材料層ＢＬ１〜ＶＲ２とをエッチングし、マスク層と配線材料層Ｃ２とをマスクとして、素子層の絶縁膜６０をエッチングし、配線材料層Ｃ２をマスクとして、素子層の素子形成部Ｃ１〜ＷＬ１をエッチングして第１の素子を形成し、パターン間に埋め込んだ絶縁層を、配線材料層Ｃ２をストッパとして除去し、絶縁層上に第２の素子の配線となる配線層を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性領域の接触面積を増大でき、コンタクト抵抗を低減可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】フィン状の活性領域１３は、半導体基板１１内に設けられ、第１の側面、前記第１の側面に平行する第２の側面、及び前記第１、第２の側面を繋ぐ上面を有する。ワード線の一部としてのゲート電極１４は、活性領域に形成された溝１７内及び溝を跨いで形成され、活性領域と絶縁されている。シリサイド層１６は、ゲート電極の両側の活性領域に位置し、ソース、ドレイン領域としての活性領域の少なくとも第１の側面に形成されている。少なくとも記憶素子２１を接続するためのコンタクト１５は、シリサイド層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に下地膜を形成する。前記下地膜上に犠牲膜を形成する。前記犠牲膜をパターニングして前記下地膜の所定領域を露出させる開口部を形成する。前記開口部内にマスク膜を形成する。前記マスク膜の一部または全部を酸化させて酸化物マスクを形成する。前記犠牲膜を除去する。前記酸化物マスクをエッチングマスクとして用いて前記下地膜をエッチングして下地膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面に対して垂直方向の磁界を容易に発生させることができ、測定精度を高めることができる磁気抵抗評価装置を提供する。
【解決手段】磁場発生手段１３が、載置台１２に載置された磁気抵抗素子を有するウエハの両面側に、それぞれ２対の電磁石２４と、電磁石２４の各対毎に、それぞれの電磁石２４の芯から連続して伸びて１本に収束するよう設けられた１対の磁路延長部材２５とを有している。磁場発生手段１３は、各対のそれぞれの電磁石２４の中心軸が互いに垂直に交わるよう配置されている。磁場発生手段１３は、各磁路延長部材２５の先端２５ａが、ウエハの両面側でウエハの表面に対して所定の間隔をあけて配置されるとともに、ウエハの反対面側に配置された各磁路延長部材２５の先端２５ａと、ウエハを挟んで対向するよう配置されている。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子およびＭＴＪを形成する方法が開示される。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子は、固定層、バリア層、自由層、および複合ハードマスクまたは上部電極を含む。複合ハードマスク／上部電極構造体はＭＴＪ記憶素子を通る不均一電流経路を提供するよう構成され、平行にカップリングされた様々な抵抗特性を有する電極から形成される。自由層と上部電極との間に組み込まれた任意の調整層が自由層の減衰定数を低減する助けとなる。
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